Электронограф медленных электронов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пп 437I47

Союз Советееа

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 15.12.72 (21) 1859008/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 25.07.74. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 23.12.74 (51) М. Кл. H Olj 37/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий (53) УДК 621.385.833 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. М. Артемов и Д. В. Иремашвили (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОНОГРАФ МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

Изобретение относится к технике электронно-структурного анализа поверхности твердых тел методом дифракции медленных электронов.

Известны электронографы медленныхэлектронов, которые обеспечивают измерение интенсивности дифракционных рефлексов по всему дифракционному полю при повороте кристалла вокруг электронно-оптической оси прибора.

Однако при повороте кристалла происходит поворот дифракционной картины относительно щели в экране, за которым расположен коллектор. Вследствие этого нарушается условие постоянства взаимодействия зондирующего пучка с локальным участком поверхности кристалла. Такое нарушение условия взаимодействия не позволяет проводить тонкий электронно-структурный анализ. Это особенно сказывается при электронографировании кристаллов с «пятнистой» поверхностью, исследование которых на данном приборе остается за пределами его чувствительности.

Целью изобретения является расширение экспериментальных возможностей прибора для изучения тонкой структуры поверхностей, например, «пятнистых» кристаллов.

Для этого в устройстве применен поворотный флуоресцирующий экран в виде полого шарового сегмента, у которого ось поворота совпадает с электронно-оптической осью, но смещена относительно середины экрана. На большой стороне экрана в направлении от оси поворота к периферии прорезана узкая щель.

На внешней стороне сферической поверхности экрана находится коллектор электронов, способный перемещаться вдоль этой щели с сохранением постоянства апертуры и ее ориентации на центр экрана. Коллектор изолирован от экрана и имеет токовывод на внешний регистрирующий прибор. Он выполнен в виде цилиндра с отверстием на боковой стороне, внутрь которого с торцов вставлены два конуса, соединенные вершинами в центре отвер15 стия для входа пучка.

Таким образом, применение поворотного экрана с щелью на его большей стороне и коллектора, способного поворачиваться вместе с экраном и перемещаться вдоль щели, 20 позволяют измерять интенсивность любой области дифракционного поля в пределах развернутого угла при одновременном наблюдении дифракционного изображения, не изменяя условий в точке взаимодействия, а следо25 вательно, и условий микродифракции зондирующего пучка с кристаллом.

На чертеже изображен предлагаемый электронограф.

Устройство, где находится кристалл 1, со30 стоит из пушки 2 нормально падающих электф

437147 ронов, селектирующих сеток 3, флуоресцирующего экрана 4, смотрового окна 5, дифракционной камеры 6, коллектора 7 и пушки 8 электронов, падающих под углом к образцу.

При бомбардировке поверхности исследуемого кристалла 1 электронным пучком, формируемым пушкой 2, возникают дифракционные пучки, которые, пройдя сквозь селектирующие потенциальные сетки 3, попадают на внутреннюю поверхность экрана 4, возбуждая свечение флуоресцирующего покрытия. На экране электронографа возникает дифракционная картина, состоящая из отдельных светящихся рефлексов, наблюдаемая через смотровое окно 5 вакуумной камеры 6. Ввиду малого времени послесвечения флуоресцирующего покрытия при повороте экрана дифракционная картина не изменяется и сохраняет свои первоначальные очертания..Экран поворачивается так, чтобы интересующий рефлекс дифракционного поля оказался против щели в экране. При этом дифракционный пучок, пройдя через щель, попадает на коллектор 7, который имеет токовывод на внешний регистрирующий прибор.

Используя поворотный экран и перемещающийся коллектор, можно определить интенсивность любой области дифракционного поля при постоянном наблюдении всей дифракционной картины, не изменяя условий в точке взаимодействия зондирующего пучка с кристаллом.

Так как устройство работает в условиях сверхвысокого вакуума, перемещение коллектора и поворот экрана осуществляются при помощи механизма с использованием сильфонного уплотнения.

Электронограф позволяет не только качественно изучать картины дифракции, но и одновременно производить количественный анализ углового распределения дифракционных реф5 лексов и их интенсивности при всех возможных углах зондирования. Кроме того, при сохранении условий постоянства взаимодействия системы пучок — кристалл прибор позволяет определить происхождение и природу «пятен»

10. на поверхности (особенно чистых тугоплавких термоэмиссионных катодов в виде монокристаллов).

15 Предмет изобретения

1. Электронограф медленных электронов, содержащий дифракционную камеру, кристаллодержатель, электронные пушки, флуо2О ресцирующий экран, выполненный в виде сегмента сферы, отличающийся тем, что, с целью расширения экспериментальных возможностей прибора для изучения тонкой структуры поверхностей, например, «пятни25 стых» кристаллов, он содержит поворотный флуоресцирующий экран со смещенной относительно его центра осью поворота и со щелью на его большей относительно оси стороне, вырезанной по образующей экрана, кол30 лектор, установленный между экраном и корпусом электронографа с возможностью перемещения вдоль щели.

2. Электронограф по п. 1, о т л и ч а ю щ и йся тем, что коллектор выполнен в виде ци35 линдра с отверстием на боковой стороне, внутрь которого с торцов вставлены два конуса, соединенные вершинами.

Редактор Т. Фадеева

Составитель Г. Жукова

Техред В. Рыбалова

Корректор А. Дзесова

Заказ 3443, 17 Изд. М 115 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Электронограф медленных электронов Электронограф медленных электронов Электронограф медленных электронов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим транспортировку и установку зондов и образцов в позиции измерения и функционального воздействия

Изобретение относится к ядерной технике, в частности к исследованию материалов, подвергающихся воздействию радиации

Изобретение относится к способам получения изображений в растровой электронной микроскопии

Изобретение относится к сканирующей туннельной спектроскопии и может быть использовано в зондовых микроскопах и приборах на их основе

Изобретение относится к области научного приборостроения и может быть использовано при выпуске просвечивающих электронных микроскопов

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники

Изобретение относится к микробиологии и может применяться при профилактике инфекционных болезней

Изобретение относится к вакуумной технике и предназначено для проведения операций по перемещению объектов внутри вакуумных систем
Наверх