Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния

 

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву(») 534835 (22) Заявлено 23,09,74(21) 2062589/25 (51) М. Кл,т

Н 02 Li 21/465 с присоелииением заявки №вЂ” (23) Приоритет(43) Опубликовано05.11.76.Бюллетень № 41

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382 (088.8 ) (45) Дата опубликования описания 24,02,77 (72) Авторы изобретения 0. А. Кулагин, Н. В. Румак, В. П. Сергеев, и А. Г. Черных (71) Заявитель (54) ТРАВИТЕЛЬ ПЛЯ ВЫЯВЛЕНИЯ НАРУШЕНИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ

СТРУКТУРЫ ПОЛИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и ин тегральных схем и может быть использовано для экспрессного контроля качества под готовки поверхности кремниевых пластин с ориентацией (100) после финишной химико-механической полировки, Известен травитель для выявления фигур (ямок) кристаллической структуры полированной поверхности кремния на основе водных щ растворов гидроокиси калия или натрия fl) „

Травление проводят при температуре 70о

100 С, Недостатком травитепя является его

Плохая селективность.

Наиболее близким техническим решением 1б к предложенному является травитель для вы явления нарушений кристаллической структуры полированной поверхности кремния íà основе 1-30%ного раствора гидроокиси калий или натрия в воде (2). 20

Травитель используют главным образом для оценки дислокационной структуры монокристаллического кремния по фигурам травления и для химической полировки кремниевых пластин с ориентацией (3 1. 25

Недостатком травителя являются высокие скорости травления, что приводит к одновременному травлению всей поверхности кремни евых пластин и не позволяет выявлять дефекты предшествовавшей стадийной механической обработки, а также нарушений кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно плос кости (100), при внедрении акцепторных и донорных примесей в кремний, Целью изобретения является повышение избирательности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно плоскости (100).

Поставленная цель достигается тем, что в травитель дополнительно вводят хлористый аммоний при следующем соотношении компо-. нентов (r/ë):

КОН 10 - 300 и И 50 - 160

Добавление хлористого аммония в трави тель снижает скорость травления, что позволяет определять дефекты поверхности при изготовлении кремниевых подложек.

534835

Составитель В, Мякиненков

Редактор Т. Орловская Техред. А. Богдан Корректор д Лак„да

Заказ 5517/254 Тираж 963 Под»»с»ое

Ш1ИИИИ Государсгвенного комитете Совета М»пиетров СССР по делам изобретений и открытий

11303 ">, Москва, Ж/35, Раушская»ао„д„ I/5

4 »«»!«Ф» I31«!! !Ь!т» »т, !. Ужгороду ул«! Ipoi.êïèø, 4

Травитель можно использовать для экс пресо-контроля качества кремниевых. плао тин после финишной химико-механической,полировки с целью их разбраковки., Ь

Формула изобретения

Травитель для выявления нарушений крид-,И таллической структуры полированной поверх ности кремния, содержащий раствор гидроокиси калия в воде, отличающийся тем, что,,с целью повышения избира, гельности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой вщстинц, ориентированной параллельно. плоско .ти (10ф)„ в него дополнительно введен хлористый аммоний JIp» следуюшем соотношении компоненм гов (г/л):

КОН 3Q 3QQ ы 5Q g6Q

Источники информации, приийтые во внимание при експертизе, 1. 8, С, Коваленко "Металлографические растворы", изд-во Металлургии, 1973, стр, 26.;

2, С, М. Файнштейн Обработка поверх рости полупроводниковых приборов из-во

"Энергия", 1966, стр, 71,-, прототип),

Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния Травитель для выявления нарушения кристаллической структуры полированной поверхности кремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов

Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов
Наверх