Способ изготовления герметизированной микрополости

 

О П И СА Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

345639

Союз Советских

Соцналистнческнх-.

Ресстблнк

Зависимое-от авт. свидетельства №

М. Кл. Н 05k 3/00

Заявлено 07.Х11.1970 (№ 1604684/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 14.Ы1.1972. Бюллетень № 22

Дага опубликования описания 8Х111.1972

Комитет по делам изобретений н открытий при Совета Министров

СССР

УДК 621.3.049.7(088.8) Автор изобретения

В. В. Чесноков

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМЕТИЗИРОВЛННОЙ

МИ КРОПОЛОСТИ

Изобретение относится к электронной технике, к способам изготовления тонкопленочных элементов.

При создании микроламп, размеры активной области которых составляют единицы и десятки кубических микрон, известные способы изготовления стеклянной, керамической или металлической колбы не применимы.

Известен способ создания вакуумной микрополости путем настильного напыления в вакууме герметизирующей пленки на пленку с микронными отверстиями.

Недостатки способа следующие: размеры полости не могут быть большими; полость в плоскости подложки может иметь только круглую форму; отношение диаметра полости к ее глубине не должно превышать 0,5 — 1,0 вследствие подпыления материала в отверстие, возможно загрязнение электродов микролампы.

Целью изобретения является устранение перечисленных недостатков и повышение надежности герметизации, а также обеспечение получения на подложке микрополостей в несколько слоев. Цель достигается благодаря тому, что подложку с нанесенными слоями нагревают в неактивной среде до температуры диффузии буферного материала в подложку и герметизирующие слои.

Способ поясняется фиг. 1, 2.

На подложку 1 (фиг. 1) одним из известных способов, например напылением в вакууме через трафарет, наносят буферный материал 2 в количестве и конфигурации, соответ5 ствующих объему и конфигурации микрополости. Затем на всю подложку с участками буферного материала наносят сплошной герметизирующий слой 3. Коэффициент диффузии буферного материала в материал герме10 тизирующего слоя должен быть больше коэффициента обратной диффузии.

Полученную систему нагревают до температуры, при которой заметна диффузия буферного материала 2 в толщу герметизирую15 щего слоя 8. В результате диффузии буферного материала на местах его нанесения образуются полости 4 (фиг. 2). Материал вокруг полости 4 — слой 5 оказывается обогащенным буферным материалом 2. Так как

20 количество и состав газов, заполнивших полость 4, зависит от количества и состава газов, растворенных в буферном и герметизирующем материалах, для получения высокого вакуума в объеме микрополости нанесение

25 материалов на подложку должно производиться в сверхвысоком вакууме без выноса на воздух. Электроды- микроламп наносят на поверхность подложки в те места, на которые будет нанесен буферный материал, в качест30 ве которого можно выбрать легкоплавкий окисел или металл.

345639

Предмет изобретения

УиГ <

Уиг 2

Составптель И. Мышустин

Техред Т. Ускова Корректор О. Тюрина

Редактор T. Орловская

Заказ 3309/14 Изд. № 10! 8 Тираж 406 Подписное .ЦНИИПИ Книнтета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Упрощение технологии о=обенно заметно при ..изготовлении предлагаемым способам

«многоэтажных», -многослойных систем. Качество герметизации не зависит от плоскостности и гладкости поверхности подложки или нижнего слоя. Форма получаемых поверхностей может быть цилиндрической, сферической и т. п.

Способ изготовления герметизированной микрополости, включающий нанесение на об4 .ласть .формирования .микрополости буферното материала в количестве и конфигурации, соответствующих объему и конфигурации будущей микрополости, и слоя герметизирующего матеоиала на всю поверхность подложки, отличаюи4ийся тем, что, с целью повыщения надежности .герметизации и обеспечения возможности получения .на подложке .микрополостей в несколько слоев, подложку с

lO нанесенными слоями нагревают в неактивной среде до температуры диффузии буферного материала в подложку и герметизирующие слои.

Способ изготовления герметизированной микрополости Способ изготовления герметизированной микрополости 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Изобретение относится к электролитическим способам изготовления печатных схем и заключается в избирательном электрохимическом травлении фольгированного диэлектрика при его движении относительно линейного секционного электрод-инструмента
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)
Изобретение относится к способу изготовления многослойной платы с печатным монтажом

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления

Изобретение относится к созданию трехмерной электронной аппаратуры
Наверх