Элемент памяти

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

37lbl5

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 07.1V.197i1 (¹ 1649327/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 22.11.1973. Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 5.IV.1973

М. Кл. G 11с 11/34

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681,327.67{088.8) Авторы изобретения

Б. С. Борисов и В. В. Поспелов

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известен элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку с втодсоединенными к ней электродами считывания, на поверхность которой нанесена .пленка поляризующегося диэлектрика, и управляющий электрод.

Однако известный элемент памяти имеет малое время хранения информации (несколько часов), низкую чувствительность и быстродействие (до миллисекунд), что связано с использованием в качестве поляризующегося диэлектрика фотоэлектрета.

Предложенный элемент памяти отличается тем, что на поляризующийся диэлектрик |нанесена .пленка фоточувствительного полупроводника, к которой подсоединен управляющий электрод.

Это позволяет увеличить время хранения информации и повысить чувствительность и быстродействие элемента памяти.

На чертеже схематически изображен элемент памяти.

Он содержит полупроводниковую;подложку

1, например, из Si с подсоединенными к ней электродами 2 и 8 считывания, например омическими контактами или р — n переходами. На поверхность подложки нанесена пленка 4 однослойного или многослойного поляризующегося диэлектрика, например, из 31зХ4 .или

ЯОз — S»N4, а на нее в свою очередь — пленка 5 фоточувствительного полупроводника, например, из PbO, CdS, SbqS . На фоточувствительную пленку 5 напылен полупрозрачный управляющий электрод б.

5 Элемент памяти работает следующим образом.

При подаче постоянного напряжения на управляющий электрод б оно распределяется между пленками 4,и 5 пропорционально их

10 сопротивлениям. Так как .поляризация диэлектрика пленки 4 обладает «пороговым» свойством, то сопротивления пленок 4 и 5 подбирают так, чтобы без освещения поляризация и, следовательно, запись не происходили.

При освещении пленки 5 через полупрозрачный электрод б его сопротивление резко падает и все поданное на управляющий электрод напряжение оказывается птриложено к пленке 4, вызывая ее поляризацию, т. е. запись; освещение при другой полярности IIOданного напряжения приводит к стиранию информации. Например, пленка из Si>N4 толщио ной 500A,и с удельным сопротивлением р =

= 10тз ом см и пленка из Sb S3 толщиной о

100000А (10 мк) и р = 10" — 10т4 ом см имеют в темноте соотношение сопротивлений

Рзы,/Рз „ч, = 2 — 20. При освещении Я sb,s

30 уменьшается на 2 — 3 порядка и Rsb.s, IRsi,м,——

= 0,02 — 0,2.

371615

Составитель В, Рудаков

Редактор И. Грузова

Текред Т. Курилко

Корректор Е, Зимина

Заказ 800/16 Изд. ¹ 1187 Тираж 576 Подписное

ЦНИИПИ Комитет= по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Элемент памяти может работать также в режиме импульсного управляющего напряже.ния. При этом длительность имнульеа- недби-рается, чтобы она была меньше постоянной времени зарядки паразитного конденсатора

«поля ризующийся диэлектрик — полупроводник» через неосвещенный фоточувствительный полупроводник и больше, постоянной времени зарядки того же конденсатора через освещенный фоточувствительный полупроводник.

В этом случае за врвмя импульса конденсаmp в темноте не успевает заряжаться и падение напряжения управляющего импульса происходит на фоточувствительном полупроводнике, т. е. за пись. не происходит. При освещенности конденсатор успевает зарядиться и напряжение в основном приложено к поляризующемуся диэлектрику, т. е. прои сходит запись или стирание.

П р едм ет изобретения

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку с подсоединенными к ней электродами считывания, на поверхность которой нанесена пленка поляризующвгося диэлвк10 трика, и управляющий электрод, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения,информации и повышения чувствительности и быстродействия элемента, на поляризующийся диэлектрик нанесена аленка фото15 чувствительного полупроводника, к которой подсоединен управляющий электрод,