Патент ссср 385250

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

385250

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от BBT. свидетельства №вЂ”

Заявлено 22Л11.1971 (№ 1685971/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 29Х.1973. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 6.VI.1974

М. Кл. G 01v 3 00

Государственный номнтет

Совета 1йнннстров СССР по деном нвооретеннй и отнрытнй

УДК 550.838(088.8) Авторы изоб,ретения

A. М. Алексеев, А. E. Ланцов и В. В. Никитский

Всесоюзный научно-исследовательский институт геофизических методов разведки

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВАРИАЦИЙ НАПРЯЖЕННОСТИ

ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к устройствам для геофизической разведки, в частности для измерения вариаций напряженности переменного магнитного поля.

Известна высокопроизводительная аппаратура, применяемая для регистрации вариаций на пряженности магнитного поля.

Недостатком этой аппаратуры я вляется ее чувствительность к микросейсмичеоким помехам, что снижает точность измерений, уменьшает разрешающую способность способа исследования и ограничивает область применения. (По д микросейс мическими помехами понимаются вепровые помехи,,помехи от механического транс по рта,:помехи от кач ки корабля, микраколе бания почвы и т. д.)

С целью повышения точности геофизических измерени|й в условиях микросейсмических помех предлагаемое устройство снабжено двумя магнитостатическими датчиками, |регистри,рующими одну и ту же компоненту магнитного:поля, включенными так, что под действием колебаний магнитного поля зеркала их вращаются в разных направлениях вокруг своей вертикальной оси, а под действием микросейомических помех — в одну сторону. В .первом случае ток фото преобразователя возрастает прямо пропорционально сумме углов поворота каждого зеркала, а во втором — пропорционально разности углов поворота зеркаIB.

Предложенное устройство показано на чертеже, где 1 — основание; 2 и 8 — магниты-индикаторы; 4 и 5 — магнитастатические датчи,ки; б и 7 — постоянные магниты.

Д|ва идентичных датчика 4 и 5 с магнитами-ин,дикато|рами 2 и 8 (направление их полярност и показано на чертеже) зажреплены на общей базе — основании 1. Под действием магнитного поля магниты-индикаторы 2 и 8 вращаются вокруг вертикальной оси один навстречу другому. Под действием механических колебаний основания 1, вызываемых микросейсмически ми, помеха ми, магниты-,индикаторы вращаются в одну сторону. Если одну из плоскостей магнитов-индикаторов ис пользовать в качестве зеркала или прик реп ить,к ним плос,кие зеркальца 8, 9 и осветить, источником света 10, то отраженные о т них лучи,перемещаются: под действием микросейсмических воз2 дей стви и на основание в одну сторону, а под действием магнитного поля — один навстречу другому.

Отраженные от,датчиков лучи попадают на общую диафрагму 11 фотоэлект|рического преобразователя 12. Та ким образом,,при воздействии на датчики вариаций магнитного поля ток фото преобразователя прямо пропорционален приращению света на диафрагме от каждого датчика, а при воздействии микросейсми .ескнх колебаний — пропорционален .разности

385250

Предмет изо<бретени<я

15 б

4 5

S -=

Составитель Л. Байдакова

Техред Т. Курилко Корректор Л. Орлова

Редактор T. Орловская

Заказ 635 Изд. № 631 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» приращения света. Если эта разность стремится к нулю, то система практически не реагирует на микросейомы.

Уменьшение этой разности до минимума производится: подбором датчиков разной чувствительност<и с помощью дополнительных маг<нитов б и 7; при наличии двух источников света — регулировкой освещенности одного из них; при наличи<и д<вух диафрагм — изменением высоты одной из <них и т. д.

Поскольку датчи<ки,идентичны и установлены на общей базе, восприимчивость их к микросейсмическим помехам практичес|ки одинакова, Расстояние между дагчиками выоирается в зависимости от величины собственных магнитных моменто<в,магнитов-индикаторов.

Если Оба датчика <изготовлены и устано<влены идентично, и <расстоян<не между ними не,велико, то разность углов поворота зеркал будет мала и, следовательно, система будет защищена от влияния микросейсмических помех.

То ки фотоэлектрического преобразователя усиливаются усилителем и записываются регистрато<ром. Таким образом, устройство .позволяет регистрировать колвбания <магнитного лоля малых величин при минимальном уровне шумов <в широком д<иа пазоне чувствительностей аппаратуры.

Возможна замена одного из датчиков устройством, идентичным по реакции на микросейсмические колебания, т. е. имеющим одинаковые гео<метрические размеры, момент инерции и жес<вкость растяжки, но не имеющим магнитного момента, например пластинкой из немагнитного материала, В этом случае можно, располагать датчи<к и дополнительное устройство в непосредственной бл<изости

10 один от другого, поскольку магнитные влияния отсутствуют.

Устройство для измерения вариаций напряженности геомагнитного поля, содержащее два магнитостатичеоких датчика, установленHbIx на общем основании од<ин <параллельно

20 другому, осветитель и фотопреобразователь, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, магнитостатические датчи<ки ориентированы ТВ<К, что направление оси намагниченности магн<ита-индикатора одного из датчиков противоположно на п<равлению оси намагниченности магнита-индикатора другого датчика.