Способ литья микропроводае§сесоюз;{/;яи htf^ivss »* s^^v' г' • < '-.flat?aiiiy-i-cb?. ..с;:;^^. шблиотеш*

 

ОП ИГРАНИ Е

И ЗОБРЕТЕ Н ИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскив

Сопиапистических

Республик

3 ави";I)io0 От ав r. 0H „Тете i! " rl„r Л) Ч,К.!. Н 01Ь 13 О!) Заявлено 14.11,1970 (¹ 110727(1, 2:1-7) с llpH00с (инеииез! "I !!Ir:ii Л"

П pl!Op и тот

Опубликовано 07,ill.1972 г. Бюллетень Л!) 9

Дата опубл икова шгя описи и! я 1Л .1972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР 1К 621 31,) 3 181 1 (088.8) Авторы

H300PPTeIIH5I

Е. Я. Бадиитер, Л. М. !"т!тр!отт!и и 1 . 1!. Ши!тйдерв! ти

Заявители

Кишиневский научно-исследоьательский институт электроприборостроения

СПОСОБ ЛИТЬ 1 МИКРОПРОВОДА

Известные способы литья микропровода в стеклянной изоляции с подпиткой микрованны путем высокочастотного нагрева до температуры плавления части металлического прутка, располо)кенного иад микрованной, предусматрива!от при))еиет)ие )rcTari.1IIH 0 0!.o cxep !arri равномерного сечения.

При этих способах неравномерно подпитывается микрованна, что ухудшает параметры микропровода, в частности изменяется д! аметр жилы, а в некоторых случаях прекр":Hr lется процесс литья.

Цель изобретения — стабилизация процесса литья и параметров хивкропровода.

Это достигается тем, что используют»еталли )естсий пруток, с периодически повторяющимися утолщениями, связанными перемычка)!и, масса которых недостаточна для нагрева до температуры плавления при заданной частоте.

Возмо)кси такой подбор массы утолщенгл и массы перемычек, при котором микрованпа подпитывается строго заданной массой металла.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где: 1 — металлический пруток, 2 — стеклянная трубка, 8 — утолщение, 4 — — перемычка, 5 — первый высокочастотный индуктор, б — второй высокочастотный индуктор, 7

2 — микрованна, 8 — микропровод, 9 — — приемное устройство. .Чет аул ически и пруток 1 р азмещен внутри стеклянной трубки 2 и имеет форму утолщс5 иий 8, соединенных перемычками 4. Стеклянная трубка 2 расположена в высокочастотиь!х т)ндукторах 5 и б. В зоне индуктора б внутри трубки 2, размещена зтикрова))на 7, из кото рой выходит иа приемное устройство 9 микро)и провод 8.

Высокочастотный индуктор б токами высокой частоты разогревает металл микрованны 7, вследствие чего стеклянная трубка 2 в зоне х!Нкрованны 7 размягчается и под воз)5 действием приемного механизма 9 производится Вытяжка расп1ВВ HeHHoi 0 мста1л

Одновременно от высокочастотного иидуктора 5 предварительно нагревается металлический пруток 1. Пруток имеет форму утолщений 8, соединенных перемычками 4, массу которых выбирают так, чтобы она была недостаточна для нагрева частотой индууктора 5, 25 при этом масса перемычки 4 значительно меньше массы утолщения 8.

При такой конфигурации металлического прутка под действием высокой частоты от индуктора 5 нагревается только утолщение, иазо ходящееся в зоне индуктора. Передача тепла

331427

Предмет изобретения

Составитель Борисова

Техред А, Камышникова

Корректор Л. Царькова

Редактор T. Рыбалова

Заказ 1551 1Лзд. ¹ 3!8 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров! СССР

Москва, jK-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография за счет теплопроводности металла к следу1ощему утолщению практичеси отсутствует ввиду малой массы металла в перемычке 4.

Вследствие вытяжки микропровода 8 масса металла в микрованне 7 уменьшается. При ее уменьшении на заданную велич иву утолщение, находящееся в зоне !индуктора 5, нагревают током высокой частоты до температуры pacl1лавленпя 11eтал I1B. PBc1Iлавленныи метал,1 капает в микро ванну 7, восполняя,в пей вытянутый в виде яикропровода 8 объем металла.

При этом объем металла перемычки 4 и утолщения 8 !выбирают так41ми, чтобы он был равен объему металла, вытянутому к этому времени из микрованны 7 в виде микропровода 8.

Таким образом, практически стабилизируют объем металла в микрованне 7, что приводит к ста били зацип режима литья и парамеTров микропровода.

Так как для восполнения стекла в зоне микрованны 7 ведется непрерывная пода!а стеклянной трубии 2, то для обеспечения своевременного поступления очередного утолщения 3 в зону индуктора 5 и использования механизма подачи трубки для одновременной по4 да ш 11ругка !, свысота IL утолщения 8 раина длине стеклянной трубки 2, на которую она будет подана в зону мпкрованны 7 за время вытяакки пз нее задапного объема металла.

Для соблюдения идентичности химического состава металла (сплава) в микрованне 7, который меняется за счет выгорания ряда компонентов, входящих в их состав, химический состав металлического прутка 1 выбирают с и учетом .восполнения выгорающих компонентов.

Способ л итья микропровода в стеклянной изоляции с подпиткой микрованны путем высокочастотного нагрева до температуры плавления части металлического прутка, расположенного над микрованной, от гича>ои1ийся тем, 2О что, с целью стабилизации процесса литья и параметров микропровода, используют металлический пруток с,периодически повторяющ11мися утолщениями, соединенными перемычками, масса которых недостаточна для наг25 рева до температуры плавления прп заданной частоте.

Способ литья микропроводае§сесоюз;{/;яи htf^ivss »* s^^v г • < -.flat?aiiiy-i-cb?. ..с;:;^^. шблиотеш* Способ литья микропроводае§сесоюз;{/;яи htf^ivss »* s^^v г • < -.flat?aiiiy-i-cb?. ..с;:;^^. шблиотеш* 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике и касается изготовления изолированных проводов
Изобретение относится к области электротехники, в частности к использованию проводов или кабелей с изоляцией из силанольно сшитого полиэтилена

Изобретение относится к области микрометаллургии, в частности к процессу получения литых микропроводов в стеклянной изоляции

Изобретение относится к области металлургии, а именно к способам изготовления проволоки из высокопрочных, магнитомягких аморфных сплавов на основе системы железо-кобальт-никель

Изобретение относится к электрооборудованию и может быть использовано для механической защиты электрожгутов на подвижных участках в зонах с возможным попаданием химических реагентов (НГЖ-4, АМГ-10, МК-8, 7-50С3, ТС-1, Т-6, Б-70, РТ, Т-8В, ИМП-10, 36/1 КУА), в частности, на летательных аппаратах

 // 358725
Наверх