Способ изготовления шлифовальной шкурки

 

1 г Р, »

11 1 ° с-б" :: и """-байи Сййаин Социвлистических

Республик

О П И С А Н И Е 35I688

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 20.М1!.1969 (Ж 1,364413/25-8) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.IX.1972. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 6.Х.1972

М. Кл. В 24d 11/08

Комитет по делом ивобретеиий и открытиЯ при Совете Министров

СССР

УДК 621.922.024 (088.8) Авторы изобретения

Б. А. Глаговский, Г. Ш. Ройтштейн и И. В. Чиряев

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШЛИФОВАЛЬНОЙ ШКУРКИ

Предмет изобретения

Известны способы изготовления шлифовальной шкурки методом электроосаждения абразивных зерен на покрытую клеем основу, Для удаления зерен наружного слоя, слабо закрепленных на поверхности основы, перед термической обработкой ее подвергают, например, воздействию встряхивающих усилий. Однако указанный механический способ приводит к дезориентации зерен основного слоя, их частичному удалению и отсутствию стабильности в толщине слоя зерен.

Целью изобретения является повышение эффективности удаления слабо закрепленных зерен абразива.

Указанная цель достигается тем, что основу с абразивным слоем подвергают воздействию электростатического поля, полярность которого обратна полярности электроосадительного поля. Слабое закрепление зерен наружного слоя обусловлено в основном отсутствием достаточного слоя клея, что приводит к резкому уменьшению контактной проводимости между заземленной основой и наружным слоем абразива.

Таким образом, зерна наружного слоя абразива имеют заряд, больший чем заряд основного слоя абразива, и при воздействии электростатического поля соответствующей полярности легко удаляются.

Способ изготовления шлифовальной шкурки, заключающийся в осаждении абразива в

15 электростатическом поле на покрытую клеем основу с последующим удалением слабо закрепленных зерен, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности их удаления, основу с абразивным слоем подвергают

20 воздействию электростатического поля обратной полярности.