Способ дефектоскопии тонких пленок
/
Класс 42k, 29
АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ
ОПИСАНИЕ способа дефектоскопии тонких пленок.
К авторскому свидетельству А. 8. Бибергаль, заявленному 15 ноября
1934 года (спр. о перв. № 157167).
О выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 июля 1935 года. (132) Широко известный метод просвечивания рентгеновскими лучами очень малой жесткости, применяемый для исследования тонких объектов, требует специальных трубок и довольно сложной аппаратуры. Исследование тонких объек- тов (c помощью просвечивания) возможно тогда, когда применяется радиация, способная очень сигьно поглощаться в небольших толщинах.
Предлагаемый метод дефектоскопии тонких объектов заключается в применении для этой цели P - лучей (сущеществующий же анализ преследует цель изучения только структуры исследуемого вещества на основе рассмотрения дифракционных картин). р - лучи следуют закону поглощения: I = l, е "*, где 1— интенсивность прошедшей через толщину х радиации, 1, — интенсивность па ца ющей радиации и а — коэфициент поглощения исследуемого вещества.
Обладая с точки зрения дефектоскопии тонких образцов такими же преимуществами, как и мягкие рентгеновские лучи, т. е. способностью сильно поглощаться, что дает возможность обнаруживать малейшие изменения толщины образца, и способностью экспонировать фотопленку, что позволяет фиксировать (как при рентгеновских лучах) обнаруживаемые дефекты, р - лучи могут быть получены значительно легче, чем мягкие рентгеновы лучи.
Источником р - лучей может служить как ленардовская трубка, так и радиоактивный препарат. В отношении первой нужно подчеркнуть, что потребная мощность не велика, в отношении же радиоактивных препаратов надо указать следующее. Радиоактивные препараты, в частности эманация радия, употребляются сравнительно давно и лишь как источники y - лучей для просвечивания очень больших толщин, причем в этом случае можно пренебрегать действием P - лучей.
В иных же условиях постановки опыта возможно, как раз наоборот, пренебречь действием т-лучей по сравнению с р-лучами. В самом деле, вследствие очень большой жесткости ", - излучения последнее оказывает незначительное воздействие на фотопленку (воздействие, которое будет пропорционально числу квант лучей или числу электронов, поглощенных в фотослое) по сравнению с р - лучами. Поэтому время для экспонирования фотопленки при просвечивании тонких образцов при -лучах неизмеримо меньше (при том же числе испускаемых частиц), чем при просвечивании толстых объектов т — лучами; последнее длится or 20 до 100 часов в зависимости от толщины объекта применяемого препарата.
Время для экспонирования f-лучами при просвечивании тонких объектов будет приблизительно во столько раз меньше времени экспонирования т - лучами того же радиоактивного источника, — я х — а х во сколько раз 2е > меньше е — a x
Двойка при е 5 поставлена в тои предположении, что половина интенсивности р-лучей будет поглощена исследуеиой пленкой, в то время как для
7- лучей поглощением в этой пленке можно пренебречь и вести расчет поглощения в фотослсе так, как будто до него дошла вся интенсивность - лучей. а и а — коэфициенты поглощения со1 ответственно для р - и I - лучей, и х —, толщина фотослоя. При это а; во много раз больше а .
Таким образом вследствие незна- I чительности времени экспозиции для - лучей "t - лучи не будут успевать значительно ваулировать фотопленку.
Кроме того возможно вообще избавиться от 1 -лучей обычным способом, отклонив Т - лучи в магнитном поле. и пропустив их через щель в свинцовой ширме.
Относительно мощности радиоактивного препарата как источника р - лучей нужно указать, что при рациональном устройстве ампулы (для создания усло вий наименьшего поглощения электронов в самом препарате и в стенках ампулы) можно считать число электронов приблизительно равным числу квант
" - лучей.
Предмет изоб ретени я.
Способ дефектоскопии тонких пленок, отличаюи ийся применением при просвечивании и фотографировании быстрых электронов и в частности 3-лучей, Эксперт и редактор К 11. Василька
1:-:n., Пеааткь:й Труд". Зак. 427,; — 4QQ
