Полупроводниковый тензорезистор
ОПИСАНИЕ
ИЗОВРЕТЕН И Я
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
302589
Союз Соввтскнк
Социалистическик
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
МПК 6 01Ь 7/16
Заявлено 17.111.1969 (№ 1316047/25-28) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 28.1т/.1971. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 14.VI.1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 53.082.72(088.8) Авторы изобретения, А. В. Сандулова. И. И. Марьямова, В. М. Рыбак и 1О. И. Заганяч
Заявитель
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР
Предмет изобретения
Изобретение относится к области полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций и механических напряжений деталей и конструкций.
Известен полупроводниковый тензорезистор на основе антимонида галлия тт-типа, BbIII0.7ненный в виде нитевидного кристалла.
Цель предлагаемого изобретения — повысить тензочувствительность подобного рода тензорезисторов.
Это достигается тем, что тензорезистор выполнен в виде монокристалла, выращенного в кристаллографическом направлении (111) посредством химических газотранспортных реакций.
Полупроводниковый тензорезистор выполнен следующим образом. Нитевидные кристаллы антимонида галлия выращивают методом химических газотранспортных реакций в закрытой ампуле. В роли транспортирующего агента испо.»ьзуют йод и бром. В кварцевую ампулу объемом примерно 60 сл загружают галлий и сурьму в стехиометрическом соотношении, йод и бром в количестве 30—
200 лг и тсллур в качестве легирующего компонента в количестве, необходимом для по»;-чения концентрации примесей 10" сл . Посл откачки до вакуума 10 — л.п рт. ст. и отпайки ампулу помещают в печь, где температура зоны источника составляет 650 — 800 С, а Teмпература зонь, кристаллизации 450 — 550 С.
При небольшом перепаде температуры из
40 — 50 лг йода вырастают кристаллы совершенной формы,с идеально гладкими гранями.
Выращенные нитевидные кристаллы имеют
10 форму правильных трехгранных призм толщиной 20 — 40 лк, длиной от 3 до 10 лл, вытянутых вдоль кристаллографического направления (111). Коэффициент тензочувствптельности нитевидны. кристаллов антимони15 да галлия и-типа с концентрацией примесей
1,4. 10" сл равен — 110.
20 Полупроводниковый тензорезистор на основе антимонида га»лия а-типа, выполненный в виде нитевидного пристал 7а, отличаюп1пася тем, что, с целью повышения тензочувствнтельности, он выполнен в виде монокрнстал25 ла, выращенного в криста.»лографич .сном направлении (111) посрсдсгвом химических г»зотранспортных реакций.
