Электролюминесцентный импульсный источниксвета

 

О П И С А Н И Е 300966

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 02.Ч.1969 (лй 1337461/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.IV.1971. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 2бХ.1971

МПК Н 05b 33/00

Комитет по делам иаобретвннй и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.032.27 (088.8) Авторы изобретения

Н. Ф. Ковтонюк, Г. М. Гуро, Ю. И, Гохфельд и В. Т. Дахновец --1 I ! ГП:-. :. l.

Заявитель

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ ИСТОЧНИК

СВЕТА

Предмет изобретения

Изобретение относится к электролюминесцентным устройствам, в частности к электролюминесцентным источникам света.

Известные источники света на основе изолированных полупроводников содержат излучающий слой в виде поликристаллов люминофора в диэлектрической связке, либо сублимированный слой полупроводника, отделенный от полевых электродов слоями диэлектрика с повышенной диэлектрической проницаемостью.

Предложенный электролюминесцентный импульсный источник света отличаетс>, от известных тем, что в качестве излучающего свет слоя используется монокристалл полупроводника, работающий в режиме накопления свободных зарядов.

Сущность накопления свободных зарядов состоит в том, что энергия в системе накапливается в течение промежутка времени, а высвечивается в виде излучения за короткий промежуток. Это позволяет создавать в полупроводнике большой уровень возбуждения и получать мощные одиночные вспышки света.

Время накопления (длительность возбуждающего импульса) выбирается таким, чтобы осуществлялось максимально возможное накопление свободных зарядов при данной разности потенциалов. Длительность фронта выключения импульса должна быть значительно меньше импульса высвечивания. В качестве излучателя используется однородный монокри5 сталл полупроводника.

Преимуществом предложенного источника света является то, что в импульсе выделяются большие мощности со стабильными параметрами, 10

Электролюминесцентный импульсный источ1ч ник света, содержащий изолированный полупроводник с двумя электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения энергии излучения путем накопления свободных зарядов и улучшения стабильности его характеристик, 20 излучающий слой из монокристалла полупроводника расположен между изолирующими слоями с диэлектрической постоянной, превышающей 50, а питание осуществляется прямоугольными импульсами, длительность которых

25 превышает время установления полного экранирования поля, при этом фронт выключения импульсов меньше времени высвечивания.