Способ создания структурированного рентгеновского экрана



Способ создания структурированного рентгеновского экрана
Способ создания структурированного рентгеновского экрана
Способ создания структурированного рентгеновского экрана

Владельцы патента RU 2757299:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки, Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) (RU)

Изобретение относится к способам формирования структурированного рентгеновского экрана, с помощью которого изображение, переданное в рентгеновских или гамма-лучах, становится контрастным в оптическом диапазоне спектра, и предназначенного для регистрации рентгеновского или гамма-излучения. Технический результат - повышение однородности свечения по площади структурированного экрана. В способе формирования структурированного сцинтиллятора исходный слой гомогенного блочного люминофора структурируют рентгеновским лучом, модулированным по интенсивности рентгеновской маской, непосредственно в кювете с растворителем, а затем заполняют высвобожденное от люминофора пространство металлом. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к способам получения люминофорных покрытий, посредством которых преобразуется изображение, полученное в рентгеновских или гамма-лучах, а именно к способам формирования структурированного сцинтиллятора, который обладает пространственным разрешением, сравнимым с пространственным разрешением принимающего его люминесцентное излучение фотоприемника, в целях повышения чувствительности методов томографии и маммографии.

Изобретение относится к способам создания слоев люминофора (или сцинтиллятора), профилированных по регулярному принципу в плоскости слоя, и может быть использовано при изготовлении экранов, чувствительных к рентгеновскому и гамма-излучению, в целях конверсии последних в видимое излучение с пространственным разрешением по площади экрана лучше 100 мкм.

Непосредственно фотодетектор обладает высокой чувствительностью к видимому излучению, однако к рентгеновскому излучению, как правило, нечувствителен, либо защищен от попадания прямых рентгеновских или гамма-лучей лучей вследствие быстрой деградации при взаимодействии с потоком ионизирующего (к данному классу относится рентгеновское и гамма-излучение) излучения. Для преобразования рентгеновского изображения в видимое используются люминесцентные экраны, которые строятся на основе слоев люминофора. Толщина люминофора достаточно большая, чтобы поглотить большую часть первичного излучения. Люминесцентное излучение экрана принимается фотоприемником. Однако вследствие изотропного распределения люминесцентного излучения и рассеяния его на неоднородностях слоя, пространственное разрешение не может быть лучше, чем толщина слоя люминофора, что значительно превышает размер отдельной чувствительной площадки детектора - пиксела. Для повышения пространственного разрешения без потери эффективности люминофора применяют структурированные люминофоры.

Известны способы изготовления структурированных экранов заполнением массивов полых микроканалов люминофором при температуре, близкой к температуре плавления йодида цезия [U.L. Olsen, X. Badel, J. Linnros, M. DiMichiel, T. Martin, S. Schmidt, H.F. Poulsen, Development of a high-efficiency high-resolution imaging detector for 30-80 keV X-rays, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, V. A576 (2007) p. 52-55]. Недостатком данного технического решения является неоднородное заполнение каналов, наличие пор и трещин в объеме люминофора, приводящих к различной величине инициируемого в канале света, рассеянию флуоресцентного излучения и последующему его поглощению на большой длине заполненного канала.

Для улучшения однородности объема люминесцирующего материала, элементы люминофора, соответствующие размеру пиксела детектора выращивают эпитаксиально [I. Fujiedat, G. Cho, J. Drewery, T. Gee, T. Jing, S.N. Kaplan, V. Perez-Mendez, D. Wildermuth, X-ray and Charged Particle Detection with CsI(T1) Layer Coupled to a-Si:H Photodiode Layers, IEEE Transactions on nuclear science, V. 38, N. 2 (1991) p. 255-262] либо капельным способом (Д.А. Супонников, А.Н. Путилин, А.Р. Дабагов, Способ формирования структурированного сцинтиллятора на поверхности пикселированного фотоприемника (варианты) и сцинтилляционный детектор, полученный данным способом (варианты), Патент RU 2532645 С1, Приоритет от 29.04.2013), однако такие процессы осаждения подчиняются случайному закону и слой люминофора растет с различной скоростью или имеет случайного вида дефекты, что сказывается на качестве изображения на экране детектора.

Наиболее близким к заявляемому является способ фрезеровки с помощью мощного луча лазера первоначально нанесенных сплошных слоев люминофора [A. Karellas, Structured scintillator screens, Patent 5519227, 21.05.1996]. Недостатком способа является переосаждение продуктов абляции на слой люминофора, в том числе в швы между уже разделенным на пикселы люминофором, вызывая перекрытие излучения соседних пикселов и паразитное рассеяние излучения на развитой поверхности слоя люминофора.

Сущность изобретения заключается в формировании бездефектного или с единичным количеством дефектов массива люминесцирующих структур с целью прямого воспроизведения рентгеновских 2D - изображений с пространственным разрешением лучше 100 мкм для их последующего анализа.

Поставленная задача решается путем непосредственного структурирования исходного блока гомогенного материала - рентгеновского люминофора. Толщина блока задается требуемой высотой структур (длиной оптического пути рентгеновского излучения в люминесцирующем материале). С целью структурирования материал подвергается облучению рентгеновским излучением через рентгеновскую маску, содержащую рисунок в поглощающем рентгеновское излучение слое, который необходимо перенести в люминофор. Поглощающий слой на рентгеновской маске выполняется как правило, из тяжелого металла, например, золота, вольфрама, свинца.

Таким образом, под действием рентгеновского излучения под открытыми частями рентгеновской маски происходит деструкция блочного материала.

В качестве растворителя предлагается использовать ацетон, скорость растворения необлученного йодида цезия, выбранного в качестве люминофора, в котором незначительна.

Техническим результатом, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков, является локальное удаление материала из исходного блока люминофора(сцинтиллятора) только в облученной области или облученных областях. Затем вскрытые участки блока люминофора(сцинтиллятора) заполняются металлом, например, методом гальванического осаждения так, что металлические перемычки являются преградой для распространения вторичного ионизирующего, так и видимого люминесцентного излучения.

Техническая реализация предложенного «Способа создания структурированного рентгеновского экрана» предполагает использование металлической кюветы, заполненной растворителем и имеющей тепловой контакт с внешним охлаждающим устройством (холодильником). Кювета перемещается возвратно-поступательно относительно неподвижного рентгеновского луча в целях достижения равномерной дозы по площади сканирования и стабилизации температуры растворителя в объеме кюветы.

На Фиг. 1 представлен общий вид кюветы с растворителем, в который погружена кассета с блоком монолитного люминофора (сцинтиллятора) и рентгеновской маской, находящейся под действием рентгеновского излучения (1). Блок йодида цезия (2) прикрепляется диффузионной сваркой к подложке, которая фиксируется в держателе-кассете (3). Затем, с противоположной стороны блока, к кассете (3) прикрепляется рентгеновская маска (4), после чего кассета помещается в кювету (5), оснащенную холодильником (6) для поддержания температуры, и фиксируется к ее боковым стенкам с помощью винтов. Затем кювета (5) заполняется растворителем (7) так, чтобы кассета (3) была полностью погружена в растворитель (7), что способствует улучшению конвекции раствора, задаваемого перемешивателем (8). Холодильник охлаждается потоком теплоносителя (9). Затем кювета ориентируется в пучке рентгеновского излучения и закрепляется на подвижном столике.

На Фиг. 2 изображен фрагмент рентгеновского экрана со структурированным люминофором из йодида цезия (2) и металлическими перегородками (10), которые наносятся методом гальванического осаждения на стартовый слой (11), находящийся на рентгенопрозрачной подложке (12).

1. Способ создания структурированного рентгеновского экрана путем удаления не закрытых рентгеновской маской участков материала воздействием электромагнитного излучения, отличающийся тем, что процесс структурирования проводят в заполненной растворителем кювете, лицевая стенка которой выполнена из тонкого слабо поглощающего рентгеновское излучение материала или содержит рентгенопрозрачное окно, а внутри кюветы располагается рентгеновская маска на небольшом расстоянии от лицевой стенки, чтобы поглощение рентгеновского излучения в зазоре, заполненном растворителем, не превышало 10% падающей мощности, а также блок структурируемого люминофора (или сцинтиллятора) и устройство перемешивания растворителя, причем в качестве электромагнитного излучения используют жесткое рентгеновское излучение.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорость удаления материала люминофора (или сцинтиллятора) варьируется изменением мощности падающего рентгеновского излучения.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорость удаления материала люминофора (или сцинтиллятора) варьируется изменением спектра падающего рентгеновского излучения.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что задняя стенка кюветы охлаждается водой с пониженной температурой или охлажденным газом (например, азотом).

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кювета с растворителем, маской и структурируемым люминофором (или сцинтиллятором) сканируется относительно неподвижного источника рентгеновского излучения для увеличения обрабатываемой площади.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике, в частности к приборам и устройствам для термообработки материалов и изделий в вакууме и может быть использовано в конструкции электронно-лучевой пушки для плавки тугоплавких металлов. Технический результат - повышение надежности и увеличение ресурса работы катодно-подогревательного узла, повышение степени равномерности плотности электронного пучка с основного катода электронного накала.

Изобретение относится к области генерации низкотемпературной неравновесной аргоновой плазмы при атмосферном давлении и может быть использовано при создании источников холодной плазмы на основе слаботочного поверхностного разряда в аргоне атмосферного давления с диэлектрическим барьером на аноде, как одного из эффективных способов модификации поверхностных свойств биосовместимых полимеров, в частности, политетрафторэтилена, методом плазменной обработки.

Изобретение относится к прямонакальным молекулярно-напыленным оксидным катодам (МНОК), применяемым в электронной технике в электровакуумных приборах СВЧ, а именно в циклотронных защитных устройствах (ЦЗУ). Молекулярно-напыленный оксидный катод содержит керн из тугоплавкого металла или его сплава, покрытый пленкой, выполненной из металла платиновой группы или его сплава, с нанесенным на нее термоэмиссионным покрытием, причем керн одним концом соединен с подогревателем, выполненным из тугоплавкого металла или его сплава, и снабжен выводами-держателями.

Изобретение относится к области электротехники, приборам вакуумной электроники, а именно к способу изготовления автоэмиссионных катодов на основе сборки из двух (шеврон) или трех (Z-сборка) микроканальных пластин (МКП). Способ изготовления катода на основе микроканальных пластин включает формирование катодной структуры нанесением углеродного слоя на поверхность первой МКП сборки, содержащей большое число микроструктур с каналами.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению мелкодисперсного порошка интерметаллида Рd5Ва. Может использоваться для изготовления катодов.
Изобретение относится к области фотоэлектронных приборов и может быть использовано для изготовления полупрозрачных фотокатодов для быстродействующих фотоэлектронных умножителей, электронно-оптических преобразователей с функцией запирания фотокатода, работающих в импульсном режиме в видимой, и/или в ближней ультрафиолетовой, и/или в ближней инфракрасной областях спектра оптического излучения.

Изобретение относится к физике плазмы и антенной технике. Технический результат заключается в расширении арсенала технических средств, используемых в качестве приемо-передающих антенн.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде.

Способ получения электрического тока относится к области электротехники и может быть использован для промышленного производства электроэнергии. Электроэнергию получают путем создания между эмиттером и анодом электровакуумного прибора, содержащего эмиттер, коллектор и анод, электростатического поля, с помощью которого совместно вызывают автоэлектронную эмиссию и перемещают образовавшийся поток электронов от эмиттера к коллектору, а возникающую при этом разность потенциалов между коллектором и эмиттером используют для получения постоянного тока в подключенной к ним цепи полезной нагрузки.

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных приборов, в частности холодных катодов моноблочных газовых лазеров. Технический результат, заключающийся в расширении области применения способа с целью обеспечения повышенной стабильности характеристик катода в процессе эксплуатации моноблочных газовых лазеров, достигается в способе, согласно которому холодный катод газового лазера и составной анод устанавливают в резонатор кольцевого лазера, производят напайку на вакуумный пост, формируют тлеющий разряд постоянного тока между составным анодом и холодным катодом и производят ионное травление и окисление холодного катода с целью тренировки и стабилизации рабочих свойств холодного катода, при этом в качестве материала холодного катода используют сплав А1 Д16, а ионное травление и окисление холодного катода производят при давлении 170 Па в кислороде в течение десяти перенаполнений по пять минут при общем токе на холодном катоде 8 мА.

Изобретение относится к керамическому материалу (14) для генерации света при облучении излучением, при этом керамический материал содержит пакет слоев (15, 16) с различными составами и/или разными профилями легирования. Керамический материал может быть использован в спектральном детекторе для компьютерной томографии для обнаружения спектральным образом рентгеновских лучей.
Наверх