Способ изготовления фотосопротивлений

 

Класс 21g, 29

Р/

АВТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОПИСАНИЕ способа изготовления фотосопротивлений.

К авторскому свидетельству О. В. Лосева, заявленному 8 мая

1933 года (спр. о перв. ¹ 128360).

О выдаче авторского свидетельства опубликовано 30 сентября 1933 года.

Предмет изобретения.

1. Способ изготовления фотосопротивлений из фотоактивных полупроводниt ков, отличающийся тем, что кристаллический порошок полупроводников, например галенита, кремния и т. п., смешанный со связующим веществом, например цапоновым лаком, наносят на поверхность изолирующей подложки.

2. При способе по п, 1 высушивание фотосопротивления в электрическом поле. тип. «искра».

Ранее было установлено, что кристаллы некоторых полупроводников обладают особыми фотоактивными слоями, пронизывающими их или находящимися на поверхности их граней. При дальнейших наблюдениях было выяснено, и это является сущностью изобретения, что мелкий порошок полупроводников, обладающих фотоактивными слоями, может приобрести свойства фотосопротивления, т.-е. может изменять свое сопротивление под действием света, если его нанести тонким слоем в смеси со связующим веществом (напр., с целлюлоидным или цапоновым лаком) на поверхность какой-либо изолирующей подложки. Такой подложкой может служить, например, фарфоровая трубка, у концов которой помещены металлические электроды. Необходимость применения именно смеси со связующим веществом доказывается тем, что порошок, нанесенный на поверхость той же самой изолирующей подложки без связующего вещества (например, натиранием поверхности порошком), совершенно не дает эффекта фотосопротивления, хотя сопротивление и в этом случае легко может быть изготовлено той же самой величины, как сопротивление в темноте слоя порошка, нанесенного в смеси со связующим веществом.

Редактор А. 31. Сибур«ннов

Оказалось также, что чувствительность фото сопротивления можно увеличить, если во время его изготовления сушку смеси связующего вещества с порошком полупроводника производить в электрическом поле. Электрическое поле при этом может создаваться путем приложения определенной разности потенциалов к электродам изготовляемого фотосопротивления. Напряженность поля берется порядка 100 вольт на сантиметр.

Фотосопротивления по способу, согласно изобретению, можно изготовлять из кристаллов свинцового блеска (галенита PbS) кристаллов кремния (Si). Сопротивление в- темноте изготовленных фотосопротивлений можно иметь от

200.000 омов до нескольких мегомов.