Способ определения качества кристаллов пьезокварца

 

336772

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 27.!.1970 (№ 1397750/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 21.IV.1972. Бюллетень № 14

М. Кл. Н 03h 9/14

Конитет по делан изобретений н открытий при Совете Министров

СССР

УДК Г)21.372.412(088.8) Дата опубликования описашгя 29Л .1972

Авторы изобретения

С. В. Колодиева, А. А. Фотченков, М. Г. Бондаренко и A. А. Шапошников

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА

КРИСТАЛЛОВ ПЬЕЗОКВАРЦА

Изобретение относится к компонентам радиоаппаратуры и может быть использовано для контроля качества кристаллов пьезокварца.

Известны способы определения качества кристаллов пьезокварца, основанные на измерении тангенса угла диэлектрических потерь на образцах произвольной ориентации, преимущественно Z-среза, произвольных размеров и формы.

Недостатки известных способов состоят в низкой точности измерений и плохой воспроизводимости результатов измерений вследствие влияния на абсолютную величину тангенса угла диэлектрических потерь различных факторов, например величины нагрузки, создаваемой держателем, вида и способа нанесения металлического покрытия, качества обработки поверхности образца.

С целью повышения точности и надежности определения качества кристаллов пьезокварца

IIo предлагаемому способу качество, например добротность кристаллов, определяется по величине температурно-частотной дисперсии диэлектрических потерь путем измерения температуры поло>кения релаксационного максим,ма тангенса угла диэлектрических потерь.

Принципиальной основой способа определения качества кристаллов пьезокварца является факт установленной зависимости температуры положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических потерь от содержания в кристаллах пьезокварца неструктурной фазы, определяющей его пьезоэлектрические и радиофизические свойства, в том числе и добротность, причем значение этой температуры T„,„;, от технологических и других факторов изготовления и обработки образцов не зависит, а определяется лишь количеством неструктурной фазы в кристалле:

10 чем больше неструктурной фазы в кристалле, тем меньше подвижность ионов-релаксаторов, тем больше время релаксации, тем выше температура положения релаксационного максимума Т.„,„),.

Для определения качества кристаллов могут быть использованы образцы произвольных размеров и формы и произвольной ориентации, так как температурно-частотная диспер20 сия диэлектрических потерь, следствием которой является изменение температуры Т„,„;, с изменением качества кристаллов, имеет место при любом направлении воздействия электрического поля. Однако для снижения темпера25 тур нагрева испытываемых образцов предпочтительно использовать пластины Z-среза, с температурным интервалом испытаний 150—

400 С. Для образцов, ориентация которых отлична от Z-среза, область температурно-частотной дисперсии диэлектрических пот р

336772

Предмет изобретения

Составитель Г. Челей

Техред Л. Евдоиов

Редактор Т. Морозова

Корректор Л. Бадылама

Заказ 1499,il6 Изд. № 607 Тира>к 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Рвуьнская наб., д. 4/5

Типографии, пр. СануIl08;t, 2 сдвинута в сторону более высоких температур, и поэтому температурный интервал испытаний в этом случае сдвигается в область более высоких тем ператур.

Измерение температуры положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических потерь проводят на частое 1 кги, так как на ней обеспечиваются наиболее надежные результаты измерений. В качестве образцов используют круглые или плоские диски диаметром 15 лш, толщиной 1,3 ми, поверхности которых обрабатывают простой шлифовкой.

Способ определения качества кристаллов пьезокварца, основанный на измерении тангепса угла диэлектрических потерь на образцах произвольной ориентации, преимущественно Z-среза, произвольных размеров и формы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности, качество, например то добротность кристаллов, определяется по величине температурно-частотной дисперсии диэлектрических потерь путем измерения температуры положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических потерь.