Способ изготовления герметизированной микрополости
О П И СА Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
345639
Союз Советских
Соцналистнческнх-.
Ресстблнк
Зависимое-от авт. свидетельства №
М. Кл. Н 05k 3/00
Заявлено 07.Х11.1970 (№ 1604684/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 14.Ы1.1972. Бюллетень № 22
Дага опубликования описания 8Х111.1972
Комитет по делам изобретений н открытий при Совета Министров
СССР
УДК 621.3.049.7(088.8) Автор изобретения
В. В. Чесноков
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМЕТИЗИРОВЛННОЙ
МИ КРОПОЛОСТИ
Изобретение относится к электронной технике, к способам изготовления тонкопленочных элементов.
При создании микроламп, размеры активной области которых составляют единицы и десятки кубических микрон, известные способы изготовления стеклянной, керамической или металлической колбы не применимы.
Известен способ создания вакуумной микрополости путем настильного напыления в вакууме герметизирующей пленки на пленку с микронными отверстиями.
Недостатки способа следующие: размеры полости не могут быть большими; полость в плоскости подложки может иметь только круглую форму; отношение диаметра полости к ее глубине не должно превышать 0,5 — 1,0 вследствие подпыления материала в отверстие, возможно загрязнение электродов микролампы.
Целью изобретения является устранение перечисленных недостатков и повышение надежности герметизации, а также обеспечение получения на подложке микрополостей в несколько слоев. Цель достигается благодаря тому, что подложку с нанесенными слоями нагревают в неактивной среде до температуры диффузии буферного материала в подложку и герметизирующие слои.
Способ поясняется фиг. 1, 2.
На подложку 1 (фиг. 1) одним из известных способов, например напылением в вакууме через трафарет, наносят буферный материал 2 в количестве и конфигурации, соответ5 ствующих объему и конфигурации микрополости. Затем на всю подложку с участками буферного материала наносят сплошной герметизирующий слой 3. Коэффициент диффузии буферного материала в материал герме10 тизирующего слоя должен быть больше коэффициента обратной диффузии.
Полученную систему нагревают до температуры, при которой заметна диффузия буферного материала 2 в толщу герметизирую15 щего слоя 8. В результате диффузии буферного материала на местах его нанесения образуются полости 4 (фиг. 2). Материал вокруг полости 4 — слой 5 оказывается обогащенным буферным материалом 2. Так как
20 количество и состав газов, заполнивших полость 4, зависит от количества и состава газов, растворенных в буферном и герметизирующем материалах, для получения высокого вакуума в объеме микрополости нанесение
25 материалов на подложку должно производиться в сверхвысоком вакууме без выноса на воздух. Электроды- микроламп наносят на поверхность подложки в те места, на которые будет нанесен буферный материал, в качест30 ве которого можно выбрать легкоплавкий окисел или металл.
345639
Предмет изобретения
УиГ <
Уиг 2
Составптель И. Мышустин
Техред Т. Ускова Корректор О. Тюрина
Редактор T. Орловская
Заказ 3309/14 Изд. № 10! 8 Тираж 406 Подписное .ЦНИИПИ Книнтета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Упрощение технологии о=обенно заметно при ..изготовлении предлагаемым способам
«многоэтажных», -многослойных систем. Качество герметизации не зависит от плоскостности и гладкости поверхности подложки или нижнего слоя. Форма получаемых поверхностей может быть цилиндрической, сферической и т. п.
Способ изготовления герметизированной микрополости, включающий нанесение на об4 .ласть .формирования .микрополости буферното материала в количестве и конфигурации, соответствующих объему и конфигурации будущей микрополости, и слоя герметизирующего матеоиала на всю поверхность подложки, отличаюи4ийся тем, что, с целью повыщения надежности .герметизации и обеспечения возможности получения .на подложке .микрополостей в несколько слоев, подложку с
lO нанесенными слоями нагревают в неактивной среде до температуры диффузии буферного материала в подложку и герметизирующие слои.