Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом



Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом
Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом
C01P2002/50 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)
B22F2302/25 - Порошковая металлургия; производство изделий из металлических порошков; изготовление металлических порошков (способы или устройства для гранулирования материалов вообще B01J 2/00; производство керамических масс уплотнением или спеканием C04B, например C04B 35/64; получение металлов C22; восстановление или разложение металлических составов вообще C22B; получение сплавов порошковой металлургией C22C; электролитическое получение металлических порошков C25C 5/00)

Владельцы патента RU 2748755:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к технологии получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, который может быть использован в качестве фотокатализатора, активного в видимом диапазоне света. Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (0,01 ≤ x ≤ 0,09) включает получение реакционной смеси, содержащей водный раствор хлорида кобальта гексагидрата и вольфрамата гидрата, добавление раствора соляной кислоты, отделение осадка и сушку, при этом в качестве вольфрамата гидрата используют паравольфрамат аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, взятый по отношению к хлориду кобальта гексагидрату состава CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0,99-0,91) : (0,01-0,09), а реакционную смесь подвергают гидротермальной обработке при температуре 160–200ºС и избыточном давлении 360–617 кПа в течение 20-26 ч. Предлагаемый способ является простым и технологичным и обеспечивает получение допированного кобальтом оксида вольфрама со значительным уменьшением ширины запрещенной зоны, что приводит к повышению фотокаталитической активности материала при облучении видимым светом. 2 ил., 3 пр.

 

Изобретение относится к способу получения материалов на основе оксидов переходных металлов, в частности к способу получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, который может быть использован в качестве фотокатализатора, активного в видимом диапазоне света (S. Sun, X. Chang, Z. Li, Growth study and photocatalytic propertied of Co-doped tungsten oxide mesocrystals // Mater. Charact. 2012. V.73. P. 130-136).

Известен способ получения оксида вольфрама, допированного кобальта, включающий растворение метавольфрамата аммония (NH4)6H2W12O40, нитрата кобальта Co(NO3)2 и диметилимидазола C5H8N2 в молярном соотношении (5÷6) : 1 : 1 в воде, с последующей ультразвуковым диспергированием в течение 1-3 ч и добавлением 1-2 М раствора HCl для установления рН раствора 1-2. Затем реакционный раствор подвергают нагреву в реакторе при температуре 160-180 °С в течение 4-6 дней. Осадок отделяют фильтрацией, промывают водой, спиртом и сушат. Полученный порошок отжигают на воздухе со скоростью нагрева 7-10 град/мин, выдерживая при температуре 500-600 °С в течение 1-2 ч. Полученный материал может быть использован в качестве катодного материала в литиевых источниках тока. (Патент CN106654245, МПК B82Y30/00, H01M10/0525, H01M4/48, 2017 год).

Недостатком известного способа является сложность, обусловленная многостадийностью и длительностью процесса (до 6 дней), использование органического соединения и высокая температура отжига.

Известен способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (x ≤ 0.05), включающий растворение 4.98 г вольфрамовой кислоты H2WO4 в 20 мл раствора гидроксида натрия NaOH, взятых в молярном соотношении 1 : 1, с последующим добавлением при перемешивании раствора хлорида кобальта гексагидрата CoCl2·6H2O с концентрацией кобальта 2-5 мас.%. Затем добавляют соляную кислоту HCl до установления рН раствора 1. Реакционный раствор подвергают нагреву путем использования микроволнового излучения мощностью 180 Вт в течение 10 мин. Полученный осадок желтого цвета отжигают на воздухе при 600 °С в течение 6 ч для формирования кристаллической структуры конечного продукта (Hariharan V., Aroulmoji V., Prabakaran K. et al. Magnetic and electrochemical behaviour of cobalt doped tungsten oxide (WO3) nanomaterials by microwave irradiation method // J. Alloys Comp. 2016. V. 689. P. 41-47). Допирование оксида вольфрама ионами кобальта позволяет увеличить концентрацию кислородных вакансий в материале, что приводит к понижению ширины запрещенной зоны с 2.8 эВ для недопированного оксида вольфрама до 2.5 эВ для допированного оксида вольфрама состава W0.95Co0.05O3 (X. Chang, S. Sun, X. Xu, Z. Li, Synthesis of transition metal-doped tungsten oxide nanostructures and their optical properties // Mater. Lett. 2011. V. 65. P. 1710–1712; P. Sivakarthik, V. Thangaraj, M. Parthibavarman, A facile and one-pot synthesis of pure and transition metals (M = Co & Ni) doped WO3 nanoparticles for enhanced photocatalytic performance // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2017. V. 28. P. 5990–5996).

Недостатком известного способа является сложность, обусловленная использованием оборудования с микроволновым нагревом, а также необходимостью применения дополнительного отжига. Кроме того, материал, полученный известным способом, имеет достаточно большую ширину запрещенной зоны.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (x ≤ 0.08), включающий растворение вольфрамата натрия дигидрата Na2WO4·2H2O и хлорида кобальта гексагидрата CoCl2·6H2O в воде, взятых в молярном соотношении 1 : (0.01÷0.08), с последующим добавлением при перемешивании хлорида натрия NaCl и соляной кислоты HCl до установления рН раствора 1. Затем реакционный раствор подвергают нагреву на плите в течение 1 ч. Осадок отделяют центрифугированием, промывают водой и сушат при 80 °С. Полученный порошок отжигают на воздухе при 300 °С в течение 2 ч. Значение оптической ширины запрещенной зоны для образца W1-xCoxO3 (x = 0.08), рассчитанное по измерению спектра отражения, равно 2.49 эВ (F. Mehmood, J. Iqbal, T. Jan, A. Gul, Q. Mansoor, R. Faryal, Structural, photoluminescence, electrical, anti cancer and visible light driven photocatalytic characteristics of Co doped WO3 nanoplates //Vibrational Spectroscopy 2017. V. 93. P. 78-89).

Недостатком известного способа является необходимость проведения дополнительного отжига, а также материал, полученный известным способом, имеет достаточно большую ширину запрещенной зоны.

Таким образом, перед авторами стояла задача разработать способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, исключив необходимость дополнительного отжига, обеспечивающий значительное уменьшение ширины запрещенной зоны.

Поставленная задача решена в предлагаемом способе получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (0.01 ≤ x ≤ 0.09), включающем получение реакционной смеси, содержащей водный раствор хлорида кобальта гексагидрата и вольфрамата гидрата, добавление раствора соляной кислоты, отделение осадка и сушку, в котором в качестве вольфрамата гидрата используют паравольфрамат аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, взятый по отношению к хлориду кобальта гексагидрату состава CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0.99÷0.91) : (0.01÷0.09), а реакционную смесь подвергают гидротермальной обработке при температуре 160–200 ºС и избыточном давлении 360–617 кПа в течение 20-26 ч.

В настоящее время из патентной и научно-технической литературы не известен одностадийный способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (0.01 ≤ x ≤ 0.09) с использованием в качестве вольфрамата гидрата паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O в предлагаемых авторами условиях осуществления гидротермального синтеза.

В настоящее время известные способы получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, обеспечивают некоторое уменьшение ширины запрещенной зоны, что приводит к повышению фотокаталитической активности материала при облучении видимым светом, так как при введении иона-допанта в матрицу триоксида вольфрама создаются благоприятные условия для образования пары электрон-дырка под действием фотона видимого света. Результаты анализа существующих технологий показали, что оксид вольфрама, допированный кобальтом, полученный одним из известных способов имеет орторомбическую кристаллическую решетку (оксид вольфрама, допированный кобальтом состава W1-xCoxO3 (x ≤ 0.05) характеризуется орторомбической сингонией (JCPDS 43-0679) (Hariharan V., Aroulmoji V., Prabakaran K. et al. Magnetic and electrochemical behaviour of cobalt doped tungsten oxide (WO3) nanomaterials by microwave irradiation method // J. Alloys Comp. 2016. V. 689. P. 41-47; оксид вольфрама допированный кобальтом, состава W1-xCoxO3 (x ≤ 0.08) характеризуется орторомбической сингонией с параметрами элементарной ячейки a = 7.297 Å, b = 7.539 Å, c = 7.688 Å. (F. Mehmood, J. Iqbal, T. Jan, A. Gul, Q. Mansoor, R. Faryal, Structural, photoluminescence, electrical, anti cancer and visible light driven photocatalytic characteristics of Co doped WO3 nanoplates //Vibrational Spectroscopy 2017. V. 93. P. 78-89).

Исследования авторов были направлены на определения структурных особенностей кристаллической решетки получаемого оксида вольфрама, допированного кобальтом, которые обеспечили бы уменьшение запрещенной зоны, тем самым повысив каталитическую активность материала. Исследования, проведенные авторами, позволили сделать вывод, что фактором, позволяющим уменьшить ширину запрещенной зоны, является синтез оксида вольфрама, допированного кобальтом, кристаллизующегося в гексагональной сингонии. Гексагональный тип кристаллической структуры оксида вольфрама, допированного ионами кобальта, (пр. гр. P63/mcm) является наиболее эффективным, так как характеризуется более высокой реакционной способностью по сравнению с термодинамически стабильной орторомбической модификацией, что благоприятно сказывается при адсорбции на поверхности оксида вольфрама, допированного ионами кобальта, молекул воды, кислорода или гидроксильных групп. Последние, реагируя с парой электрон-дырка, образуют высоко активные радикалы такие как ОН, О2-, ООН, участвующие в реакции фотокатализа. Таким образом, создание условий для кристаллизации оксида вольфрама, допированного кобальтом, в гексагональной сингонии, а также создание структурных дефектов, концентрация которых пропорциональна содержанию иона-допанта, приводят к уменьшению ширины запрещенной зоны материала. В связи с чем, исследования авторов были направлены на разработку технологических условий получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, кристаллическая решетка которого характеризуется гексагональной сингонией. Такими условиями являются использование в качестве исходного соединения паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, и проведение термообработки реакционной массы в гидротермальных условиях. Использование паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, в структуре которого имеется протонированный анион с высокой степенью полимеризации, обеспечивает возможность получения оксида вольфрама с содержанием ионов кобальта как допантов в широких пределах, обеспечивая получения кристаллической решетки с гексагональной сингонией, что в свою очередь приводит к существенному уменьшению ширины запрещенной зоны. При этом появляется возможность формирования хорошо окристаллизованного порошка конечного продукта оксида вольфрама, допированного кобальтом, без проведения кальцинирования промежуточного продукта. Следует отметить, что дополнительный высокотемпературный отжиг, как правило, применяется для получения соединений с упорядоченной кристаллической структурой. В противном случае образуется аморфная или слабо окристаллизованная фаза.

Авторами экспериментальным путем было установлено, что существенным фактором, определяющим состав и структуру конечного продукта, является использование паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O и хлорида кобальта гексагидрата CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0.99÷0.91) : (0.01÷0.09). При уменьшении молярного соотношения исходных компонентов реакционной массы в продуктах реакции наблюдается в качестве примеси оксид вольфрама WO3. При увеличении молярного соотношения исходных компонентов реакционной массы дополнительно с основной фазой W0.91Co0.09O3 образуются вольфрамат кобальта состава CoWO4. При уменьшении температуры гидротермальной обработки ниже 160 ºС и избыточного давления ниже 360 кПа образуется рентгеноаморфная фаза. Также при повышении температуры гидротермальной обработки выше 200 ºС и избыточного давления выше 617 кПа в конечном продукте появляются в качестве примесной фазы оксид вольфрама WO3.

Предлагаемый способ может быть осуществлен следующим образом. Берут порошок паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O растворяют в воде. Полученный раствор при перемешивании добавляют к раствору хлорида кобальта гексагидрату CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0.99÷0.91) : (0.01÷0.09). К полученной смеси по каплям добавляют 1М раствор соляной кислоты до установления рН раствора 2. Полученную реакционную массу помещают в автоклав, подвергая гидротермальной обработке при температуре 160–200 °С и избыточном давлении 360–617 кПа в течение 20–26 ч. Полученный продукт фильтруют, промывают водой и сушат на воздухе при 50 °С. Аттестацию конечного продукта проводят с помощью рентгенофазового анализа (РФА). Концентрацию кобальта в конечном продукте определяют методом атомно-эмиссионной спектроскопии. Ширину запрещенной зоны определяют оптическим методом, по уравнению α(hν) = [A(hν - Eg)2], где α – коэффициент поглощения, hν – энергия фотона, Eg – оптическая ширина запрещенной зоны, А – постоянная, не зависящая от частоты ν, n = 2 для непрямых разрешенных переходов, путем экстраполяции линейного участка зависимости (αhν)1/2 = f (Eg) на ось абсцисс, построенной на основании спектров поглощения в УФ и видимом диапазонах.

На фиг. 1 представлены экспериментальные рентгенограммы оксида вольфрама, допированного кобальтом, и позиции дифракционных линий на теоретической дифрактограмме оксида вольфрама WO3, построенные по данным ICSD №80635.

На фиг. 2 представлены спектральные зависимости оптического поглощения оксида вольфрама, допированного кобальтом, в координатах (αhν)1/2 = f (Eg).

Предлагаемый способ иллюстрируется следующими примерами.

Пример 1. Берут 1.0 г порошка паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O и 0.00921 г порошка хлорида кобальта гексагидрата CoCl2·6H2O (молярное соотношение в пересчете на металл W : Co = 0.99 : 0.01) и растворяют в 50 мл дистиллированной воды. К полученной смеси по каплям добавляют 1М раствор соляной кислоты до установления рН раствора 2. Затем гомогенную массу подвергают гидротермальной обработке при температуре 160 °С и избыточном давлении 617 кПа в течение 24 ч. Полученный продукт фильтруют, промывают водой и сушат на воздухе при 50 °С. На фиг.1 представлена рентгенограмма W0.99Co0.01O3. По данным РФА полученный продукт однофазный, имеет состав W0.99Co0.01O3, кристаллизуется в гексагональной сингонии (пр. гр. P63/mcm) с параметрами кристаллической решетки a = 7.314 Å, c = 7.610 Å. На фиг. 2 представлена спектральная зависимость оптического поглощения W0.99Co0.01O3 в координатах (αhν)1/2 = f (Eg). Значение оптической ширины запрещенной зоны для W0.99Co0.01O3 составляет 1.72 эВ.

Пример 2. Берут 1.0 г порошка паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O и 0.0582 г порошка хлорида кобальта гексагидрата CoCl2·6H2O (молярное соотношение в пересчете на металл W : Co = 0.94 : 0.06) и растворяют в 50 мл дистиллированной воды. К полученной смеси по каплям добавляют 1М раствор соляной кислоты до установления рН раствора 2. Затем гомогенную массу подвергают гидротермальной обработке при температуре 180 °С и избыточном давлении 617 кПа в течение 20 ч. Полученный продукт фильтруют, промывают водой и сушат на воздухе при 50 °С. По данным РФА полученный продукт однофазный, имеет состав W0.94Co0.06O3, кристаллизуется в гексагональной сингонии (пр. гр. P63/mcm) с параметрами кристаллической решетки a = 7.325 Å, c = 7.604 Å. Значение оптической ширины запрещенной зоны для W0.94Co0.06O3 составляет 1.67 эВ.

Пример 3. Берут 1.0 г порошка паравольфрамата аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O и 0.0901 г порошка хлорида кобальта гексагидрата CoCl2·6H2O (молярное соотношение в пересчете на металл W : Co = 0.91 : 0.09) и растворяют в 50 мл дистиллированной воды. К полученной смеси по каплям добавляют 1М раствор соляной кислоты до установления рН раствора 2. Затем гомогенную массу подвергают гидротермальной обработке при температуре 200 °С и избыточном давлении 617 кПа в течение 26 ч. Полученный продукт фильтруют, промывают водой и сушат на воздухе при 50 °С По данным РФА полученный продукт однофазный, имеет состав W0.91Co0.09O3, кристаллизуется в гексагональной сингонии (пр. гр. P63/mcm) с параметрами кристаллической решетки a = 7.316 Å, c = 7.619 Å. На фиг. 2 представлена спектральная зависимость оптического поглощения W0.91Co0.09O3 в координатах (αhν)1/2 = f (Eg). Значение оптической ширины запрещенной зоны для W0.91Co0.09O3 составляет 1.63 эВ.

Таким образом, авторами предлагается простой и технологичный способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, состава W1-xCoxO3 (0.01 ≤ x ≤ 0.09), обеспечивающий значительное уменьшение ширины запрещенной зоны.

Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, включающий получение реакционной смеси, содержащей водный раствор хлорида кобальта гексагидрата и вольфрамата гидрата, добавление раствора соляной кислоты, отделение осадка и сушку, отличающийся тем, что в качестве вольфрамата гидрата используют паравольфрамат аммония гидрата состава (NH4)10(H2W12O42)·4H2O, взятый по отношению к хлориду кобальта гексагидрату состава CoCl2·6H2O в молярном соотношении в пересчете на металл W : Co = (0,99-0,91) : (0,01-0,09), а реакционную смесь подвергают гидротермальной обработке при температуре 160–200ºС и избыточном давлении 360–617 кПа в течение 20-26 ч.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из растворов за счет химического превращения растворителя. Способ получения монокристаллов органо-неорганического комплексного галогенида (ОНКГ) состава AnBX(nz+k), где z = 1-2, k = 2-4, 0<n≤4, включает: А) приготовление растворной композиции, содержащей по меньшей мере, один полярный растворитель (S), растворимость ОНКГ в котором равна (С, T1); реагент (М), взятый в количестве, обеспечивающем мольное соотношение M/S от 0,05 до 15, для химической реакции с растворителем S, продуктом которой является по меньшей мере одно газообразное или жидкофазное соединение, или их смесь (S1), растворимость ОНКГ в котором равна (C1, T1), где C1<C; компоненты ОНКГ, в качестве которых используют органический катион Az+ или неорганический катион, выбранный из катионов аммония (NH4+), цезия (Cs+) или рубидия (Rb+) или их смесь; поливалентный катион металла Bk+; галогенид или псевдогалогенид ион X-, при этом в растворной композиции концентрация [Az+] составляет от 0.1 М до 7М, концентрация [Bk+] составляет от 0.1М до 3.5М, концентрация [X-] составляет от 0.2М до 10 М, а растворная композиция имеет концентрацию ОНКГ, равную или меньшую растворимости ОНКГ (C1, T1) в растворе с данным соотношением M/S; Б) выдерживание полученной композиции при постоянной температуре Т1 до достижения химической конверсии по меньшей мере 10% S в S1, обеспечивающей формирование монокристаллов ОНКГ.

Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов, в частности, группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики.

Изобретение относится к области выращивания моно- и поликристаллов кварца для синтеза оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца, в том числе допированных германием, для радиоэлектронной, оптоэлектронной и акустоэлектронной техники, и для получения окрашенных монокристаллов и друз для использования в камнерезном и ювелирном деле.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего уровня 11, каждая из кристаллизационных установок 1 каждого блока кластера нижнего уровня 11 подключена к блоку индикации и управления 13 кристаллизационными установками 1 нижнего уровня 11, снабженному одним или более контроллером 14 и одним или более средством индикации функционирования 15 кристаллизационных установок блока, входящих в кластер, и коммутатором 16 нижнего уровня, совокупность кластеров нижнего уровня 11 образует кластер верхнего уровня 12, содержащий, например, десять кластеров нижнего уровня 11, каждый из коммутаторов 16 блока индикации и управления 13 кристаллизационных установок 1 нижнего уровня 11 подключен к коммутатору 17 верхнего уровня, который подключен к центральному серверу 18 и автоматизированным рабочим местам 19, служащим для загрузки и редактирования технологической программы в каждую кристаллизационную установку 1 и контроля за функционированием кластеров нижнего уровня 11, входящих в состав кластера верхнего уровня 12 любой из кристаллизационных установок 1, входящих в кластер 11.

Изобретение относится к материалам для сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам гамма- и альфа-излучений в приборах для экспресс-диагностики в медицине, промышленности, космической технике и ядерной физике.

Изобретение относится к технологическим процессам, касающимся выделения из растворов солей в виде кристаллической массы, и предназначено для нереагентного изменения способности кристаллогидратов металлов регулировать инициирование зародышей и таким образом управлять числом зародышей и размерами выделяющихся кристаллов..

Изобретение относится к скоростному росту кристаллов из раствора. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора содержит герметичный кристаллизатор 3, установленную внутри него ростовую камеру 1 прямоугольного сечения с затравочным кристаллом 2 и систему подачи раствора к кристаллу 2, включающую неперемещающийся насос 5 для подачи насыщенного раствора в зону роста кристалла 2 и расположенную над растущей поверхностью кристалла 2 пластину 6, выполненную с возможностью возвратно-поступательного движения в вертикальном направлении и постепенного движения вверх по мере роста кристалла, имеющую ширину и длину меньше ширины и длины ростовой камеры 1, так что между пластиной 6 и стенками камеры 1 есть щели, соединенную с приводом 7 не менее чем одной штангой 8 изменяемой длины с узлом крепления 9 к пластине 6, позволяющим изменять угол между пластиной 6 и штангой 8.

Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров.

Изобретение относится к кристаллическим коллоидным массивам, используемым в качестве материалов, рассеивающих излучение. Описана композитная, отражающая и поглощающая излучение композиция, включающая множество коллоидных кристаллов или агрегатов коллоидных кристаллов, где каждый упомянутый кристалл содержит отражающие излучение частицы в виде коллоидного массива и поглощающие излучение частицы, диспергированные в кристаллах.

Изобретение относится к технологии выращивания водорастворимых оптических монокристаллов группы дигидрофосфата калия (KDP), которые могут быть использованы, например, при изготовлении активных элементов параметрических преобразователей лазерного излучения для квантовой оптики.

Изобретение относится к области выращивания моно- и поликристаллов кварца для синтеза оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца, в том числе допированных германием, для радиоэлектронной, оптоэлектронной и акустоэлектронной техники, и для получения окрашенных монокристаллов и друз для использования в камнерезном и ювелирном деле.
Наверх