Прибор на основе арсенида галлия

Авторы патента:

H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

(63) Дополнительное к авт. свил-sy

Щ Заявлено 280671 (21} 1674 107/26-25 (Sl) М. Кл.

Н 01 1. 29/00

888Я388Я888Я8 8811881

6888П II88Wy88 OC5P .

88 Рив 8888()8т886

8 ЭПЦ}ИПФ (43) Опубликовано 05.12.77. бюллетень ЭЬ 45 з ь (45) Дата опубликования описания,1412,77 (53) УДК 628. 382.2 (088.8} (73) Автори

Б.С.Лисенкер, И.E.Ìàðîé÷óê, 10.E.Ìàðîí÷óê и О.В.Сеношенко иаобрвтвниЯ

pl) 3аявитвль институт Физики полупроводников сибирского отделения AH cccP (54) ПРИБОР HA ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Формула изобретения

Изобретение относится к конструк-1 циям полупроводниковых устройств на основе арсенида галлия, использующих принципы эФФекта поля.

Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структуры).

Известные МДП- структуры не позволяют получить плотность поверхностных состояний на границе раздела арсенид галлия-диэлектрик менее 10© см .

Из-за значительной плотности состояний (1-4) ° 10 см, на границе раздела -диэлектрик полевые приборы с известными МДП- структурами не реализуют в полной мере принципиальных преимуществ арсенида галлия перед традиционными полупроводниками (кремний и др).

Цель изобретения вЂ” создание МДПструктуры на основе арсенида галлия с низкой (Э-10н см ) плотностью коверхностных состояний на границе раздела GaAs-диэлектрик и получение электрически прочного диэлектрика (Е„, 10 В/см) .

Цель достигается введением кромежуточного слоя диэлектрика нитрата гал2 лия бай между арсенидом галлия и слоем (или слоями) основного диэлектрика, например Si>18„.

При изготовлении предлагаемой конб струкции на пластину или слой арсенида галлия наносят слой нитрида галлн:=:-. выращивают слой {или слои) основного диэлектрика, затем наносят слой метал- ла или сильно легированного полупро)О водника.

Присутствие в МдП-структуре слоя нитрида галлия позволяет существенно (более чем в 3-4 раза) понизить плотность поверхностных состояний на гра)б нице раздела и, следовательно, сущест= венно улучшить характеристики полевых приборов на основе 6aAs например, увеличить максимальную рабочую часто=ту полевых транзисторов и МДП-варика2О пов .

Прибор на основе арсенида галлия с

М изолированным электродом, о т л и ч ю шийся тем, что, с целью улучше.ния его характеристик„ между арсенндом галлия и слоем диэлектрика распс=ложен дополнительный слой нитрида г;-. вЂ” лия.

Похожие патенты:

Емкостный триод // 367490

Полупроводниковый варикап // 367488

Полупроводниковый прибор // 360800

Элемент интегральной микросхемы // 354768

Симметричный тиристор // 349356

Активный элемент электронных схем // 349044

Патент 347838 // 347838

Патент 341377 // 341377

Полупроводниковый индуктивный элемент // 339248

Патент 334917 // 334917

Полевой транзистор с p-n переходом и способ его изготовления // 2102818

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Полупроводниковый прибор с барьером шоттки // 2105385

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Симметричный тиристор // 2106720

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Двухзатворная мдп-структура с вертикальным каналом // 2106721

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Биполярный транзистор интегральной схемы // 2108640

Вертикальный мдп-транзистор интегральной схемы // 2108641

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции

Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117