Магнитный зонд

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВйДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства X

М. Кл. G Olr 33/00

G 01« 3/08

Заявлено 25.XI.1971 (№ 1717440/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.IX.1973. Бюллетень № 37

Дата опубликования описания 13.II.1974

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

УДК 550.838(088.8) ВПТБ

Авторы изобретения

В. М. Плужников, А. И. Токарев и П. Г. Иванов . .- Ij)$ $. "„Щ Я! t

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженернофизический институт

Заявитель

МАГНИТНЫЙ ЗОНД

Изобретение относится к магнитным измерениям и может найти пр именение для изучения пространственного распределения постоянных и переменных полей и измерения их вел и ч и и ы.

Известны устройства для определения «апряженности силового (электрического) поля.

Чувствительный элемент таких устройств представляет собой биморфную пьсзоэлектр«чеокую пластину, работающую на кручение.

Измеряемое напряжение подается на электроды, нанесенные на свобод н ые грани пьезоэлемента.

Однако указанные усвройства хара ктеризуются низкой чувствительностью и имеют сложную ко нструкцию.

В предлагаемом магнитном зонде для устранения этих недостатко в к од ной из граней сегнетоэлектрической пл а стивы, определяемой выбором среза, чувствительного,к механическим усилиям, прикреплен постоянный магнит.

На чертеже изображен чувствитсль«ый элемент предлагаемого устройства.

Магнитный зонд содержит .корпус 1 и держатель 2, на котором крепится (приклеивается) сегнетоэлекврический кристалл 3. Противо положные грани этого кристалла частично покрыты электродами 4, 5. К кристаллу крсгится постоянный магн ит 6.

В сегнетоэлектр иках, обладающих пьезоэффектом в параэлектрической фазе, на петлю диэлектрического гистерезиса влияет (а налогично электрическому полю E) определенным образом ориентированное механическое напряжение Х. К таким сегнетоэлектрикам относится, например, сегнетова соль. Если кристалл ориентирован, как указано на чертеже, сдвиговое механическое напряжение Хзз эквивалентно электрическому пол|о, приложенному вдоль сегнетоэлектрической оси «г и вызывает смещение петли г«стерсзиса. Это смещен«с может быть измерено по амплитуде четной га рмон ики тока, протекающего в цепи ссгнстоконденсатора.

Предлагаемый магнитный зонд раоотает следующим образом. Магн итное поле В, взаимодействуя с постоян«ым магнитом 6, создает в кристалле ссгнстовой соли сдвиговос напряжение Х.з и, следовательно, смещает пстлю электрического гистерезпса. Если и элсктрода м 4, 5 подключить IIPpeAI0Hlloe электрическое напряжение, то в цспп потечет ток четных гармоник, величина и фаза которых зав«сит от знака и величины Хзз, а, следователь«о, и от проекции «а ось «з вектора магнитного поля.

Предмет изобретения

Ма гнптный зонд, состоящий из чувствитель30 ного элемента, выполненного в виде ссгнсто397864

Составитель П. Иванов

Техред Л, Камышннкова Корректор Т, Добровольская

Редактор Н. Вирко

Заказ 224г9 Изд. И 90 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раун .скas: наб., д. 425

Типография, пр. Сапунова, 2 электрической пластины с электродами, к которым подключен источ н и к переменно го напряжения, и схемы измерения, отличаюгцг,". .а- г тем, что, с целью п овышения чувствитсльисстн и упрощения конструкции, к одной из гран ей пластины, определяемой выбором ореза, чувствительного к механическим усилениям, п1рикреплеп постоянный магнит.

Магнитный зонд Магнитный зонд 

 

Похожие патенты:

Криотрон // 392430

Изобретение относится к магнитометрам и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля и вектора магнитной индукции в науке, промышленности, медицине
Наверх