Способ определения суперрезонанса на модах ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы

Настоящее изобретение относится к оптике. Способ определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы заключается в изготовлении сферической диэлектрической частицы из прозрачного материала для используемого излучения, облучении диэлектрической частицы лазерным излучением. При этом облучение диэлектрической частицы осуществляют перестраиваемым источником излучения, формируют освещающую волну с плоским волновым фронтом, регистрируют электромагнитное излучение в горячих точках вокруг полюсов сферы вдоль направления распространения излучения, преобразуют регистрируемое излучение в электрический сигнал и определяют суперрезонанс мод Ми высокого порядка по уровню максимального сигнала при различных длинах волн освещающего излучения. Технический результат - возможность определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферических диэлектрических частиц различных диаметров. 2 ил.

 

Настоящее изобретение относится к определению суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы и может быть использовано для поверхностного усиления комбинационного рассеяния, поверхностного усиления поглощения, генерации фотонно-магнитных наноструй, разработки магнитных нанодвигателей с гигантскими магнитными полями, в различных датчиках для измерения показателя преломления, температуры, плотности и т.д.

Диэлектрические сферы с определенными параметрами размера и изготовленные из материала с малыми потерями, например, стекла, кварца, фторопласта, могут стимулировать гигантскую напряженность поля в сингулярностях, а затем образовывать две круглые горячие точки вокруг полюсов сферы и поддерживать так называемые «суперрезонансные моды» [Z. B. Wang, B. Luk’yanchuk, L. Yue, B. Yan, J. Monks, R. Dhama, O. V. Minin, I. V. Minin, S. M. Huang, and A. A. Fedyanin, High order Fano resonances and giant magnetic fields in dielectric microspheres, // Scientific Reports 9, 20293 (2019); L. Yue, B. Yan, J. N. Monks, R. Dhama, C. Jiang, O. V. Minin, I. V. Minin, and Z. Wang. Full three-dimensional Poynting vector analysis of great field-intensity enhancement in a specifically sized spherical-particle. // Sci Rep 9, 20224 (2019); L. Yue, Z. Wang, B. Yan, J. Monks, Y. Joya, R. Dhama, O.V. Minin, and I. V. Minin, Super-Enhancement Focusing of Teflon Spheres // Ann. Phys. (Berlin) 532, 2000373 (2020)], что отличается от других типов резонансов [Conwell, P., Barber, P., Rushforth, C. Resonant spectra of dielectric spheres, // J. Opt. Soc. Am. A, 1(1), 62 (1984); P. Chýlek, J. D. Pendleton, and R. G. Pinnick, Internal and near-surface scattered field of a spherical particle at resonant conditions, // Appl. Opt. 24, 3940-3942 (1985); Y. Duan, G. Barbastathis, and B. Zhang, Classical imaging theory of a microlens with super-resolution, // Opt. Lett. 38, 2988-2990 (2013); S. Zhou, Y. Deng, W. Zhou, M. Yu, H. P. Urbach, Y. Wu. Effects of whispering gallery mode in microsphere super resolution imaging. // Appl. Phys. B 123, 236 (2017)] в таких частицах.

Напряженность электромагнитного поля в горячих точках внутри сферы может на несколько порядков, примерно на 103–1010, превышать напряженность электромагнитного поля в освещающей волне. Особенностью этого типа резонанса является то, что величина напряженности магнитного поля существенно превышает величину напряженности электрического поля в горячих точках.

Этот суперрезонанс связан с внутренними модами Ми высокого порядка и имеет место при определенных значениях параметра размера частиц q (определяемого как q = 2nR/λ, где R – радиус частицы, а λ – длина волны излучения), показателя преломления сферической частицы, зависит от ее сферичности и т.д., которые могут быть непосредственно получены из строгой аналитической теории Ми [Mie, G. Beiträge zur optik trüber medien, speziell kolloidalermetallösungen, // Ann. Phys. 330, 3, 377-445 (1908)].

Эффект суперрезонансных мод Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы способствует явлениям усиления поля, таким как поверхностное усиление комбинационного рассеяния, поверхностное усиление поглощения и другие. Возможно появление магнитных нанодвигателей с гигантскими магнитными полями, которые могут быть привлекательны для многих фотонных приложений, открывает новые возможности во многих современных приложениях, таких как генерация фотонно-магнитных наноструй и т.д.

Известен способ определения напряженности поля для частицы на подложке по патенту US 20080284446, «Determination of field distribution», включающий создание падающей волны, определение электрического вектора поля и магнитного вектора поля внутри и снаружи частицы и определение дополнительных рассеянных полей внутри и снаружи частицы из-за отражения падающей волны из подложки. Напряженности электрического вектора поля и магнитного вектора поля определяются на основе расчета по теории Ми. Метод позволяет получить три компонента электрического и магнитного векторов в любой точке внутри или снаружи частицы.

Недостатком способа является то, что он применим только для математического моделирования явления рассеяния электромагнитной волны на сферической частице расположенной на подложке и не применим для натурного исследования явления суперрезонанса.

Известен способ определения суперрезонансных мод Ми высокого порядка в сферической диэлектрической частице, заключающийся в облучении электромагнитным излучением сферической диэлектрической мезоразмерной частицы, определения электрического вектора поля и магнитного вектора поля внутри и снаружи частицы на основе расчета по теории Ми, подбора диаметра диэлектрической частицы до появления суперрезонансных мод Ми с максимальными уровня напряженности электрического и магнитного полей [Z. B. Wang, B. Luk’yanchuk, L. Yue, B. Yan, J. Monks, R. Dhama, O. V. Minin, I. V. Minin, S. M. Huang, and A. A. Fedyanin, High order Fano resonances and giant magnetic fields in dielectric microspheres, // Scientific Reports 9, 20293 (2019); L. Yue, B. Yan, J. N. Monks, R. Dhama, C. Jiang, O. V. Minin, I. V. Minin, and Z. Wang. Full three-dimensional Poynting vector analysis of great field-intensity enhancement in a specifically sized spherical-particle. // Sci Rep 9, 20224 (2019); L. Yue, Z. Wang, B. Yan, J. Monks, Y. Joya, R. Dhama, O.V. Minin, and I. V. Minin, Super-Enhancement Focusing of Teflon Spheres // Ann. Phys. (Berlin) 532, 2000373 (2020)].

Недостатком способа является то, что он применим только для математического моделирования явления рассеяния электромагнитной волны на сферической частице и не применим для натурного исследования явления суперрезонанса в сферических диэлектрических мезоразмерных частицах.

Известно применение сферических однородных частиц для лазерной очистки поверхности материалов [Y. W. Zheng, B. S. Luk’yanchuk, Y. F. Lu, W. D. Song, and Z. H. Mai. Dry laser cleaning of particles from solid substrates: Experiments and theory // J. of Applied Physics, Vol. 90, N 5, 1 Sept. 2001, р. 2135; Y. F. Lu, L. Zhang, W. D. Song, Y. W. Zheng, and B. S. Luk’yanchuk, Laser writing of a subwavelength structure on silicon (100) surfaces with particle enhanced optical irradiation // JETP Lett. 72(9), 457–459 (2000); Luk’yanchuk, B.S., Zheng, Y.W., and Lu, Y.F. (2000). Laser cleaning of solid surface: optical resonance and near-field effects // In High-Power Laser Ablation III (Proc. SPIE 4065), pp. 4012– 4065]. В этом способе изготовленные микросферы близких диаметров из прозрачного материала для данного диапазона длин волн излучения, располагались в виде монослоя частиц на прозрачной для излучения подложке и облучались лазерным излучением. Гигантское усиление напряженности поля (возбуждении суперрезонансных мод Ми высокого порядка и формирование горячих точек) внутри диэлектрических сфер определенных размеров проявлялось в виде внутреннего взрыва частиц определенного диаметра.

В качестве прототипа выбран способ наблюдения явления суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы, заключающийся в изготовлении микросфер близких диаметров из прозрачного материала для данного диапазона длин волн излучения и облучения их лазерным излучением [Zengbo Wang, Boris Luk’yanchuk, Liyang Yue, Ramón Paniagua-Domínguez, Bing Yan, James Monks, Oleg V. Minin, Igor V. Minin, Sumei Huang and Andrey A. Fedyanin. Super-resonances in microspheres: extreme effects in field localization // Published 23 June 2019, Physics arXiv: Optics esearchgate.net]. Возбуждение суперрезонансных мод Ми высокого порядка и формирование горячих точек внутри диэлектрических сфер определенных размеров проявлялось в виде гигантского усиления напряженности поля (возбуждении суперрезонансных мод Ми высокого порядка и формирования горячих точек) внутри диэлектрических сфер определенных размеров.

Недостатком способа является отбор сферических диэлектрических частиц с суперрезонансом на модах Ми высокого порядка только одного размера и необходимость набора микросфер с различными диаметрами и оптическими параметрами.

Задачей заявляемого технического решения является разработка способа определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферических диэлектрических частиц различных диаметров.

Это достигается тем, что применяемый способ определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы, заключающийся в изготовлении сферической диэлектрической частицы из прозрачного материала для используемого излучения, облучении диэлектрической частицы лазерным излучением, новым является то, что облучение диэлектрической частицы осуществляют перестраиваемым источником излучения, формируют освещающую волну с плоским волновым фронтом, регистрируют электромагнитное излучение в горячих точках вокруг полюсов сферы вдоль направления распространения излучения, преобразуют регистрируемого излучения в электрический сигнал и определяют суперрезонанс мод Ми высокого порядка по уровню максимального сигнала при различных длинах волн освещающего излучения.

Сущность заявляемого способа поясняется на примере устройства, реализующего этот способ.

Функциональная схема этого устройства представлена на Фиг. 1.

На Фиг. 2 приведены результаты математического моделирования генерации электрических и магнитных горячих точек для диэлектрической сферы, расположенной в воздухе. Распределение напряженности электрического поля вдоль горячих точек (вдоль вертикальной оси) показано ниже на рисунке.

Обозначения: 1 – перестраиваемый источник лазерного излучения; 2 – мезоразмерная диэлектрическая сфера; 3 – горячие точки; 4 - устройство преобразования электромагнитного сигнала в электрический сигнал; 5 – вольтметр; 6 – вычислительное устройство.

Работа устройства происходит следующим образом. В качестве источника лазерного излучения 1 может выступать, например, перестраиваемый лазер в видимом, ИК, мазер в ТРЦ или микроволновом диапазоне [Е. Гулевич, Н. Кондратюк, А. Протасеня Перестраиваемые источники лазерного излучения УФ, видимого, ближнего и среднего ИК диапазона // Фотоника 3/2007, с.30-33; Патенты РФ 2202844, 2351045, 2037916, 2084996; Патент США 4376917]. Среди твердотельных источников перестраиваемого лазерного излучения главенствующие позиции до недавнего времени занимали лазеры на красителях в полимерных матрицах и на активированных кристаллах (Al2O3:Ti3+, александрит, форстерит, YAG:Cr4+). Диапазон рабочих длин волн, обеспечиваемых этими лазерами, располагается в пределах от 550 до 1500 нм, а каждая активная среда в отдельности способна генерировать в сравнительно узкой спектральной области шириной от 20 до 300 нм. Параметрические генераторы света видимого и ближнего ИК диапазона перекрывают практически весь спектральный диапазон длин волн от 200 нм до 20 мкм.

Электромагнитное излучение, сформированное источником 1, формирует освещающую волну с плоским волновым фронтом, которое облучает сферическую мезоразмерную частицу 2, изготовленную из диэлектрика прозрачного для используемого излучения, например, из полимеров, стекла, кварца. Изготовление стеклянных шариков возможно по способу предложенному, например, в патенте РФ 2081858. Стеклошарики (микрошарики из стекла) с показателем преломления 1,56–1,62 выпускаются промышленностью диаметром от единиц до 500 мкм.

При облучении диэлектрической мезоразмерной частицы 2 электромагнитным излучением с переменной длиной волны излучения в ней могут сформироваться суперрезонансные моды Ми высокого порядка с формированием горячих точек 3 вокруг полюсов сферы 2 вдоль направления распространения излучения. Напряженность электромагнитного поля в горячих точках 3 может на несколько порядков, примерно на 103–1010, превышать напряженность электромагнитного поля в освещающей волне. Особенностью этого типа резонанса является то, что величина напряженности магнитного поля существенно превышает величину напряженности электрического поля в горячих точках 3 из-за явления образования оптических (электромагнитных) вихрей внутри частицы, которые, в соответствии с законом Био-Саварк-Лапласа, формируют магнитное поле. Для заданного диаметра диэлектрической мезоразмерной частицы 2 и показателя преломления материала частицы всегда можно подобрать длину волны освещающего излучения, при которой возникают горячие точки 3, наличие которых свидетельствует о возникновении суперрезонанса мод Ми высокого порядка.

В качестве устройства преобразования электромагнитного сигнала в электрический сигнал 4 в оптическом диапазоне длин волн могут быть использованы, например, фотодиоды, а в терагерцовом диапазоне длин волн диоды Шоттки, болометры, пироприемники [Кубарев В.В. Детекторы терагерцового излучения // Сб. трудов Первого рабочего совещания «Генерация и применение терагерцового излучения», Новосибирск, 24-25 ноября 2005 г., Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера, 2006 – 35-40 с.; Техника субмиллиметровых волн. Колл. авторов под ред. Р.А. Валитова - М.: Советское радио, 1969, 480 с.]. Устройство преобразования электромагнитного сигнала в электрический сигнал 4, оптически связанно с диэлектрической сферой, располагается непосредственно рядом с горячими точками 3 и преобразует электромагнитный сигнал интенсивности поля горячей точки в пропорциональный ему по амплитуде электрический сигнал, который регистрируется вольтметром 5 и далее обрабатывается на вычислительном устройстве 6, например, микро ЭВМ, связанной с перестраиваемым источником когерентного монохроматического излучения 1.

Таким образом, для каждого размера диэлектрической мезоразмерной сферической частицы и ее показателя преломления материала можно подобрать длину волны излучения освещающего диэлектрическую сферу при условии возникновения суперрезонанса моды Ми высокого порядка в натурных экспериментах.

На Фиг. 2 проиллюстрирован эффект суперрезонанса для непоглощающей мезомасштабной частицы с параметром размера q=21,8401542641 и показателем преломления ns=1,9, погруженной в воздух с показателем преломления n=1,000241307. Эти параметры соответствуют резонансной моде, возбуждаемой внутри частицы с частичным волновым порядком l=35. Можно видеть, что максимальное усиление напряженности электрического поля достигает |E|2=1,225* 109, а магнитное поле примерно в 20 раз больше - |H|2=2,511* 10 10.

Способ определения суперрезонанса на модах Ми высокого порядка для сферической диэлектрической частицы, заключающийся в изготовлении сферической диэлектрической частицы из прозрачного материала для используемого излучения, облучении диэлектрической частицы лазерным излучением, отличающийся тем, что облучение диэлектрической частицы осуществляют перестраиваемым источником излучения, формируют освещающую волну с плоским волновым фронтом, регистрируют электромагнитное излучение в горячих точках вокруг полюсов сферы вдоль направления распространения излучения, преобразуют регистрируемое излучение в электрический сигнал и определяют суперрезонанс мод Ми высокого порядка по уровню максимального сигнала при различных длинах волн освещающего излучения.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу завершения полета дрона в установленном районе аварийной посадки при осуществлении мониторинга состояния воздушной линии электропередачи (ВЛЭП). Для реализации способа активизируют автопилот дрона, реагирующий на электромагнитное поле, формируемое ВЛЭП, направляющий дрон вдоль ее трассы в заранее установленный район аварийной посадки, расположенный между двух ее опор ВЛЭП, являющихся его границами, используют транспозицию проводов, обеспечивающую изменение параметров электромагнитного поля ВЛЭП, предварительно задают команду автопилоту дрона на активизацию режима аварийной посадки, после того как его чувствительные элементы зафиксируют изменение параметров электромагнитного поля, формируемого ВЛЭП, контролируют скорость, направление и продолжительность полета дрона до потери связи с наземным пунктом управления, вычисляют расстояние, пройденное дроном в штатном режиме, и идентифицируют первоочередной на пути его дальнейшего следования заранее установленный район аварийной посадки и время аварийной посадки.

Изобретение относится к экранировке от электромагнитных полей и может быть использовано для контроля эффективности электромагнитного экранирования различных устройств, требующих защиты от внешних полей (неконтактные взрыватели инженерных мин, исполнительные приборы радиоуправляемых мин и разведывательно-сигнализационных приборов и др.).

Изобретение относится к области беспроводных сенсорных сетей (БСС) и может быть использовано для дистанционного управления взрывоопасными предметами. Сущность предлагаемого способа управления распределенными взрывоопасными предметами заключается в том, что радиоприемопередатчик ближней связи, установленный на беспилотном летательном аппарате, передаёт управляющие сигналы на радиоприемопередатчики взрывоопасных предметов.

Изобретение относится к области беспроводных сенсорных сетей (БСС) и может быть использовано для дистанционного управления взрывоопасными предметами. Сущность предлагаемого способа управления распределенными взрывоопасными предметами заключается в том, что радиоприемопередатчик ближней связи, установленный на беспилотном летательном аппарате, передаёт управляющие сигналы на радиоприемопередатчики взрывоопасных предметов.

Установка для измерения матрицы невзаимного обратного рассеяния относится к области СВЧ-техники, изобретение может быть использовано при измерении обратного рассеяния различных объектов, в том числе невзаимных, при произвольных углах поляризационного базиса. Техническим результатом является уменьшение погрешности измерения коэффициентов полной матрицы обратного рассеяния, для чего исследуемый объект устанавливается на круглом вращающемся двухслойном отражающем диске, внешний слой которого, обращенный к излучающей антенне, выполнен из диэлектрика, а тыльный слой выполнен из металла, вращение диска с помощью шагового двигателя при управлении от ЭВМ позволяет изменять угловое положение объекта относительно вектора поляризации сигнала, излучаемого передающей антенной, с высокой точностью в диапазоне от 0-360 град, при этом составляющая погрешности по причине жесткого крепления объекта и точного углового перемещения отражающего диска и закрепленного на нем объекта измерений посредством шагового электродвигателя близки к нулю, а погрешность измерений определяется величиной развязки каналов поляризационного разделителя, которая может достигать более 40 дБ.

Использование: для исследования радиопоглощающих свойств покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для исследования радиопоглощающих свойств покрытий содержит средство фиксации, при этом радиопоглощающие покрытия нанесены на четыре металлические пластины, между которыми заключен по меньшей мере один съемный отражатель, причем металлические пластины образуют усеченную полую пирамиду с параллельными прямоугольными основаниями, двумя боковыми гранями и входным и выходным отверстиями, которые ограничены основаниями и двумя противоположными боковыми гранями пирамиды, торцы пластин со стороны входного отверстия выполнены скругленными и выпуклыми, а со стороны выходного отверстия торцы выполнены скругленными и вогнутыми, кроме того, боковые грани жестко соединены с основаниями посредством крепежных элементов, последние из которых установлены в пределах габаритов соединяемых пластин, при этом на каждом основании со стороны полости выполнено, по меньшей мере, по одному пазу под установку по меньшей мере одного съемного отражателя.

Изобретение относится к области вычислительной техники и телекоммуникаций и может быть использовано для распределения ресурсов при наличии конфликтных комбинаций ресурсов. Технический результат заключается в оптимизации распределения частотных ресурсов между радиоэлектронными средствами комплекса компактно расположенных разнотипных радиоэлектронных средств с обеспечением минимизации взаимных помех.

Изобретение относится к области вычислительной техники и телекоммуникаций и может быть использовано для распределения ресурсов при наличии конфликтных комбинаций ресурсов. Технический результат заключается в оптимизации распределения частотных ресурсов между радиоэлектронными средствами комплекса компактно расположенных разнотипных радиоэлектронных средств с обеспечением минимизации взаимных помех.

Изобретение относится к области вычислительной техники и телекоммуникаций и может быть использовано для распределения ресурсов при наличии конфликтных комбинаций ресурсов. Технический результат заключается в оптимизации распределения частотных ресурсов между радиоэлектронными средствами комплекса компактно расположенных разнотипных радиоэлектронных средств с обеспечением минимизации взаимных помех.

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для измерения вихревого электрического поля, создаваемого изменяющимся во времени и в пространстве магнитным полем и может быть использовано для измерения небольшого по величине вихревого электрического поля Земли. Техническим результатом является повышение точности измерения.

Изобретение относится к новой терагерцовой (ТГц) элементной базе для диапазона 0,1-10,0 ТГц на основе оптических галогенидных кристаллических материалов, которая может быть использована для изготовления методом экструзии нового класса гибких нанокристаллических световодов, устойчивых к УФ и радиационному излучениям и предназначенных в качестве канала передачи не только терагерцового излучения, но и инфракрасного, а также для получения методом горячего прессования оптических изделий - окон, линз, призм, пленок, предназначенных, наряду со световодами, для применения в ТГц оптике и фотонике, лазерной и ИК технике, в космических и ядерных технологиях.
Наверх