Способ измерения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллических образцов

 

Союз Советских

Социалистических

Респ!/блик

391452

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.Xll.1971 (М 1725072/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 25Х11.1973. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 10.XII.1973

М. Кл. 6 01п 23/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 621.386(088.8) Автор изобретения

М. А. Хацернов

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ

ОДНОРОДНО ИЗОГНУТЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ

Изобретение относится к рентгенографическому анализу кристаллов, в частности, к контролю макродеформаций полупро!водниковых кристаллов.

B известном рентгенографическом методе определения:,радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллов образец освещают узким монохроматическим пучком рентгеновских лучей и, перемещая образец па расстояние L e собственной плоскости, измеряют угловые положения его, соответствующие брэгго!Вскому условию, в крайних точках отрезка L. По разности этих угловых положений а вычисляют радиус кривизны R по формуле R=L/n.

Такой способ характеризуется необходимостью настройки образца в каждой точке съемки, потребностью механизма для строго прямолинейного перемещения образца с точным определением длины L. Кроме того, разрешающая способность метода ограничена сравнительно небольшой остротой дифракционных пиков, определясмой горизонтальной расходимость10 первичного пучка (обычно несколько уг.10!Вых минут).

Цсль изобретения — разработать такой способ î Iределения радиуса изгиба кристаллов, который 0 J la„la:! бьl:! чшей разрешающей способностью и позволил бы упростить измерения.

По предлагаемому способу измерсние проИЗВОдят Ila ДВухкристальном спектромстре В параллельной установке (n! — n) с использованием линейного фокуса. Для освещения двух точек поверхности образца из первично-0 монохроматизированного пучка выделяют два показано E!a !ep i cI!le. Ha ep ICE!lc приведены схемы гссметрии съемки и кривой отражения (F — фокус рентгеновской -.рубки, М вЂ” монохроматор, Π— образец, S — щелсвая

10 система, С вЂ” счетчик кванто в, У вЂ” пнтенспвнОсть Отражс!1ных ре1!тгсновскпх Ii÷e !, 8 —— угловое положение образца).

При съемке изоп1утого образца отдсльпь1с участки его освещенной поверхности последо1б вательно входят в отражающее положение.

В результате, точки 1 и 2 образца (см. чертеж) сформируют два дифракционных гика, разделенных по угловой оси на угол сс, равный центральному, гл, меисд! pag!!i ca!!III-Вектора20 ми, идущими от центра кривизны в точки 1 и 2. Вычисление радиуса кривизны ведут по указапноп выше форм ле R =- L/а. где L— расстояние между точками 1 и 2. Ширина просвета В щелях должна быть достаточно ма чей, 25 чтобы кривизной новepx!!ocr!! на освещенном участке образца можно было бы пренсбре1:.

Пр акт11 1сски III IIp!! II a IIp0CBCTa шел!! 1! +0,1> <на пре!Вышать 0,05 л1,11. Кроме того, для повышения точности целесообразно увеличение

30 длины L, которая при использовании рентге

391452

Предмет из о бр етени я!

Составитель М. Хацернов

Тех ред А. Камы ш ни кова

Кор ректор О. Тюр и на

Редактор А. Морозова

За.каз 3262/8 Изд. ¹ 840 Тираж 755

Lli1ИИ11И Гссударсгыенного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, OK-Ç5, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 новских трубок типа БС — 8, 9, 10 может быть равной 8 — 10 л!м.

Предлагаемый способ не может быть использован для анализа неоднородно изогнутых, а также блочных кристаллов, в которых раз- 5 личне В ГлОВОм поло:кении ДВух пикОВ Отражения может быть связано с разориентпропкой блоков в освещаемых участках. Данный способ применяется в практике производства полупроводниковь!х приборо, где использу- 10 ются монокристаллы ряда Веществ, не обладающие блочностью.

Способ измерения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллических образцов, основанный на измер-нии разницы в угловом положении пиков отразкення рентгеновских лучей от двух точек образца, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и упрощения способа, образец облучают двумя лучами, выделенными из монохроматизированного пучка, на двухкристальном спектромстре в поло>кении (и,— и).