Способ выращивания монокристаллов кремния,ориентированных в направлении /111/
1 w7. NK 1 оЯфи ц®тена Ь Ь
ИЗОБР ТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сеюз Сеаетсиик
Сециапистичееиия
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-sy(22) Заявлено 09.1070 (21) 1480460/23-26 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.1078.Бюллетень № 38 (45) Дата опубликования описания 2308.78 (51) М. Кл.
В 01 J 17/18
Государственный комитет
Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий (53) УДК 669.054-172 (088.8) P2) Авторы изобретения
Н.И.Блецкан, Л.Е.Березенко, А.A.Båñåëêîâà, Ю.Н.Веселин, Ю.В.Данковский н Г.A.Äoáðîõîòîâ (54) СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ОРИЕНТИРОВАННЫХ В НАПРАВЛЕНИИ (111$
Формула изобретения
Изобретение относится к металлургии полупроводников.
Известны способы выращивания ориентированных в направлении (111) монокристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.
Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12
Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период роста, в связи с чем увеличчвается производительность процесса.
Пример. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении $1llj, вытягивают из расплава по способу
Чохральского. Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из монокристаллов, ориентированных в направ-. лении (lllj таким образом, что боковые грани затравок совпадают с кристаллографическими плоскостями (1121 .
Выход монокрнсталлов составляет 100%.
Способ выращивания монокристаллов кремния,ориентированных в направлении 111) из расплава на затравке в виде правильной призмы,о т л и ч а ю. шийся тем, что, с целью исключения образования в начальный период выращивания двойников, используют затравку,имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с„ кристаллографическими плоскостями(112).
