Амплитудный модулятор
О П И С А Н И Е 326700
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Со.оа Сазетскиа
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства Хе
М. К!т. Н Озс 1. 48
Заявлено 07.IV.1970 (X 1424344/26-9) с присоединением заявки ЛЪ
Приоритет
Опубликовано 19.1.1972. Бюллетень М 4
Дата опубликования описания З.III.1972
Комитет по делам изобретений и открьпий при Сосете Министров
СССР
УДК 621.376.2 (088.8) "1i- "P. С. Бразис, К. К. Валацка, Ч. В. Мачюлайтис и Ю. К. Доя едй."::- - " 1 талвпы =. лам "
Авторы изобретения
Институт физики полупроводников АН Литовской CCP
Заявитель
АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР
Изобретение может применяться в устройствах для непрерывной модуляции, .для импульсной амплитудной манипуляции, а также для одновременной модуляции быстропеременным и медленно меняющимся сигналами в диапазоне частот несущей от 1 — 1000 Мгц.
Известны амплитудные модуляторы, содержащие полупроводниковую пластину, помещенную в мапштное поле, и источники модулирующего и модулируемого сигналов. Однако известшле модуляторы не обеспечивают модуляции быстропеременным сигналом.
Целью изобретения является увеличение быстродействия.
Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например, р-п типа, а омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения.
На чертеже показан предложенный амплитудный модулятор.
Основой модулятора является полупроводпиковая пластина 1 с переходом, например, р-п типа, помещенная в постоянное магнитное поле электромагнита 2 так, что ее широкие плоскости перпендикулярны силовым линиям поля.
Напряжение от блока питания 3 электромагнита подается к зажимам 4, 5 обмотки электромагнита и может быть регулируемо.
Узлы б, 7 соответственно ввода и вывода несущей частоты расположены у широких граней пластины. Омические контакты 8 и 9 выполнены на противоположных сторонах перехода и соединены с источником модулирующего напряжения 10. Узлы ввода — вывода расположены таким образом, что возбуждае10 мое (воспришьмаемое) ими высокочастотное магнитное поле перпендикулярно постоянному магнитному полю.
Узлы ввода и вывода в зависимости от
1у диапазона частот и типа устройства, в состав которого входит предложенный модулятор, могут быть выполнены в виде катушек индуктивности или полосковых линий.
Для исключения прямой наводки из узла
2р ввода в узел вывода они расположены под углом, близким к прямому.
При поступлении э.д.с. несущей частоты, узел ввода б возбуждает в намагниченной
2 электромагнитом 2 плазме носителей тока, содержащихся в полупроводниковой пластине
1, геликонную волну, распространяющуюся вдоль постоянного магнитного поля. Магнитное поле этой волны наводит в узле вывода 7
ЗО э.д.с. той же несущей частоты.
326700
Предмет изобретения
Составитель К. Виноградов
Техред Е. Борисова
Редактор В. Левитов
Корректор Т. Миронова
Заказ 516!4 Изд. № 91 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Если в некоторый момент благодаря прило кенному к контактам 8 и 9 модулирующему напряжению ток через переход протекает в пропускном направлении, то э.д.с., наведенная гелоконной волной в узел вывода возрастает. При токе, протекающем через переход в обратном направлении э.д.с, в узле вывода уменьшается и при определенной величине обратного напряжения может быть сведена до нуля.
Для увеличения коэффициента передачи по мощности при модулирующем токе, протекающем в пропускном направлении, магнитное поле устанавливают близким к значению, прп котором в полупроводниковой пл астине возникает геликонный резонанс.
Амплитудный модулятор, содержащий источник питания, подсоединенный к обмотке электромагнита, полупроводниковую пластину, помещенную в перпендикулярное к ее широким плоскостям постоянное магнитное поле электромагнита, узлы ввода и вывода несущей частоты, расположенные на широких
1О гранях пластины и источник модулирующего напряжения, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия, полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например р-п типа, а
15 омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения.
