Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным активным полевым электродом

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания мощных полевых транзисторов с затвором Шоттки и дополнительным активным полевым («Field plate» - FP) электродом. Может быть использовано в мощных СВЧ транзисторах на основе нитридных (GaN) гетероэпитаксиальных структур для усиления полевых эффектов, связанных с увеличением пробивных напряжений Uпр, предотвращением «коллапса» тока и снижением рабочей температуры канала Tc. Предложен способ изготовления мощного полевого транзистора с активным полевым электродом, включающий в себя: выделение активной области, создание омических контактов истока и стока, нанесение диэлектрической маски, проведение литографии для вскрытия окон, расположенные ближе к стоку края которых определяют местоположение затворов Шоттки в изготавливаемом транзисторе, удаление материала диэлектрической маски в окнах резистивной маски, а затем и сам резист, формирование посредством новой литографии в новом резистивном слое затворного окна, окружающего определяющие местоположения затворов Шоттки края окон диэлектрической маски, напыление затворной металлизации, проведение операции взрыва и получение Z-образного затвора Шоттки, удаление диэлектрической маски из-под Z-образной шляпки затвора, повторное нанесение защитного диэлектрика с образованием воздушных или иных полостей под шляпкой Z-затвора, формирование над затвором и смещенного к стоку активного соединенного воздушными мостами с истоком полевого FP-электрода. Новым является то, что между FP-электродом и Z-образным затвором формируют воздушный зазор, приводящий к снижению паразитной емкости затвор-исток и улучшению СВЧ-характеристик транзистора. Для получения требуемой величины зазора между FP-электродом и затвором, или между FP-электродом и прилегающей к Z-затвору со стороны стока поверхностью канала формируют диэлектрические опоры заданной высоты. Преимуществом предлагаемого способа изготовления полевого транзистора является значительное уменьшение емкости затвор-исток и улучшение СВЧ-характеристик транзистора. 1 ил.

 

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания мощных полевых транзисторов с затвором Шоттки и дополнительным активным (электрически соединенным с истоком) полевым Field plate (FP) электродом. Активные полевые FP-электроды эффективно используются в мощных СВЧ транзисторах, например, на основе нитридных (GaN) гетероэпитаксиальных структур, для усиления полевых эффектов приводящих к увеличению пробивных напряжений Uпр [1], предотвращению «коллапса» тока [2] и снижению рабочей температуры канала Tc [3, 4].

Известны способы создания полевых транзисторов Шоттки [5] с дополнительным активным полевым FP-электродом с клиновидным краем, изолированным от затвора тонким слоем диэлектрика и соединенным с истоком. Достигается более эффективное перераспределение электрического поля в канале, что способствует усилению указанных выше полевых эффектов.

Недостатком известного способа является заметная величина емкости затвор-исток Cgs, приводящее к ухудшению СВЧ-характеристик транзистора (максимальное значение крутизны gm, малосигнальные коэффициенты усиления по току H21 и по мощности Gm, коэффициент усиления по мощности KУ, значения предельных частот ft и fmax), что происходит за счет наличия между FP-электродом и шляпкой затвора, а также между FP-электродом и поверхностью канала тонкого диэлектрического слоя с большой диэлектрической постоянной (ε>>1).

Наиболее близким аналогом заявленного технического решения является способ изготовления полевого транзистора с Z-образным затвором Шоттки и активным FP-электродом [6], в котором для уменьшения паразитной емкости затвор-исток Cgs удаляют диэлектрик из-под Z-образной шляпки затвора с целью формирования под ней воздушной полости с близким к единице значением диэлектрической постоянной воздуха ε≈1. Этим достигают снижения паразитной емкости между шляпкой Z-затвора и поверхностью контактного слоя. В известном способе электрически изолированный от затвора полевой электрод формируется на диэлектрике между омическими контактами затвора и стока. Его электрическое соединение с истоком осуществляется либо лежащими на диэлектрике узкими перемычками, либо воздушными мостами.

Изобретение по патенту RU2671312 выбрано за прототип.

Недостатком прототипа является наличие между FP-электродом и Z-образной шляпкой затвора, а также между FP-электродом и поверхностью канала тонкого диэлектрического слоя, препятствующего дальнейшему понижению емкости между истоком и затвором Cgs из-за большого значения диэлектрической постоянной этого диэлектрического слоя (ε ≥3).

Целью изобретения является устранение указанного недостатка и улучшение СВЧ-характеристик транзистора. С этой целью между активным FP-электродом и покрытыми тонким слоем диэлектрика Z-образной шляпкой затвора и поверхностью канала формируют воздушный зазор с малым значением диэлектрической постоянной, например, воздушный. Вследствие меньшего значения диэлектрической постоянной воздуха (ε≈1) по сравнению с диэлектрическим покрытием (ε ≥3) решается задача по значительному снижению емкости затвор-исток Cgs и улучшению СВЧ-характеристик транзистора.

Технический результат достигается тем, что в известном способе, включающем: выделение активной области, создание на контактном слое омических контактов истока и стока, нанесения диэлектрической маски, проведение литографии для формирования окна, край которого, расположенный ближе к стоку, определяет местоположение затвора Шоттки в канале изготавливаемого транзистора. Проводят удаление материала диэлектрической маски в упомянутом окне, а затем удаление и самого резиста. В новом резистивном слое посредством новой литографии формируют затворное окно, окружающее местоположение затвора Шоттки, и осуществляют напыление металлической пленки, в том числе на местоположение затвора Шоттки. Затвор формируют операцией «взрыва», после которой получают Z-образный затвор Шоттки, ножка которого лежит на барьерном слое и образует с ним затвор Шоттки, а обращенная в сторону стока Z-образная шляпка лежит на поверхности диэлектрической маски. Удаляют диэлектрическую маску из-под шляпки Z-затвора и повторно наносят защитный диэлектрик с образованием воздушных полостей под шляпкой Z-затвора.

В отличие от способа-прототипа вместо стандартного формирования FP-электрода, расположенного непосредственно на диэлектрическом покрытии, под FP-электродом также формируют воздушный зазор, приводящий к уменьшению емкости затвор-исток и улучшению СВЧ-характеристик транзистора. Для получения требуемой величины зазора между FP-электродом и затвором, или между FP-электродом и прилегающей к Z-затвору со стороны стока поверхностью канала формируют диэлектрические опоры заданной высоты, изготавливаемые в едином технологическом цикле с FP-электродом.

На фиг. 1 показаны основные моменты одного из возможных вариантов осуществления предлагаемого способа.

На фиг. 1,а) показана схема поперечного сечения гетероструктуры, содержащая полуизолирующую подложку 1 с выделенной активной областью 2 HEMT транзистора, омическими контактами истока 3 и стока 4 с диэлектрическим покрытием 5 и резистивной маской 6, формирующей край 7 затвора Шоттки.

На фиг. 1,б) показана схема поперечного сечения гетероструктуры после формирования методом взрывной литографии Z-образного затвора 10 по маске 8 резиста 9.

На фиг. 1,в) показана схема поперечного сечения гетероструктуры после удаления диэлектрического слоя 5 из-под шляпки Z-затвора, нанесения второго слоя пассивирующего диэлектрика 11 с образованием воздушной полости 12 и со вскрытыми над омическими контактами стока 4 и истока 3 окнами, последующего формирования подушки из резистивной маски 13, напыления поверх неё тонкого металлического слоя 14, формирования поверх слоя 14 резистивной маски 15. Напылением сформирован FP-электрод 16, лежащий непосредственно на диэлектрическом покрытии 13, и сформированы диэлектрические опоры 17.

На фиг. 1,г) показана схема сечения A-A поперечного сечения гетероструктуры, изображенной на фиг 1,в).

На фиг. 1,д) показана схема поперечного сечения гетероструктуры после проведения операции взрыва резистивной маски 15, гравировки тонкого металлического слоя 14, удаления подушки из резистивной маски 13, формирования воздушных зазоров 21 между пассивирующим затвор диэлектриком 11 и FP-электродом 16, формирования воздушных мостов 22, соединяющих FP-электрод с металлизацией омического контакта истока 3, гальванического утолщения 18 омического контакта стока 4 и гальванического утолщения 19 омического контакта истока 3.

На фиг. 1,е) показана схема сечения B-B поперечного сечения гетероструктуры, изображенной на фиг 1,д), с гальваническим утолщением 20 контактной площадки затвора 10.

Пример: Изготавливали полевой HEMT-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе полупроводниковой GaN гетероэпитаксиальной структуры (далее – структура), основные технологические этапы изготовления которого показаны на фиг. 1.

Сначала со стороны гетероэпитаксиальных слоев структуры 1 проводили выделение активной области транзистора 2 реактивно-ионным травлением на глубину 50 – 70 нм, после чего углублением в контактный слой активной области создавали омические контакты истока 3 и стока 4 на основе металлизации TiAlMoAu. Затем активная область транзистора покрывалась маской 5 (слоем диэлектрика SiO2) толщиной 200 нм. После этого проводили литографию для вскрытия окон в диэлектрическом покрытии, один из краев (поз.7 фиг.1,а) таких окон совпадает с местоположением затворов Шоттки в изготавливаемом транзисторе. Затем удаляли материал SiO2 маски 5 в окнах резиста, а потом и сам резист (фиг. 1, а).

Посредством новой литографии создавали окна 8 в новом резистивном слое 9, окружающие края окон диэлектрической маски 5, определяющие местоположения затворов Шоттки. При этом расположенные ближе к истоку 3 края окон резистивной маски лежали на контактном полупроводниковом слое, а вторые, противоположные ему края – на маске диэлектрика 5. На следующем этапе проводили электроннолучевое напыление Ni-Au металлизации Z-образного затвора 10 общей толщиной 0.35 мкм (фиг. 1, б). Размер шляпки Z-затвора 10 и его длина определялись положением формирующего края диэлектрической маски относительно краев окна (поз. 8 фиг. 1,б). В такой конструкции после проведения операции взрыва шляпка Z-затвора 10 опирается на край диэлектрической маски 5, которая затем полностью или частично удалялась селективным травлением из-под шляпки Z-затвора. После этого область канала транзистора, содержащая контакты стока 4, истока 3 и Z-затворы Шоттки 10, повторно покрывалась защитным (пассивирующим) слоем 11 диэлектрика SiO2 толщиной 0.3 мкм таким образом, что под шляпкой Z-затвора 10 образовывалась заполненная воздухом полость 12, что значительно снижает паразитные емкости затвор-исток Cgs. На следующем этапе на поверхности диэлектрика 11 над Z-образной шляпкой затвора 10 методами литографии формировались резистивные подушки 13 с окнами 17. Толщина резистивной подушки 13 (0.2 мкм) определяла высоту формируемых опор 17 и, в дальнейшем, размер воздушного зазора между FP-электродом 16 и пассивирующим Z-затвор диэлектриком 11. После этого на всю поверхность напыляли тонкий (0.1 мкм) слой Ti-Au 14, поверх которого методам литографии между контактами стока 4 и истока 3 в толстом резистивном слое 15 формировали окна под будущий FP-электрод. Для металлизации FP-электрода проводили напыление V-Au толщиной 0.35 мкм и осуществляли «взрыв» резиста 15 (фиг. 1,в и его сечение по А-А – 1,г). После гравировки тонкого слоя металлизации V-Au происходило отсоединение FP-электродов 16 от стоков 4 и окончательное формирование смещенных на ≈0.5 мкм в сторону стока активных FP-электродов 16 ленточного типа. Электрическое соединение FP-электродов с истоком осуществлялось по воздушным мостам 22. Затем из-под воздушных мостов 22 и FP-электродов 16 осуществляли удаление резистивных подушек 13, формировали опоры 17 и соответствующие воздушные зазоры 21 (фиг. 1, д и его сечение по В-В – 1, е). В общем случае опоры 17 можно формировать не только над шляпкой Z-затвора 10, но и на прилегающей к нему со стороны стока поверхности пассивирующего диэлектрика 11 под FP-электродом 16.

На завершающем этапе изготовления осуществлялось гальваническое утолщение золотом контактных площадок 18 стока 4, контактных площадок 19 истока 3 (фиг. 1, д), контактной площадки 20 затвора 10 (фиг. 1, г), а также утонение подложки 1 до толщины 100 мкм, металлизация обратной стороны подложки 1 и разделение пластины на отдельные кристаллы.

Преимущество предлагаемого способа изготовления полевого транзистора перед прототипом заключается в значительном уменьшении емкости затвор-исток Cgs за счет формирования воздушных зазоров между активным FP-электродом и затвором Шоттки, а также между активным FP-электродом и поверхностью канала между затвором и стоком.

Таким образом, за счет новых признаков технологии, позволяющей уменьшить паразитную емкость затвор-исток, достигнут заявленный технический результат: улучшены характеристики транзистора с дополнительным активным полевым электродом.

Сравнение СВЧ-характеристик GaN HEMT с Z-образным затвором Шоттки длиной 0.3 мкм с характеристиками прототипа приведено в таблице 1.

Таблица 1

Источники информации

[1]. Kuzuhara M. , Miyamoto H., Ando Y. et al. High voltage RF operation of AlGaN/GaN heterostructure FETs. Phys. Stat. Sol.(a) 2003, V.200, N1, p.161–167.

[2]. Alexei Koudymov, V. Adivarahan, Jinwei Yang, Grigory Simin, Asif Khan. Mechanism of Current Collapse Removal in Field-Plated Nitride HFETs. Published in IEEE Electron Device Letters, V.26, 2005, p. 704-706. http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55.

[3]. Ali Haghshenasa, Morteza Fathipour. Investigation of self-heating effects in included field plates structures in AlGaN/GaN HEMT devices. Proceedings of the 4th International Conference on Nanostructures (ICNS4) 12-14 March, 2012, Kish Island, I.R. Iran

[4]. Alessandro Chini (2010). Field Plate Devices for RF Power Applications, Advanced Microwave Circuits and Systems, Vitaliy Zhurbenko (Ed.), ISBN: 978-953-307-087-2, InTech, Available from: http://www.intechopen.com/books/advanced-microwave-circuits-and-systems/field-plate-devices-for-rf-powerapplications.

[5]. US 8,530,978 B1, МПК H01L 29/66 (2006.01). High current high voltage GaN field effect transistors and method of fabricating same. Date of Patent: Sep. 10.2013.

[6]. Н.А. Торхов, С.В. Литвин, В.Г. Сысуев, И.Д. Халтурина. Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным полевым электродом. Патент на изобретение RU2671312, приоритет от 26 января 2016 г., дата регистрации в Гос. Реестре РФ 30 октября 2018 г.

Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным активным полевым электродом, включающий: выделение активной области, создание на контактном слое омических контактов истока и стока, формирование диэлектрической маски для формирования окна, край которого, расположенный ближе к стоку, определяет местоположение затвора Шоттки в канале изготавливаемого транзистора, удаление материала диэлектрической маски в упомянутом окне, формирование затворного окна, окружающего местоположение затвора Шоттки, напыление металлической пленки, в том числе на местоположение затвора Шоттки, формирование операцией «взрыва» Z-образного затвора Шоттки, обращенная в сторону стока шляпка Z-образного затвора лежит на поверхности диэлектрической маски, удаление диэлектрической маски из-под шляпки Z-образного затвора и повторное нанесение диэлектрика с образованием воздушных полостей под шляпкой Z-образного затвора, формирование над затвором смещенного к стоку и соединенного воздушными мостами с истоком полевого FP-электрода, отличающийся тем, что под полевым FP-электродом формируют воздушный зазор, при этом между полевым FP-электродом и затвором, а также между полевым FP-электродом и прилегающей к Z-затвору со стороны стока поверхностью канала, формируют диэлектрические опоры заданной высоты, изготавливаемые в едином технологическом цикле формирования полевого FP-электрода.



 

Похожие патенты:

Способ изготовления полевого транзистора с гетеропереходом, содержащего полупроводниковую структуру из наложенных друг на друга слоев, включающий: обеспечение на слое подложки (1) буферного слоя (2), канального слоя (3) и барьерного слоя (4), выполненных из материалов с гексагональной кристаллической структурой типа Ga(1-p-q)Al(p)In(q)N, выполнение отверстия в диэлектрическом маскирующем слое (5), нанесенном на барьерный слой, выращивание эпитаксией при высокой температуре полупроводникового материала (6, 6') с гексагональной кристаллической структурой Ga(1-x'-y')Al(x')In(y')N, легированного германием, на зоне роста, заданной выполненным в маскирующем слое отверстием, нанесение контактного электрода истока или стока (15, 16) на материал, нанесенный эпитаксией, и электрода затвора (13) в местоположении вне зоны роста.

Использование: для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных (СВЧ) интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полевого транзистора с дополнительным полевым электродом включает в себя выделение активной области химическим, физическим травлением или имплантацией, создание омических контактов стока и истока на поверхности контактного слоя, или углублением в контактный слой полупроводниковой структуры, селективное травление контактного слоя, формирование затвора Шоттки на барьерном слое, или углублением в барьерный слой дополнительного изолированного от затвора полевого электрода, с целью уменьшения паразитных емкостей, образуемых краями шляпки Г-образного затвора, повышения частотного диапазона, одновременного увеличения пробивных напряжений, снижения рабочей температуры канала сток-исток, уменьшения напряжения отсечки, увеличения максимального значения крутизны gm и увеличения коэффициента усиления по мощности, а также повышения выхода годных транзисторов вместо ленточного или Т-образного затворов используется Г-образный затвор Шоттки, формирование Г-образной шляпки которого происходит на краю диэлектрической пленки или на краю металлической пленки, или на краю комбинированной пленки с возможным последующим их удалением из-под края шляпки Г-затвора, нанесение защитного диэлектрика с образованием воздушных или иных полостей под краем шляпки Г-затвора, что приводит к снижению паразитной емкости между шляпкой Г-затвора и поверхностью контактного слоя, изолированный электрически от затвора полевой электрод формируется в канале сток-исток; электрическое соединение полевого электрода с истоком осуществляется либо лежащими на диэлектрике узкими перемычками, либо, с целью снижения паразитной емкости, узкими или сплошными вдоль всей ширины затвора воздушными мостами.

Использование: для создания РНЕМТ транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерная структура с нанонитями из атомов олова, встроенными в кристалл GaAs включает монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0.3°÷0.4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой и контактный легированный кремнием слой GaAs, дополнительно добавлен канальный слой InGaAs, спейсерный слой AlGaAs и барьерный слой AlGaAs, а двухмерный электронный газ, находящийся в канальном слое InGaAs, модулирован в виде квазиодномерных каналов.

Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида галлия, нанесенной на подложку, электродов, включающих исток, затвор и сток, нанесенных на гетероэпитаксиальную структуру и пространственно-разделенных между собой, пассивационной диэлектрической пленки, нанесенной на гетероэпитаксиальную структуру между контактами электродов, теплоотвода, сформированного на гетероэпитаксиальной структуре, и теплораспределительного слоя, при этом подложка выполнена из высокоомного кремния, а теплораспределительный слой расположен между контактом стока и теплоотводом.

Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов. В полевом транзисторе на осажденной из газовой фазы алмазной пленке с дельта-допированным проводящим каналом, включающем недопированную алмазную подложку, осажденную на ней из газовой фазы алмазную пленку, состоящую из нанесенных последовательно недопированного буферного слоя, тонкого допированного дельта-слоя и недопированного покровного слоя, а также металлические истоковый и стоковый контакты и отделенный от покровного слоя слоем изолятора затворный контакт, допированный дельта-слой дельта-допированного проводящего канала осажден из газовой фазы таким образом, что профиль распределения концентрации допирующей примеси в дельта-допированном проводящем канале имеет два расположенных симметрично относительно центра дельта-допированного проводящего канала и разделенных расстоянием не более 3 нм максимума, между которыми находится локальный минимум, в центре которого концентрация допирующей примеси на порядок меньше, чем в максимумах.

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием полевых HEMT транзисторов.

Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.

Изобретение относится к технологии изготовления полевых транзисторов. Способ изготовления СВЧ мощного полевого псевдоморфного транзистора на гетероэпитаксиальной структуре AlGaAs/InGaAs/GaAs заключается в том, что формируют субмикронный Т-затвор с применением оптической литографии.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием полевых транзисторов.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из монокристаллического кремния p-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), вспомогательных эпитаксиальных слоев, нанесение базового слоя и буферного слоя для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, нанесение на базовый слой теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза, удаление базовой подложки вместе со вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, наращивание на базовом слое гетероэпитаксиальной структуры на основе широкозонных III-нитридов и формирование истока, затвора и стока.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых устройств. В способе формирования электронного устройства удаляют фоторезист с по меньшей мере одной поверхности проводящего слоя с использованием смеси реактивов, которая содержит первый материал самоорганизующегося монослоя и реактив для удаления фоторезиста, таким образом осаждают самоорганизующийся монослой на по меньшей мере одну поверхность указанного проводящего слоя и осаждают полупроводниковый материал на самоорганизующийся монослой, нанесенный на проводящий слой, без озонной очистки проводящего слоя.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец.

Изобретение относится к электронной технике. .

Изобретение относится к электронной технике. .

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания мощных полевых транзисторов с затвором Шоттки и дополнительным активным полевым электродом. Может быть использовано в мощных СВЧ транзисторах на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для усиления полевых эффектов, связанных с увеличением пробивных напряжений Uпр, предотвращением «коллапса» тока и снижением рабочей температуры канала Tc. Предложен способ изготовления мощного полевого транзистора с активным полевым электродом, включающий в себя: выделение активной области, создание омических контактов истока и стока, нанесение диэлектрической маски, проведение литографии для вскрытия окон, расположенные ближе к стоку края которых определяют местоположение затворов Шоттки в изготавливаемом транзисторе, удаление материала диэлектрической маски в окнах резистивной маски, а затем и сам резист, формирование посредством новой литографии в новом резистивном слое затворного окна, окружающего определяющие местоположения затворов Шоттки края окон диэлектрической маски, напыление затворной металлизации, проведение операции взрыва и получение Z-образного затвора Шоттки, удаление диэлектрической маски из-под Z-образной шляпки затвора, повторное нанесение защитного диэлектрика с образованием воздушных или иных полостей под шляпкой Z-затвора, формирование над затвором и смещенного к стоку активного соединенного воздушными мостами с истоком полевого FP-электрода. Новым является то, что между FP-электродом и Z-образным затвором формируют воздушный зазор, приводящий к снижению паразитной емкости затвор-исток и улучшению СВЧ-характеристик транзистора. Для получения требуемой величины зазора между FP-электродом и затвором, или между FP-электродом и прилегающей к Z-затвору со стороны стока поверхностью канала формируют диэлектрические опоры заданной высоты. Преимуществом предлагаемого способа изготовления полевого транзистора является значительное уменьшение емкости затвор-исток и улучшение СВЧ-характеристик транзистора. 1 ил.

Наверх