Способ определения парциальных толщин многокомпонентных пленок
О П И С А Н И Е 30839"5
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВйдЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 03. т !1!.1967 (№ 1177127j26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01 VI I.1971. Бюллетень ¹ 21
Дата опубликования описания ЗОЛ I I I.1971
МПК G 01t 1/36
Комитет па делам изобретений и открытий при Соеете Министрое
СССР
УДК 550.835(088.8) Автор изобретения
И. Я. Малахов
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАР ЦИАЛЬНЫХ ТОЛ ЩИ Н
МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОК
Изобретение относится к области изучения ядерной структуры веществ путем облучения вещества и измерения характеристик прошедшего облучения.
Известный способ определения парциальных толщин тонких многокомпонентных пленок заключается в следующем. Измеряют выход резерфордовского рассеяния частиц от ядер пленки и площади пиков в спектре частиц, упруго рассеянных ядрами пленки, для стольких пленок с различными концентрациями одних и тех же компонент, сколько содержится их в измеряемой пленке.
Однако этот способ позволяет измерять парциальные толщины лишь свободных, т. е. отделенных от подложки, пленок, поскольку при наличии толстой подложки возникает необходимость измерять площадь непрерывного спектра от ядер подложки вплоть до малых энергий в условиях, когда часть рассеянных на большой глубине частиц затормозится и не выйдет наружу. Следовательно, эта часть рассеянных частиц вообще не может быть зарегистрирована. Введение же необходимой поправки сильно снижает точность определения парциальных толщин.
Цель изобретения — упрощение и повышение точности измерений как свободных пленок, так и пленок, рассеянных на толстые подложки. 30
Это достигается тем, что измеряют ширину пика, соответствующего какой-либо компоненте, и сдвиги пиков от ядер подложки или какого-либо слоя и по результатам измерений определяют парциальные толщины пленок.
Для этого производят следующие операции.
Снимают энергетический спектр рассеянных на ядрах пленки зарях енных частиц под углом больше 90 и измеряют ширину пика, соответствующего какой-либо компоненте.
Если химическая формула вещества пленки или изотопный состав его неизвестны, то измерение ширины в спектре производят для стольких пленок с различными концентрациями одних и тех же компонент, сколько содержится их B исследуемой пленке. В частных случаях число компонент в исследуемых дополнительных пленках может быть меньше, чем количество их в изучаемой пленке.
Измеряют площади пиков от всех компонент каждой пленки. По результатам измерений составляют систему уравнений, из которой находят парциальные толщины как исследуемой, так и дополнительных пленок.
Такое определение парциальных толщин применимо лишь к пленкам с однородным по глубине распределением ядер и лишь в тех случаях, когда толщина пленки в энергети.еских единицах больше ширины основания кривой распределения альфа-частиц из тон
