Способ создания разрыва магнитопровода

Авторы патента:

G11C5/12 - Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L 27/108-H01L 27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K 17/00)

G11C11/02 - с использованием магнитных элементов

429465

ОПИСАНИЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 29.06.71 (21) 1674979/26-9 с присоединением заявки М (32) Приоритет

Опубликовано 25.05.74. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликования описания 15.10.74 (51) М. 1iл.б 11с 5j12

G 11с 11/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР во делам иоабретений и открытий (53) УДК 681.14(088.8) (72) Авторы изобретения

Б. А. Красюк, Ф. Г. Старос, И. В. Берг и Я. М. Беккер (71) Заявитель (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ РАЗРЫВА МАГНИТОПРОВОДА

Предмет изобретения

Изобретение относится к созданию элементов автоматики и вычислительной техники.

Известный способ создания разрыва магнитопровода путем локального изменения магнитных свойств материала магнитопровода не обеспечивает повышения точности локализации разрыва и прочности магнитопровода, Цель изобретения вЂ” повышение точности локализации разрыва и увеличение прочности магнитопровода.

Это достигается тем, что изменение магнитных свойств материала магнитопровода производят путем введения в место создания разрыва ионов металлов, образующих с материалом магнитопровода немагнитные и слабомагнитные соединения.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

В область предполагаемого разрыва магнитной цепи, в кристаллическую решетку материала вводят, например, с помощью ионной ипплантации, ионы соответствующих металлов, образующих немагнитные или слабомагнитные соединения. Так, например, в многоотверстной ферритовой пластине, содержащей ионы Мд+, Мп+ и Fe+, в область предполагаемого разрыва магнитной цепи вводят ионы

Сг+ или А1+" . Здесь локально образуются хромиты или алюминаты, отличающиеся либо отсутствием магнитных свойств, либо слабым проявлением ферримагиетизма.

Способ создания разрыва магнитопровода, 15 основанный на локальном изменении магнит - ых свойств материала магнитопровода, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности локализации разрыва и прочности магнитопровода, изменение магнитных свойств

20 материала магнитопровода производят путем введения ионов металлов, образующих с материалом магнитоировода нсмагнитные и слабомагиитные соединения.