Способ автоматического регулирования процесса кристаллизации

 

ra °

Е: 1

ОПИСАН

И Е 2814IO

Сова Советсиив

Социалнстичесинв

Республии

ИЗОБРЕТЕН ЙЯ

К АВТОРСКОМУ СЗй „ :ЕТЕЛЬС1ВУ

Зависи»oe от авт. свидетельства ¹

Заявлено 14.Х1.1967 (¹ 1197402/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14ЛХ.1970. Бюллетень ¹ 29

Дата опубликования описания 24.ХН.!970

Кл. 12с, 2

МПК В Old 9/02

G ОЪЙ 23/30

УДК 66.065.62-52 (088.8) Комитет по делам иаобретеннй H стирытий при Совете тлнннстров

СССР

Авторы изобретения

Ю. Н. Косыгин, A. С. Романец и Н. П. Марюхненко

Заявитель

СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ

ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Изобретение относится к способам автоматического регулирования химических процессов, в частности к способам автоматического регулирования процесса кристаллизации солей из многокомпонентных растворов в вакуумкристаллизационных установках, например в производстве сульфата калия и поташа из содопоташных растворов глиноземных производств.

Известен способ автоматического регулирования процесса кристаллизации в многокорпусных вакуум-кристаллизационных установках путем стабилизации соотношения «твердое — жидкое» в суспензни в зависимости от плотности сгущенной суспензии в кристаллорастителях воздействием на отбор выходящего потока.

Недостатком .известного с пособа является н изкое качество выходного продукта, поскольку не учитывается влияние на тепловой режим процесса изменения температуры кипения раствора при изменении концентрации компонентов в нем.

С целью улучшения качества продукта в предлагаемом способе дополнительно регулируют тепловой режим установки по температуре раствора, выходящего из вакуум- испарителей воздействием на подачу охлаждающей воды в барометрические конденсаторы при одновременной стабилизации расхода исходного раствора, На чертеже показана схема автоматического регулирования работы двухступенчатой вакуум-кристаллизационной установки, состоящей из двух последовательно работающих

5 ступеней по предлагаемому способу.

Установка включает вакуум-кристаллизационный аппарат первой ступени 1 и второй ступени 2, основными элементами которых являются кристаллорастители 8, испарители 4, цир10 куляционные насосы б.

Вакуум в первой и второй ступенях создается барометрическими конденсаторами б и 7, эжектором 8 и вакуум-насосом 9.

15 Стабилизация подачи исходного раствора на установку производится системой, состоящей из датчика расхода 10, регулятора 11 и регулирующего органа 12, установленного на трубопроводе подачи исходного раствора.

20 Регулирование температурного режима установки вакуум-кристаллизации осуществляется системой регулирования температуры раствора на выходе из испарителя первой ступени, включающей датчик температуры 18, ре25 гулятор 14 и регулирующий орган 15, установленный на трубопроводе подачи охлаждающей воды на барометрический конденсатор 6, и аналогичной системой регулирования температуры раствора из испарителя второй

30 ступени, включающей датчик температуры 16, регулятор 17 и регулирующий орган 18, устаСоставитель Р. Клейман

Редактор В. П. Новоселова Техред 3. Н. Тараненко

Корректоры: Л. Корогод и А. Николаева

Заказ 3502/2 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 новленный на трубопроводе подачи охлаждающей воды на барометрический конденсатор 7.

Система регулирования соотношения «твердое — жидкое» в суспензии в кристаллорастителях каждой ступени содержит датчики 19 и

20, регуляторы 21 и 22, генераторы импульсов 23 и 24 и регулирующие органы 25 и 2б.

Исходный раствор, поступающий на первую ступень установки, стабилизируется по расходу. Задание регулятору 11 стабилизирующей системы расхода исходного раствора устанавливается оператором-технологом в соответствии с требуемой производительностью вакуум-кристаллизационной установки. Исходный раствор, попадая в циркуляционный контур первой ступени (на всасывание насоса б), подается в испаритель 4, где охлаждается за счет испарения растворителя под вакуумом и сливается в кристаллораститель, в котором происходит образование, рост и накопление кристаллов. При отклонениях температуры раствора на:выходе из испарителя от задания регулятор 14 подает команду;на изменение подачи охлаждающей воды регулирующему органу 15. Аналогично производится регулирование теплового режима второй ступени вакуум-кристаллизации. Соотношение «твердое— жидкое» в кристаллорастителях регулируется по плотности, сгущенной суспензии в конусах кристаллорастителей воздействием на отбор пульпы из аппаратов посредством регулирую5 щих органов 25 и 2б по командам от генераторов пневмоимпульсов 28 и 24,,настройки которых, в свою очередь, изменяют регуляторы

21 и 22.

Предмет изобретения

Способ автоматического регулирования процесса кристаллизации в многокорпусных вакуум-кр иста ллизационных установках, например в производстве сульфата калия и,поташа

15 из содопоташных растворов глиноземных производств,,путем стабилизации соотношения «твердое †жидк» в суспензии в зависимости от плотности сгущенной суспензии в кристаллорастителях воздействием на отбор

20 выходящего потока, отличающийся тем, что, с целью улучшения:качества продукта, дополнительно регулируют тепловой режим установки по температуре раствора, выходящего из вакуум-.испарителей, воздействием на подачу

25 охлаждающей воды в барометрические конденсаторы при одновременной стабилизации расхода исходного раствора.