Патент ссср 289665

 

289665

ОП ИСА НИ Е

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 16.|.1969 (№ 1297604/22-1) с присоединением заявки «¹â€”

Приоритет—

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень X 3

Дата опубликования описания 21.IV.1971,ЧПК В 011 17/08

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 669.054-172.002..5 (088.8) 1

Авторы изобретения

Ю. А. Рыбин и А. Н. Киргинцев

Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЪ|РА|ЦИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Предлагаемое устройство может использоваться для выращивания 1из расплава монокристаллов полупроводников.

Известное устройство для выращивания монокристаллов из расплава включает трубчатый контейнер, установленный под углом

0 — 5 к горизонту, в полость которого помещена затравка. Контейнер снабжен приводом вращения вокруг продольной оси.

Отличием предлагаемого устройства является то, что контейнер снабжен ic торцов шлпфами, имеющими пустотелые керны с выступами,по продольной оси, герметично закрытые в .полости контейнера, причем B,noëoñòè кер HoB введены неподвижно установленные по оси контейнера трубками, соединенные с источником охлаждающей среды, а затравка укреплена на выступе керна.

Выполнение устройства создает условия дл« кристаллизации материала, подвергаемого зонной плавке, вне контакта со стенками контейнера, в связи с чем улучшается качество выращиваемых монокристаллов.

На чертеже изображено предлагаемое устройство.

О|но включает трубчатый контейнер 1, соеди|ненный с приводом 2 вращения его вокруг продольной оси я установленный под углом

0 — 5 .к горизонту. Коаксиально контейнеру установлен зонный нагреватель 8, который может перемешаться вдоль контейнера. С обоих торцов контейнер снабжен шлнфами 4, имеющими пустотелые керны» с выступами

6 и 7, герметично закрытые в полости контей5 нера. Через выступы 7 в полости кернов по оси контейнера введены неподвижно установленные трубки 8, соединенные с источником охлаждающей среды, Для создания в полости контейнера вакуума он снабжен отростком 9

10 с вакуум ным краном 10, pëñnoëoæåííûì возле одного из шлифов.

Выращивают монокристаллы следующим образом.

На выступе керна одного из шлнфов

1» укрепляют затравку 11, имеющую диаметр, близкий и диаметру контейнера. Исходную загрузку в виде стержня помешают в полость контейнера. На выступе керна другого шлпфа укрепляют стаканообразный приемник 12 загрязненного материала. Контейнер эвакуируют, по трубкам 8 подают воду в полости кернов шлифов и сообщают контейнеру вращательное движение. С помощью нагревателя 8 создают зону в контакте с затравкой после чего нагреватель приводят в движение вдоль контейнера.

По окончании прохода зоны контейнер наклоняют в сторону, приемника 12 и сливают в него часть расплава. Проходы можно осуществлять многократно до достижения нуж289G65

Предмет изобретения

Составитель T. Фирсова

Редактор Т. Баранова Техред 3. Н. Тараненко Корректор О. С. Зайцева

Изд. М 164, Заказ 51/278 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. Фил. пред. «Патент» ной степени очистки. Для легирования выращенного кристалла приемник загрязненного материала удаляют, и на его место устанавливают второй затравкодержатель с затравкой, которую вплотную,подводят к монокристаллу. Между монокристаллом и затравкой помещают лигатуру или роль лигатуры выполняет затравка. Контейнер снова эвакуируют, и осуществляют проход в обратном направлении, в результате чего легирующая примесь распределяется,по монокристаллу.

Контейнер выполняется из материала, не смачиваемого расплавом, или покрывается изнутри слоем такого материала. На описываемом устройстве были .получены монокр исталлы германия длинной 200 — 250 мьм и диаметром

10 — 30 мм.

Устройство,для выращивания монокристаллов из расплава:на затравке, включающее трубчатый контейнер, установленный под углом 0 — 5 к горизонту, и привод вращения контейнера вокруг продольной оси, отличающьеся тем, что, с целью создания условий для исключения контакта кристаллизующегося материала со стенками контейнера, контейнер снабжен ñ торцов шлифами, имеющими пустотелые керны с выступами по продольной оси, герметично закрытые в полости контейнера, причем в полости кернов введены неподвижно установленные по оси,контейнера трубки, соединенные с источником охлаждающей среды, и затравка укреплена на выступе кепна.

Патент ссср 289665 Патент ссср 289665 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх