Устройство генерирования электрического тока посредством преобразования энергии радиохимического бета-распада с-14

Изобретение относится к устройству прямого преобразовании энергии радиохимического бета-распада изотопа в разность потенциалов и предназначено для использования в автономных системах как источник постоянного электрического тока. Устройство содержит полупроводниковую структуру планарного или вертикального исполнения с p-n переходом, радиоизотопный материал с чисто бета-распадом, большим периодом и достаточной активностью полураспада, электрические выводы для коммутации структурных элементов в электрическую цепь, позволяющие управлять характеристиками по току и напряжению; также устройство имеет корпус, обеспечивающий экологическую безопасность использования. В качестве полупроводниковой структуры использована гетероструктура карбида кремния на подложке монокристаллического кремния, причем в молекулярную форму карбида кремния входит радиоизотоп углерод-14. Доля радиоуглеродного изотопа С-14 в структуре карбида кремния по отношению к углероду С-12 составляет от 10-6 до 10-3 %. Возможен также вариант с пористой структурой карбида кремния. Техническим результатом является увеличение удельных энергетических характеристик преобразователя в электрическую энергию энергии радиохимического распада углерода-14 при использовании в качестве прямого преобразователя энергии гетероструктуру карбида кремния на подложке кремния. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Изобретение относится к маломощным, энергопреобразователям прямого преобразовании энергии радиохимического бета-распада изотопа в разность потенциалов (радиохимическую ЭДС) и предназначено для использования в качестве источника постоянного электрического тока, источника электрических зарядов в системах автономного управления и датчиках. Устройство относится к области энергетики и физики твердого тела, а именно к полупроводниковым приборам преобразования энергии.

Известно множество полупроводниковых устройств, позволяющих из потока энергии через окружающие тела и проходящего через них, извлекать ее часть и преобразовывать в энергию электрического тока и которые не имеют движущихся частей. Например, это фотоэлементы, преобразующие часть энергии светового потока, преобразователи энергии тепла в энергию термо-ЭДС. Хорошо известна способность некоторых полупроводниковых преобразователей вырабатывать электроэнергию из излучения радиоактивных материалов.

Известно устройство для преобразования энергии радиоактивного распада в электроэнергию посредством улавливания высокоэнергетических частиц и выработки за счет неупругого торможения электронно-дырочных пар полупроводниковыми пластинами и разделения их в катодной и анодной области по зарядам в условиях p-n перехода или перехода с промежутком с собственной проводимостью (US patent 6238812). Недостатками аналога являются низкий энергетический КПД.

Известен патент на гибкий бетавольтаический элемент https://findpatent.ru/patent/263/2631861.html. Изобретение относится к средствам прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электрическую и может быть использовано для питания микроэлектронной аппаратуры. Гибкий бета-вольтаический элемент содержит источник бета-излучения, выполнен в виде содержащей радиоактивный изотоп фольги, который окружен, по меньшей мере, одним прилегающим к нему полупроводниковым преобразователем. Преобразователь выполнен в виде фольги из вентильного металла (например, Ni, Nb, Zr, V), на поверхности которой, обращенной к источнику излучения, сформирован слой полупроводникового оксида упомянутого вентильного металла, пропускающий электрический ток только в одном направлении, снабженный, по меньшей мере, одним электрическим контактом, нанесенным на этот слой. Способность слоя полупроводникового оксида вентильного металла пропускать ток только в одном направлении обеспечивается либо тем, что электрический контакт, нанесенный на этот слой, выполнен в виде сплошного металлического покрытия, образующего с упомянутым полупроводниковым оксидом барьер Шоттки, либо тем, что в упомянутом слое сформирована выпрямляющая гетероструктура. Техническим результатом является возможность оптимизации весогабаритных характеристик бета-вольтаического элемента. Недостатком технического решения является низкое удельное преобразование энергии радиоизотопа вследствие самопоглощения бета-электронов.

Известен полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию (патент РФ №2452060, МПК H01L 31/04, G01H 1/00, опубл. 27.05.2012), который содержит пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного вещества на текстурированной поверхности. Текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество, содержащее радионуклид никель-63, тритий или оба вместе, покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника. Недостатками такого источника являются сложная технология изготовления, требующая большого расхода дорогостоящего изотопа, а также бесполезные потери бета-излучения, большая часть которого поглощается стенками макропор, а также выходит в нерабочую область структуры.

Также известна бета-вольтаическая батарея высокой удельной мощности, состоящая из набора плоских элементов, каждый из которых состоит из трех тонких пластин из электроизоляционного материала (патент США №8487392, МПК H01L 27/14, опубл. 16.07.2013). Одна из пластин, на поверхность которой нанесен радиоактивный изотоп никель-63, фосфор-33 или прометий-147, является источником бета-излучения, на поверхность другой пластины последовательно нанесены электроды, образующие выпрямляющий и омические контакты тонкопленочного полупроводникового преобразователя, а третья пластина служит для взаимной электроизоляции соседних элементов. Для коммутации элементов в батарею используется металлизация на периферии пластин. Недостатком технического решения является сложность конструкции сборки элементов и недостаточная степень преобразования энергии радиоизотопа при его высокой стоимости.

Близким к заявляемому устройству по технической сущности является радиоизотопный элемент электрического питания с источником бета-излучения в виде фольги, содержащей изотоп никель-63, помещенной между двумя полупроводниковыми преобразователями, скоммутированными с помощью металлических контактов. Вся конструкция помещается в корпус и соединяется с внешними электрическими контактами (http://www.rusnauka.com/21_SEN_2014/Phisica/6_174557.doc.htm).

Недостатком данного технического решения является низкая удельная мощность преобразования энергии радиоизотопа и недостаточная радиационная пассивность кремния при больших активностях радиоизотопа, т.к. радиационные дефекты структуры выступают как центры рекомбинации электрон-дырочных пар.

Задачей изобретения является улучшение удельных энергетических характеристик бета-вольтаических элементов и параметров тока короткого замыкания и напряжения холостого хода и повышение радиационной стойкости используемого полупроводника.

Технический результат предполагаемого изобретения заключается в увеличении удельных энергетических характеристик преобразователя энергии радиохимического распада углерода-14 в электрическую энергию, используя в качестве прямого преобразователя энергии гетероструктуру карбида кремния на подложке кремния, при этом карбид кремния отличается повышенной радиационной стойкостью к образованию структурных дефектов радиационного происхождения

Указанный технический результат достигается тем, что устройство содержит полупроводниковую структуру для прямого преобразования энергии планарного (Фиг. 1) или вертикального (Фиг. 2) исполнения с p-n переходом и гетеропереходом для разделения неравновесных носителей внутренним электрическим полем. Структура включает пленку полупроводникового карбида кремния, на подложке монокристаллического кремния, причем карбид кремния характеризуется тем, что в молекулярную форму карбида кремния входит радиоизотоп углерода-14, доля радиоуглеродного изотопа С-14 в структуре пленки карбида кремния по отношению к углероду С-12 в той же структуре составляет от 10-6 до 10-3 %, что оказывается выгодным в технико-экономическом отношении из-за стоимостных данных радиоизотопа. Удельное содержание радиоизотопа в чипе 1мм x 1 мм x 0.5мм составляет не более 25 x 10-3 %. Энергия радиоизотопа с большим периодом и достаточной активностью чисто бета-полураспада, напрямую преобразуется в электрическую энергию. Внутриструктурный радиоизотопный источник исключает эффект самопоглощения бета-электронов в области диффузионной длины, что позволяет снизить концентрацию радиоизотопа до безопасного уровня.

В одном из вариантов устройства использована структура энергопреобразователя с развитой удельной поверхностью (Фиг. 3), во- первых, для увеличения плотности энергии с единицы площади пленки карбида кремния, при этом внутренняя периферия по образующей каждой поры (например, полученная электролитическим травлением подложки кремния), n- и p-типа проводимости, а радиоизотоп С-14 в молекулах карбида кремния содержится только в n- или p-области p-n перехода в карбиде кремния. Во-вторых, поры, обладая развитой поверхностью, обеспечивают выход радиационно наведенных дефектов структуры и, следовательно, увеличивают радиационную пассивность.

В одном из вариантов устройства использована пористая структура энергопреобразователя с изотипным гетеропереходом с радиоизотопом С-14 в молекулярной форме SiC n- или p-типа проводимости на подложке кремния (например КЭФ-20 или КДБ-20 соответственно). В данной структуре неравновесные носители (вторичные электроны и дырки) разделяются внутренним полем гетероперехода (полупроводник - плупроводник). Металлизация контактных площадок выполнена к полупроводникам с разной шириной запрещенной зоны (ширина запрещенной зоны кремния составляет 1,1 эВ, а карбида кремния – 2.2 эВ).

В одном из вариантов устройства использована пористая структура энергопреобразователя с анизотипным гетеропереходом с радиоизотопом С-14 в молекулярной форме SiC n- или p-типа проводимости на подложке кремния (например, КДБ-20 или КЭФ-20 соответственно). Неравновесные носители генерируются бета-электронами и разделяются внутренним полем гетероперехода и, кроме того, n-p или p-n перехода в подложке кремния. При этом структура в устройстве может иметь i-область компенсации носителей в подложке кремния, что повышает эффективность генерации и разделения носителей.

Устройство со структурой содержащей радиоизотоп С-14 с молекуле карбида кремния в концентрации от 10-6 до 10-3 % работает следующим образом. Бета-электроны имеют энергию выше, чем ширина запрещенной зоны сопряженных полупроводников. Данный факт приводит к генерации неравновесных носителей в полупроводниках. При этом полупроводниковые материалы могут быть n- или p-типа проводимости. Возбужденные вторичные электроны и дырки диффундируют в пределах длины свободного пробега попадая в область встроенного внутреннего поля области объемного пространственного заряда (ОПЗ) p-n перехода или гетероперехода. Внутреннее поле принуждает диффундировать электроны и дырки направленно (электроны выносятся в n-область, а дырки в р-область, выводя систему из равновесного состояния). Катодная и анодная области полупроводниковой структуры устройства имеют металлизацию/контакты, причем эти области могут иметь планарное или вертикальное исполнение (Фиг. 1, 2). Электрические выводы соединены с металлизацией известными методами. При дискретном исполнении чипов структуры электрические выводы коммутируют, чтобы обеспечить заданное значение тока и напряжению по известным законам схемотехнических решений.

Чипы структуры в дискретном (Фиг. 4) или интегральном исполнении соединяют в сборки и размещают в металлическом или пластиковом черном корпусе стандартного исполнения. Внешние выводы корпуса потребитель коммутирует по своему усмотрению под требуемые значения тока и напряжения.

Дискретные элементы чипа энергопреобразователя имеют размеры в примере конкретного исполнения 1 х 1 мм, ток короткого замыкания в зависимости от концентрации радиоизотопа С-14 от 15 до 90 нА, а напряжения холостого хода от 0,1 до 30 мВ.

Элементы устройства в интегральном/матричном исполнении имеют размеры 12 х 12 мм, количество чипов в нем 65 шт. Матрицы объединяют в сборки, которые размещают в корпусе, обеспечивающем экологическую безопасность для потребителя. Внешние выводы корпуса потребитель коммутирует по своему усмотрению под требуемые значения тока и напряжения.

Использование устройства содержащего полупроводниковую гетероструктуру карбида кремния на подложке монокристаллического кремния для прямого преобразования энергии реакции радиохимического распада в постоянный ток в технико-экономическом отношении оправдано, использование радиоизотопа С-14 в молекулярной форме карбида кремния с содержанием в пленке карбида кремния на уровне от 10-6 до 10-3 % делает устройство с высокой удельной энергетической эффективностью и безопасным в применении для маломощных автономных энергосберегающих микросхем и микросистем. Гетероструктуру выращивают, например, методом эндотаксии на технологической установке CVD-эпитаксии. В качестве подложки использован монокристаллический кремний, в том числе с пористой поверхностью.

На приведенной фиг. 1 показана гетероструктура карбида кремния с n-p переходом на подложке кремния р-типа проводимости в планарном исполнении (где условные обозначения 1 -подложка кремния обозначена p-Si, 2- пленка карбида кремния р-типа проводимости обозначена р-SiC, 3- изолирующая пленка обозначена SiO2, 4-контактная металлизация обозначена Ме, 5- пленка карбида кремния n-типа проводимости c радиоизотопом С-14 обозначена n-SiC), а на фиг. 2 - в вертикальном исполнении. На фиг. 3 показана пленка пористого карбида кремния на кремниевой подложке. На фиг. 4 показан энергопреобразователь в дискретном исполнении рядом с панелькой для монтажа микросхем. На фиг. 5 показан энергопреобразователь в дискретном исполнении смонтированным на панели для монтажа микросхем. Набор дискретных энергопреобразователей на панели (от 8 до 64 гнезд) позволяет выполнить внешнюю коммутацию элементов потребителем под нужные значения тока и напряжения.

Элемент устройства: «Гетероструктура карбида кремния с n-p переходом на подложке кремния р-типа проводимости в планарном исполнении»

1. Устройство для прямого преобразования энергии бета-распада радиоизотопа в электрическую энергию, содержащее полупроводниковую структуру планарного или вертикального исполнения с p-n переходом, радиоизотопный материал с чисто бета-распадом, большим периодом и достаточной активностью полураспада, электрические выводы для коммутации структурных элементов в электрическую цепь, позволяющие управлять характеристиками по току и напряжению и корпус, обеспечивающий экологическую безопасность использования, отличающееся тем, что в качестве полупроводниковой структуры использована гетероструктура карбида кремния на подложке монокристаллического кремния, причем в молекулярную форму карбида кремния входит радиоизотоп углерод-14.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что доля радиоуглеродного изотопа С-14 в структуре карбида кремния по отношению к углероду С-12 составляет от 10-6 до 10-3 %.

3. Устройство по п. 1, 2, отличающееся тем, что карбид кремния n-типа проводимости с радиоизотопом имеет пористую структуру и содержит р-области карбида кремния по внутренней периферии пор, подложка кремния р-типа проводимости.

4. Устройство по п. 1, 2, отличающееся тем, что карбид кремния р-типа проводимости с радиоизотопом имеет пористую структуру и содержит n- области карбида кремния по внутренней периферии пор, подложка кремния n-типа проводимости.

5. Устройство по п. 1, 2, отличающееся тем, что карбид кремния n-типа проводимости с радиоизотопом имеет пористую структуру, подложка кремния n-типа проводимости.

6. Устройство по п. 1, 2, отличающееся тем, что карбид кремния р-типа проводимости с радиоизотопом имеет пористую структуру, подложка кремния р-типа проводимости.

7. Устройство по п. 1, 2, отличающееся тем, что карбид кремния n-типа проводимости с радиоизотопом имеет пористую структуру подложка кремния р-типа проводимости.

8. Устройство по п. 1, 2, отличающееся тем, что карбид кремния р-типа проводимости с радиоизотопом имеет пористую структуру, подложка кремния n -типа проводимости.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к медицинской радиационной технике, а именно к радиологическим системам визуализации. Способ определения передаточных характеристик пикселей плоскопанельного детектора рентгеновского излучения включает сбор исходных данных для нескольких значений поглощенной дозы в каждом пикселе матрицы детектора, апроксимацию полученных данных линейной зависимостью, сбор данных для учета темнового тока для каждого пикселя матрицы детектора, считывание полученных данных с матрицы детектора и отображение их в виде цифрового сигнала, при этом считывание данных с матрицы детектора проводят между импульсами рентгеновского излучения, а отображение считанных данных в виде цифрового сигнала проводят в зависимости от поглощенной дозы.

Планарный полупроводниковый детектор предназначен для регистрации излучений в ядерной физике, физике высоких энергий, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы, гамма-кванты и рентгеновское излучение.

Настоящее изобретение относится к области преобразователей энергии радиационных излучений в электрическую энергию и может быть также использовано в взрывоопасных помещениях - шахтах, в беспилотных летательных аппаратах, ночных индикаторах и сенсорах, расположенных в труднодоступных местах и т.д.

Настоящее изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию и может быть использовано во взрывоопасных помещениях - шахтах, в беспилотных летательных аппаратах, ночных индикаторах, сенсорах, расположенных в труднодоступных местах, и т.д.

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующих излучений, в частности к алмазным детекторам, способным работать в условиях повышенных температур, пониженных давлений, в агрессивных средах.

Изобретение может быть использовано в медицине, кристаллографии, ядерной физике и т.д. Гибридный пиксельный фотоприемник согласно изобретению содержит первую - кремниевую подложку, на верхней (нижней) поверхности которой расположена интегральная СБИС - микросхема, включающая матрицу пикселей с КМОП электронными схемами считывания и обработки электрических сигналов, при этом на поверхности пикселей расположены контактные электроды и она содержит вторую полупроводниковую подложку n-(p-) типа проводимости, содержащую на своей верхней (нижней) поверхности сильно легированный n+(p+) слой с расположенным на нем металлическим общим катодным (анодным) электродом, а на ее нижней (верхней) поверхности расположена матрица пикселей p-i-n-диодов, которые через контактные электроды соединены с соответствующими пикселями матрицы первой кремниевой подложки, расположенной на нижней (верхней) поверхности второй подложки, при этом вторая подложка одного n-(p-) типа проводимости является общей - анодной (катодной) областью и она образует с полупроводниковыми контактными электродами p+(n+) типа проводимости, являющимися одновременно катодными (анодными) электродами, матрицу p-i-n-диодов.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию. Предложена конструкция планарного преобразователя ионизирующих излучений, содержащая слаболегированную полупроводниковую пластину n (p) типа проводимости, в которой расположена сильнолегированная n+ (p+) область, на поверхности которой расположен электропроводящий электрод катода (анода), на верхней поверхности пластины расположена сильнолегированная p+ (n+) область, образующая с полупроводниковой пластиной p-n-переход, на поверхности p+ (n+) области расположен слой изолирующего диэлектрика и электропроводящий электрод анода (катода), являющийся радиоактивным изотопом, при этом на верхней и нижней поверхностях слаболегированной полупроводниковой пластины n- (p-) типа проводимости расположены сильнолегированные соответственно верхняя и нижняя горизонтальные p+ (n+) области, образующие с пластиной p-n-переходы p-i-n-диода, при этом они соединены между собой вертикальной р+ (n+) кольцевой областью, при этом верхняя горизонтальная p+ (n+) область образует со слоем изолирующего диэлектрика и электропроводящим электродом катода (анода) МОП структуру накопительного конденсатора, на верхней поверхности пластины также расположена n+ (p+) контактная область к пластине n- (p-) типа проводимости, на верхней и нижней поверхности горизонтальных p+ (n+) областей расположены соответственно слои верхнего и нижнего диэлектрика, содержащие контактные окна соответственно к n+ (p+) контактной области и нижней горизонтальной p+ (n+) области, на поверхности верхнего и нижнего диэлектриков расположены соответственно верхний и нижний слои радиоактивного изотопа - металла, образующие омические контакты соответственно с n+ (p+) контактной областью и нижней горизонтальной p+ (n+) областью, являющиеся электродами катода (анода) и анода (катода) соответственно p-i-n-диода.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам ионизирующих частиц. В емкостной МОП диодной ячейке фотоприемника-детектора излучений применена новая электрическая схема, в которой используются усилительный обогащенный p-МОП транзистор, конденсатор, p-i-n-диод, поликремниевые резисторы, дополнительные p-МОП и n-МОП транзисторы и оригинальной конструкции ячейки координатного фотоприемника-детектора.

Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Изобретение обеспечивает повышение эффективности регистрации оптических и глубоко проникающих излучений и повышение быстродействия детектора излучений.

Изобретение относится к области преобразователей энергии оптических и радиационных излучений в электрическую энергию (э.д.с). Согласно изобретению предложен кремниевый монокристаллический многопереходный фотоэлектрический преобразователь оптических и радиационных излучений, содержащий диодные ячейки с расположенными в них перпендикулярно горизонтальной светопринимающей поверхности вертикальными одиночными n+-p--p+(p+-n--n+) переходами и расположенными в диодных ячейках параллельно к светопринимающей поверхности горизонтальными n+-p-(p+-n-) переходами, причем все переходы соединены в единую конструкцию металлическими катодными и анодными электродами, расположенными соответственно на поверхности областей n+(p+) типа вертикальных одиночных n+-p--p+(p+-n--n+) переходов, при этом он содержит в диодных ячейках дополнительные вертикальные n+-p-(p+-n-) переходы, причем их области n+(p+) типа подсоединены соответственно областями n+(p+) типа n+-p-(p+-n-) горизонтальных переходов к областям - n+(p+) типа вертикальных одиночных n+-p--p+(p+-n--n+) переходов, при этом на его нижней и боковых поверхностях расположен слой диэлектрика толщиной менее длины пробега радиационных частиц в диэлектрике, на поверхности которого размещен слой радиоактивного металла толщиной, равной длине пробега электронов в металле, при этом расстояние между электродами диодных ячеек не превышает 2-х длин пробега радиационных частиц.

Изобретение относится к средству производства низковольтного электричества. Предусмотрено прохождение ядерных частиц через по меньшей мере один слой активированного сцинтиллятора с получением электромагнитного излучения и преобразования в электрическую энергию за счет внутреннего фотоэффекта посредством передачи излучения до полупроводникового элемента.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к суперконденсаторам. Изобретение может быть использовано в энергетике, при создании высокоэффективных генераторов и накопителей электрической энергии, в автономных мобильных миниатюрных слаботочных источниках питания, применяемых в системах микроэлектроники.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления суперконденсаторов. Способ изготовления электрода суперконденсатора заключается в нанесении на проводящую подложку буферного слоя, каталитического слоя, затем диэлектрического слоя, вскрытии в диэлектрическом слое матрицы окон до каталитического слоя с поперечным размером 40-60 мкм, осаждении в окнах массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок, функционализации поверхности углеродных нанотрубок кислородсодержащими группами, формировании слоя полианилина, содержащего изотоп С-14, на вертикально ориентированных углеродных нанотрубках электрохимическим осаждением, отжиге.

Изобретение относится к технике безотходной ядерной технологии. Компактный бетавольтаический источник тока длительного пользования с бета-эмиттером, представляющий собой сборку «сэндвичевой» структуры в виде стопки чередующихся между собой единичных или комплектных микроисточников тока, где каждый из микроисточников тока содержит кремнийсодержащую n+ легированную пластинку с р+ эпитаксиальным слоем, и источник бета-частиц в виде содержащего радиоизотоп никеля-63 металлического электропроводного слоя, контактирующего с одной или с двух сторон с полупроводниковым преобразователем, и систему токосъемных электродов для подключения к нагрузке, при этом в качестве полупроводникового преобразователя энергии бета-частиц в электрическую энергию - матрицу монокристаллического р-кремния, а в качестве источника бета-частиц - соразмерную с пластинкой полупроводника токопроводящую металлическую пластинку, в качестве системы токосъемных электродов - комбинацию системы внутренних встроенных с обеих сторон кремниевой пластинки по всей площади поверх слоя нитрида кремния серебряных линейных электродов.

Изобретение относится к устройствам для получения электроэнергии за счет радиоактивного распада атомов. .

Изобретение относится к устройству прямого преобразовании энергии радиохимического бета-распада изотопа в разность потенциалов и предназначено для использования в автономных системах как источник постоянного электрического тока. Устройство содержит полупроводниковую структуру планарного или вертикального исполнения с p-n переходом, радиоизотопный материал с чисто бета-распадом, большим периодом и достаточной активностью полураспада, электрические выводы для коммутации структурных элементов в электрическую цепь, позволяющие управлять характеристиками по току и напряжению; также устройство имеет корпус, обеспечивающий экологическую безопасность использования. В качестве полупроводниковой структуры использована гетероструктура карбида кремния на подложке монокристаллического кремния, причем в молекулярную форму карбида кремния входит радиоизотоп углерод-14. Доля радиоуглеродного изотопа С-14 в структуре карбида кремния по отношению к углероду С-12 составляет от 10-6 до 10-3 . Возможен также вариант с пористой структурой карбида кремния. Техническим результатом является увеличение удельных энергетических характеристик преобразователя в электрическую энергию энергии радиохимического распада углерода-14 при использовании в качестве прямого преобразователя энергии гетероструктуру карбида кремния на подложке кремния. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Наверх