Полупроводниковый @ -детектор

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ iE-ДЕТЕКТОР, состоящий из полупроводниковойпластины^ расположенной в контей- . нере, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и ускорения сборки, полуг; проводниковая пластина зажата между кольцами из упругого пористого изоляционного материала, например поролона. .

СООЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„80„„426582

А1

15@ 4 С 01 т 7/00

»"». ". I»»V .

; ь

»»

f, » » ,Я

4Й 5

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (2) ) 1715812/26-25 (22) 19.11.71 (46) 07.09.89, Вюл, Р 33 (72) Г,H,Çîðèí (53) 539.1.076(088.8) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ . ПРИ ГКНТ СССР (54)(57) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДF,-ДЕТЕКТОР, состоящий из полупроводниковой

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых детекторов и технике эксперимента в области ядерной физики.

Полупроводниковые ДЕ-детекторы в последние годы используют взамениониэационных камер в экспериментах по изучению ядерных реакций благодаря простоте эксплуатации и малым размерам входных и выходных окон. Например, эти детекторы применяют для идентификации продуктов ядерных реакций в методике ДЕхЕ.

Хрупкость полупроводниковых; пластин толщиной 10-150 мкм, а также требование удобства в эксплуатации накладывают жесткие условия.на конструк» цию оправки ДЕ-детектора. Известна керамическая оправка с прикрепленной к ней с помощью эпоксидной смолы полупроводниковой пластинкой. В качестве электрического вывода служит электропроводящий слой„ который наносят на поверхность пластины и близлежащие поверхности оправки.

Однако в известных детекторах жесткое крепление полупроводниковой пластины к корпусу оправки может привес-»

2 пластины; расположенной в контейнере, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и ускорения сборки, полу.-, проводниковая пластина зажата между кольцами из упругого пористого изоляционного материала, например поролона. ти к деформации, ухудшающей характе" ристики детектора, а также требует применения дорогостоящих специаль- а е ных эпоксидных смол; имеется возможность разрыва электропроводящего слоя в результате перепадов температур и механических встрясок; основные ха- С» рактеристики детектора плохо воспроизводятся из-за влияния эпоксидных смол на свойства поверхности полупроводниковой пластины, Цель изобретения — повышение.механической прочности детектора при одновременном получении электрической CiR изоляции, не меняющей свойств поверх« ОО ности полупроводниковой пластины; ус- Ьм1 корение сборки оправки., Цель достигается тем, что в предлагаемом детекторе полупроводниковая пластина зажата между кольцами из поролона в контейнере, На чертеже изображен предлагаемый олупроводниковый АЕ-детектор, разрез.

Детектор содержит высокочастотный разъем 1, металлическую крышку 2 внут" реннего контейнера, полупроводниковую пластину 3, металлический цилиндр

426582 редактор Л,Письман Техред Л.Сердюкова Корректор А.Обручар Заказ 6794 Тираж 483 . . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушокая наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

4 внешнего контейнера, норолоновые кольца 5 и 6, изоляционное кольцо 7 внутреннего. контейнера, изоляционную прокладку 8, металлическую крышку 9 внешнего контейнера.

Внутренний. контейнер .с Д Е-детек тором,.зажатым между норолоновыми кольцами, предварительно очищенными в четыреххпористом углероде и спирте, эк- 10 ранируется внешним контейнером. Стандартный высокочастотный разъем закреплен.на внешнем контейнере таким обра.зом, что стержень разъема входит в паз фторопластового кольца внутренне- 15

ro контейнера для предотвращения разрыва во время сборки оправки электрической выводной:цепи, На крышке и кольце внутреннего контейнера имеются пазы. с двумя отверстиями, на которых укрепляют тонкие проволочки перед закреплением их пастой к контактам,"" детектора. На торце внешнего контейнера имеется цилиндрическое углубление, а на внешней стороне. — резьба, которые обеспечивают установку ДЕ-детектора в телескопе.

Характеристики Д Е-детекторов, снятые до упаковки в оправку и после упаковки,.практически .не отличались одна от другой. Основные параметры

ДЕ-детекторов не менялись в течение

13 мес, для всех толщин (например,. для h,Е-детекторов фирмы ORTKC толщиной до 30 мкм гарантия б мес .) °

Полупроводниковый @ -детектор Полупроводниковый @ -детектор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к дозиметрической аппаратуре, предназначенной для системы радиационного контроля, осуществляемого населением, в соответствии с Концепцией, принятой Национальной комиссией радиационной защиты в 1989 г

Изобретение относится к ядерной физике и биофизике

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для оценки качества деталей при их изготовлении и ремонте, а конкретно - дефектоскопии с использованием радиоактивных источников ионизирующего излучения и коллимированных блоков детекторов

Изобретение относится к области технической физики и может быть использовано для контроля окружающей среды, в частности, санитарно-эпидемиологическими и экологическими службами для контроля за содержанием радона, торона и их дочерних продуктов в воздухе жилых и производственных помещений, в радоновых водолечебницах и специальных медицинских лабораториях, при оснащении зондом в строительной индустрии при выборе строительных площадок, анализа радоноопасности строительных материалов и конструкций; при производстве строительных материалов, открытой разработки и переработки полезных ископаемых; при оснащении барботером для регистрации радона в жидких средах (воде, нефти); в научно-исследовательских лабораториях

 // 433435
Наверх