Способ индивидуальной тарировки полупроводниковых тензорезисторов

 

ИЗОБРЕТЕНИЯ

ПИСА

29Ю9!

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29Х11.1969 (39 1353107/25-28) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 17.II.1971

МПК G 01Ь 7/16

G 12Ь 13/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 531.781.2(088.8) Авторы изобретения

Я. А. Гофман, Т. И. Молдавер, В. С. Шадрин, Г. Г. Морозова и Н. С. Антонова

Новосибирский электротехнический институт

Заявитель

СПОСОБ ИНДИВИДУАЛЬНОЙ ТАРИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Предмет изобретения

Известен способ индивидуальной тарировки полупроводниковых тензорезисторов, заключающийся в том, что тензорезистор наклеивают на алюминиевую балку, нагружают, измеряют его параметры и отделяют от балки.

Предложенный способ повышает точность измерений. Это достигается тем, что тензорезистор наклеивают на предварительно омедненную гальванопластическим способом алюминиевую тарировочную балку. Затем тензорезистор вместе с медной фольгой отделяют от тарировочной балки и используют вместе со вспомогательной основой из медной фольги.

На балке из алюминиевого сплава, например, Д16Т, места, рте подлежащие металлопокрытию, защищаются эмульсией или полихлорвиниловой лентой. Пробельные места представляют собой прямоугольники, расположенные по главной оси балки. После анодирования в серной кислоте на пробельные места осаждают слой меди толщиной до 0,1»ui из стандартного кислого электролита. Затем на омедненные участки наносят клеевую грунтовку и приклеивают тензорезистор, после чего при заданной деформации балки измеряют характеристики тензорезистора. Закончив тарировку, сбрасывают медную фольгу, несущую тензорезистор.

10 Способ индивидуальной тарировки полупроводниковых тензорезисторов, заключающийся в том, что тензорезистор наклеивают на алюминиевую балку, нагружают, измеряют его параметры и отделяют от балки, отличающийся

15 тем, что, с целью повышения точности измерений, тензорезнстор наклеивают на предварительно омедненную гальванопластическим способом алюминиевую тарировочную балку, после тарпровки тензорезистор отделяют вмес20 те с медной фольгой от тарировочной балки и используют вместе со вспомогательной основой из медной фольги.

Способ индивидуальной тарировки полупроводниковых тензорезисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерению и контролю напряжений в конструкциях любого типа

Изобретение относится к испытательной технике и имеет целью повышение точности способа определения изгибной жесткости объектов, изготовленных из композиционных материалов

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам измерения деформаций конструкций летательных аппаратов при испытаниях на прочность

Изобретение относится к области автоматизации процессов взвешивания, дозирования и испытания материалов

Изобретение относится к средствам измерения динамической деформации, измеряющим динамическое деформируемое состояние инженерных конструкций

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам, контролирующим перемещение деталей машин, и может быть использовано в системах контроля машинами и оборудованием
Наверх