Способ выращивания кристаллов дигидрофосфата калия

Авторы патента:

C30B7 - Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ti 0425420

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.05.71 (21) 1655597/23-26 с присоединением заявки № (51) М, Кл

С ЗОВ 7j00

Государственный комитет

Приоритет ло делам изобретений (43) Опубликовано 30.08.82. Бюллетень № 32 (53) УДК 548.0:535 (088.8) и открытий (45) Дата опубликования описания 30.08.82 (72) Авторы изобретения И. В. Гаврилова и В. Б. Козин (71) Заявитель Специальное конструкторское бюро ордена Трудового Красного

Знамени института кристаллографии AH СССР (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ

Изобретение относится к способу получения монокристаллов дигидрофосфата калия, которые используют в квантовой электронике.

Известен способ выращивания дигидрофосфата калия из растворов при постоянной температуре с добавлением в процессе выращивания исходного раствора в кристаллизацнонную камеру и отводом конденсата из нее.

Однако в кристаллизационной камере не поддерживается постоянное пересыщение.

Цель изобретения вЂ” поддержание в кристаллизационной камере постоянного пересыщения.

Это достигается тем, что в процессе выращивания в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отводят в количестве, равном количеству растворителя, добавленному с раствором.

Пример. Путем синтеза, например, по реакции КОН+НзР04 = КН Р04+ Н О из ранее приготовленной соли готовят насыщенный раствор данной концентрации. Раствор перегревают выше температуры его насыщения на 1 вЂ” 2 С и заливают в кристаллизационную камеру с заранее укрепленными и нагретыми в нем затравками.

Одновременно с этим к кристаллизационной камере подсоединяют устройство для подпитки раствора и отвода конденсата.

Вещество, с помощью которого производят

5 подпитку, вводят в кристаллизационную камеру в виде водного раствора с температурой насыщения ниже комнатной.

Раствор для подпитки вводят в кристаллизационную камеру непрерывно в течение

10 всего цикла кристаллизации. Избыток растворителя (воды), поступающий в кристаллизационную камеру вместе с ненасыщенным раствором, удаляют из нее с помощью системы отбора конденсата в таком

15 же количестве. Таким образом, пересыщение в растворе в течение всего цикла кристаллизации остается постоянным.

Этим способом выращены оптические кристаллы дигидрофосфата калия весом

20 2 вЂ” 2,5 кг в кристаллизаторе емкостью 4,5, пригодных для использования в приборах для квантовой электроники.

Формула изобретения

Способ выращивания кристаллов дигидрофосфата калия из раствора при постоянной температуре с добавлением в процессе выращивания исходного раствора в кри30 сталлизационную камеру и отводом кон425420

Редактор М. Ленина Техред А. Камышникова Корректор Е. Михеева

Заказ 1180/17 Изд. № 208 Тираж 883 Подписное

11ПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 денсата из нее, отличающийся тем, что, с целью поддержания постоянного пересыщения в процессе выращивания, в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отводят в количестве, равном количеству растворителя, добавляемому с раствором.

Способ выращивания кристаллов дигидрофосфата калия

Патент 415040 // 415040

Кристаллизатор для выращивания монокристаллов из растворов // 412713

Способ получения эттрингита // 407575

Патент 402506 // 402506

Фонд вноертш // 400139

Шихта для выращивания ферромагнитных монокристаллов // 394317

Способ получения пленок сульфида свинца // 371963

Патент 353469 // 353469

Патент 292888 // 292888

Способ получения монокристаллов твердых растворов ортотанталата сурьмы // 2109856

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортониобата сурьмы // 2113556

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Устройство для выращивания водорастворимых кристаллов // 2114220

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Кристаллогидраты полисиликата натрия и способ их получения // 2118642

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Способ обработки поделочных камней группы халцедона // 2119977

Способ получения синтетических монокристаллов кварца // 2120502

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Способ получения сцинтилляционного материала // 2126062

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Способ выращивания кристаллов в домашних условиях // 2130978

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Способ получения синтетического опала // 2132414

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора // 2133307

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР