Травитель для пленок окислов сурьмы

 

ОП С ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ п1 44lbl5

Союз Советсних

COllH3liHGTH÷åcêèõ

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 29.09.72 (21) 1832153/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.08.74. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 23.0б.75 (51) М. Кл. H Oll. 7/50

С 03с 15/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по девам изобретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

В. Д. Костюк и О. Г. Торба (71) Заявитель (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПЛЕНОК ОКИСЛОВ СУРЬМЫ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при фотолитографии и травлении диэлектрических пленок окислов сурьмы, используемых, например, в технологии изготовления интегральных схем (ИС).

Цель изобретения — улучшение качества п увеличение скорости травления пленок окислов сурьмы.

Цель достигается использованием для травления пленок окиси сурьмы горячей (в пределах 40 †1 С) смеси винной и серной кислот при следующем соотношении компонентов, вес. %:

Винная кислота С4Н60, 0,5 — 25

Серная кислота Не504 0,5 — 5

Вода Н О Остальное.

Травление, например, с использованием состава, вес. :

С Н6О6

H2SO4

Н,О при температуре 85 С происходит со скороО стью около 700 А/мин. При этом не обнаруживаются нежелательные воздействия смеси на фоторезист при литографии пленок Sb 03 толщиной более 1 мкм. Неровность края получаемого рисунка не хуже 0,5 мкм.

Травитсль для пленок окислов сурьмы на основе водного раствора вшшой кислоты, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью улучшения

15 качества и увеличения скорости травления пленок окислов сурьмы, оп содержит горячую (40 — 100 С) смесь винной и серной кислот прп следующем соотношении компонентов, вес. %.

20 Винная кислота 0,5 — 25

Серная кислота 0,5 — 5

Вода Остальное,

Травитель для пленок окислов сурьмы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов

Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов
Наверх