Запоминающие устройства статического типа (G11C)
G Физика(403185)
G11 Накопление информации(18772)
G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17)(8290)
G11C7 - Устройства для записи или считывания информации в цифровых запоминающих устройствах (G11C5 имеет преимущество; вспомогательные схемы в запоминающих устройствах, использующих полупроводниковые приборы G11C11/4063,G11C11/413, G11C11/4193)(753)
G11C8 - Устройства для выборки адресов из цифрового запоминающего устройства (вспомогательные схемы в запоминающих устройствах, использующих полупроводниковые приборы G11C11/4063,G11C11/413, G11C11/4193)(181)
G11C13 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением элементов памяти, не отнесенных к группам G11C11,G11C23 или G11C25(125)
G11C16 - Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией (G11C14 имеет преимущество)(89)
G11C17 - Постоянные запоминающие устройства с однократным программированием; полупостоянные запоминающие устройства, например с ручной заменой информационных карт (программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией G11C16; кодирование, декодирование или преобразование кода вообще H03M)(515)
G11C19 - Цифровые запоминающие устройства со ступенчатым движением информации, например сдвиговые регистры (счетные цепи H03K23)(952)
G11C23 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся характером движения механических частей, например с использованием шариков; элементы памяти для них (запоминание возбуждением контактов G11C11/48)(31)
G11C25 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся использованием текучей среды; элементы памяти для них(17)
G11C27 - Электрические аналоговые запоминающие устройства, например для запоминания мгновенных значений(725)
G11C29 - Контроль запоминающих устройств на правильность их работы(1344)
Управляющий автомат с контролем состояний // 2793301
Настоящее изобретение относится к вычислительной технике и дискретной автоматике и может быть использовано для создания информационно-управляющих подсистем мехатроники и робототехники, летательных аппаратов, измерительных систем, систем оборонного комплекса и других средств автоматизации технологических процессов и производств.
Изобретение относится к области запоминающих устройств статического типа. Технический результат заключается в снижении энергопотребления схемы.
Изобретение относится к способам оценки сечений радиационно-индуцированных сбоев в микросхемах статической памяти при воздействии потоков нейтронов произвольного спектра до 14 МэВ и может быть использовано в рамках мероприятий по обеспечению сбоеустойчивости аппаратуры, определенной к эксплуатации в условиях воздействий нейтронных потоков с произвольным спектрально-энергетическим составом в диапазоне до 14 МэВ путем расчетно-экспериментальной оценки на основе пересчета экспериментальных сечений сбоев, полученных с помощью доступных источников нейтронов, на сечение сбоев в прогнозируемых условиях при эксплуатации.
Изобретение относится к области выборки данных, а конкретнее представлены схема выборки данных и устройство выборки данных. Технический результат – уменьшение шума обратной связи первой выходной клеммы и второй выходной клеммы, клеммы сигнала данных и клеммы опорного сигнала, уменьшении межсимвольной интерференции и снижении энергопотребления.
Изобретение относится к устройству хранения данных с системой шифрования. Технический результат заключается в повышении защищенности сохраненных данных за счет их шифрования.
Способ получения активного слоя для бесформовочного элемента энергонезависимой резистивной памяти // 2779436
Изобретение относится к изготовлению мемристора. В способе формируют на предварительно подготовленной подложке диэлектрический слой нестехиометрического оксида гафния HfOx с составом х<2, обеспечивающим резистивное переключение.
Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства с радиоактивным источником питания // 2777553
Изобретение относится к наноэлектронике и служит для создания энергонезависимого статического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является уменьшение энергопотребления и повышение степени интеграции.
Изобретение относится к области вычислительной техники и систем управления. Технический результат заключается в реализации параллельного поиска при уменьшенной аппаратной сложности устройства.
Группа изобретений относится к системе выброса текучей среды струйной печатающей систем. Интегральная схема для возбуждения множества устройств активации текучей среды, причем интегральная схема содержит конфигурационный регистр, множество интерфейсов, содержащих интерфейс режима и интерфейс данных, и управляющую логику для активации записи в конфигурационный регистр в ответ на переход сигнала в интерфейсе режима к высокому логическому уровню при сигнале с высоким логическим уровнем в интерфейсе данных.
Самоконтролируемый автомат // 2775173
Изобретение относится к вычислительной технике и дискретной автоматике и может быть применено в информационно-измерительных системах, в мехатронике и робототехнике, для управления токсичными, пожаро- и взрывоопасными производствами, транспортными системами и другими средствами автоматизации технологических процессов.
Карта памяти и оконечное устройство // 2775156
Настоящее техническое решение относится к области вычислительной техники для связи. Технический результат заключается в оптимальном использовании пространства оконечного устройства за счёт соответствия между контактами нано-SIM карты и пружинными контактами интерфейса карты памяти.
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.
Изобретение относится к автоматике и аналоговой вычислительной технике. Устройство записи и хранения аналогового напряжения содержит два генератора пилообразного напряжения (ГПС), сумматор граничных напряжений (СГН), сумматор ПС (СПС), блок смещения ПС (БСПС), первый вывод УЗХН соединен с первым входом первого ГПС и с первым входом СГН, второй вывод УЗХН соединен со вторым входом СГН, третий вывод УЗХН соединен со вторым входом первого ГПС, четвертый вывод УЗХН соединен с третьим входом первого ГПС, выход СГН соединен с четвертым входом первого ГПС, с первым входом второго ГПС и с первым входом БСПС, первый выход первого ГПС соединен с первым входом СПС, второй выход первого ГПС соединен со вторым входом второго ГПС, третий выход первого ГПС соединен со вторым входом СПС и со вторым входом БСПС, первый выход второго ГПС соединен с третьим входом СПС, второй выход второго ГПС соединен с четвертым входом СПС и с третьим входом БСПС, первый выход СПС соединен с четвертым входом БСПС, второй выход СПС соединен с выходом БСПС и с выходом УЗХН.
Изобретение может быть использовано в устройствах для записи и хранения информации. Cпособ формирования сверхпомехоустойчивого бистабильного термомагнитного запоминающего элемента для записи и хранения информации включает формирование запоминающего элемента из монокристалла варвикита, в котором запись информации осуществляют путем установления температуры монокристалла варвикита выше температуры магнитного фазового перехода, приложения вдоль оси легкого намагничивания монокристалла варвикита слабого магнитного поля и перевод монокристалла из парамагнитного в магнитоупорядоченное состояние путем охлаждения в этом поле до криогенной температуры: температуры жидкого водорода или жидкого гелия, а хранение информации в запоминающем элементе осуществляют при криогенной температуре в отсутствие магнитного поля.
Элемент входного регистра // 2771447
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении быстродействующих адресных регистров запоминающих устройств и входных регистров микропроцессорных систем. Техническим результатом является повышение быстродействия.
Защищенный накопитель информации и способ защиты информации от несанкционированного доступа // 2769750
Изобретение относится к области запоминающих устройств. Технический результат заключается в обеспечении уничтожения информации встраиваемого твердотельного накопителя при угрозе несанкционированного доступа.
Изобретение относится к компьютерной технике и предназначено для осуществления процесса декодирования цифровой информации, поступающей от нескольких независимых микросхем NAND-флеш памяти, в аппаратуре контроллера немеханических запоминающих устройств на основе микросхем NAND-флеш памяти.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении выравнивания микроскопического износа энергонезависимой памяти.
Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может найти применение в ответственной аппаратуре, имеющей повышенные требования к надежности, например в устройствах управлениях ракетно-космической техники.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в подавлении квантовых шумов в оптической квантовой памяти на основе протокола восстановления подавленного фотонного эха.
Изобретение относится к термовыдержке электронных компонентов (ЭК), в особенности работающих на высоких частотах. Технический результат - создание устройства термовыдерживания ЭК, отвечающего ограничению по минимальной частоте (300 МГц), с конструкцией, отвечающей условиям промышленного производства.
Способ и ассоциативное матричное устройство параллельного поиска образца по его префиксам // 2760628
Настоящее техническое решение относится к области вычислительной техники. Технический результат заключается в уменьшении времени операции поиска вхождений образца в тексте на основе ассоциативной памяти.
Изобретение относится к области вычислительной техники. Технический результат заключается в повышении скорости сборки мусора и сокращении загрузки контроллера при выполнении соответствующих операций.
Изобретение относится к области вычислительной техники. Технический результат заключается в коррекции ошибок в двух байтах информации, возникающих в процессоре ЭВМ при выполнении арифметических и логических операций, например, из-за отсутствия или возникновения лишних переносов.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в коррекции ошибок в байте информации, возникающих в процессоре ЭВМ при выполнении арифметических и логических операций из-за отсутствия или возникновения лишних переносов.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности хранения информации.
Группа изобретений относится к области вычислительной техники и электроники и может быть использована для построения цифровых микросхем, отказоустойчивых к облучению. Техническим результатом является обеспечение косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых испытательных цифровых микросхем, построенных способом постоянного мажоритарного резервирования.
Изобретение относится к компьютерной технике и предназначено для измерения скоростных характеристик различных периферийных устройств, осуществляющих запись и хранение информации, устанавливаемых на вычислительные системы.
Способ хранения данных в избыточном массиве независимых дисков с повышенной отказоустойчивостью // 2750645
Изобретение относится к системам хранения данных. Техническим результатом является повышение отказоустойчивости системы хранения данных с минимизацией влияния процессов, обеспечивающих отказоустойчивость системы, на производительность процессов чтения и записи данных пользователем.
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек.
Способ и система чтения состояния ячейки магниторезистивной памяти с переносом спина stt-mram // 2746237
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении вероятности возмущения чтением.
Способ синтеза шпинели ganb4se8 // 2745973
Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNb4Se8 из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении эффективности хранения фотона в оптическом приборе.
Устройство для переключения мемристора // 2744246
Изобретение относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использовано для стабильного переключения такого мемристора за счет автоматической подстройки формы и длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.
Группа изобретений относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использована для управления стабильной работой такого мемристора за счет автоматической подстройки длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние.
Изобретение относится к беспроводной связи. Технический результат заключается в обеспечении стабильной работы в сети опорных датчиков, удаленных станций с возможностью определения их месторасположения, оценки качества сигнала, без необходимости синхронизации времени между опорными датчиками и удаленными станциями, с последующей постобработкой, записью данных в базу данных и возможностью отправки полученных данных обратно на удаленные станции.
Группа изобретений относится к программируемым логическим устройствам. Техническим результатом является уменьшение пространства кристалла, выделенного для адресации ячеек запоминающих устройств, улучшение тестирования.
Изобретение относится к технике записи и стирания информации с неоднородных полупроводниковых носителей информации (устройств энергонезависимой памяти, флэш-памяти). Техническим результатом изобретения является увеличение надежности при бесконтактном способе стирания информации, уменьшение энергопотребления и времени стирания информации электромагнитным полем.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в выявлении потенциальной неисправности в запоминающем устройстве в течение заранее заданного периода времени.
Изобретение относится к идентификационным меткам, которые могут быть использованы в качестве устройств, обеспечивающих идентификацию товара или изделий, в частности могут быть использованы при изготовлении листового материала, такого как банкноты, ценные бумаги, документы с целью установления их подлинности.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости к одиночным сбоям.
Изобретение относится к технике связи и может использоваться в системах космической связи. Техническим результатом является создание наземного комплекса приема информации дистанционного зондирования Земли на основе хронологической файл-трансляции, реализующего возможность асинхронной работы наземного комплекса приема и средств структурного восстановления информации.
Элемент резистивной памяти // 2714379
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении отношения величин токов в открытом и закрытом состояниях (Ion/Ioff) с достижением 4-6 порядков.
Изобретение относится к области цифровой обработки информации и может быть использовано для помехоустойчивого кодирования данных с переменной корректирующей способностью. Техническим результатом является обеспечение кодирования под различные характеристики кодов Рида-Соломона в процессе работы, обеспечение настройки корректирующей способности в зависимости от предназначения, а также обработка данных в параллельном коде.
Настоящее изобретение относится к области вычислительной техники. Технический результат заключается в снижении энергопотребления отображающей панели.
Активный слой мемристора // 2711580
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, и может быть использовано при создании устройств памяти, например, вычислительных машин, микропроцессоров электронных паспортов, электронных карточек.
Изобретение относится к устройствам для связи устройства числового программного управления (УЧПУ) с исполнительными механизмами станка. Технический результат заключается в возможности применения одной панели управления к разным типам станков.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении степени надежности хранения информации в ячейке MRAM.
Изобретение относится к компоновке схемы для КИП-системы (4) безопасности атомной электростанции. Технический результат заключается в обеспечении FPGA-технологии применительно к условиям эксплуатации атомных электростанций.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в предотвращении ошибок считывания и записи.
