Способ образования изображения

 

(11))) 443524

Союз Советских

Соци ели стииесеа

Ресвублик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 28. 10. 66 (21)IIIII86/28?2 (51) М Кл.

G 03 13/22 с присоединением заявки—

Гоаудвротвенный ноинтот

Воввтв Мнннотров СССР оо делам нзооретеннй н открытнй (32) Приоритет—

Опубликовано15.09.74Бюллетень К 3 (45), Дата опубли..ования описания 15Л2.74 (53) УДК

772.93(088.8) Иностранцы

Уильям Лок Гоффи, Петер Джон Серлон, Арнольд Льюк

Пандсэк и Мортииер Леви (США) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Иностранная Фирма

"Ренн Ксерокс Ятд" (Великобритания) (54) СПОСОБ USPABOBAHNH ИЗОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к злейтрографии, а именно, и способу по лучения электростатографического изображения на воспринимающем материале. 5

Йзвестен способ получения изображения на воспринимающем материале под действием электростатических сил с использованием изолирующего слоя, способного размяг н1 чаться на стадйи проявления.

Этот спосоо не обеспечивает высокой разрешающей способности получаемого изображения.

С целью повышения узрешающей способности предлагают на изолирующии слой, контактирующии с по-. верхностью воспринимаюп1его ма ериала, наносить способный разрушаться слоя или вводить частицы этого 2о слоя в толщину изолирующего слоя.

Затем на способном разрушаться слое формируют скрытое электростатическое изображение, которое проя вляют, размягчая изолирующий слой, находяшийся в контакте с восприцимающим материалом, причем частицы разруша егося слоя проникают через размнгченный слой и осаждаются на поверхности воспринимающего материала.

При формировании изображения способный разрушаться слой равномерно заряжают электростатическими зарядами и экспонируют его активным излучением по конфигурации изображения.

На фиг. I изображен воспринимающий материал; на фиг. 2 - схема электростатического заряжения воспринимающего материала; на фиг.

3 - схема экспонирования йзображения; на фиг. 4 — схема проявления изображения жидким растворителем; на фиг. 5 - воспринимающий матерй ал после проявления, поперечный разрез; на фиг. 6 - приспособление дня формирования электростатического изображения.

Воспринимающий материал I

Д ф2Яф

;1) )

5;) o0QT0HT из слоя 2, спас абно о разрушаться, изолирующеГО САОя 3 и опорного слоя 4. Слой 2 имеет толщину 0,2-ID мкм. Частицы этого лая распылены внутри или на поверхности изОлирующего слОЯ 3, который ВыпОлнен эластичным и способным легко размягчаться, обеспечивая избирательное пронйкновение частиц слоя

2 к поверхности опорного слоя и осаждения на нем пад действием электрических сил. Опорный слой

4 мажет быть ВыпОлн8н из ткани, T льги, стекла или палиэтилеHT8g8-талата. Толщина изолирующего слоя находится в пределах 2 мка. Электростатический рельеф, соответствующий проецируемаму Йзображению> формируют на слое 2, например, электрической зарядкой васприйимаю щего элемента в темноте. При этом способный разрушаться слой 2 приао етает потенциал порядка 60-IGG в. алее Воспринпмающии материал экспонируют активным излучением па конфигурации первОначальнаг0 изООражения с помощью приспособления, изоб же1ного на фиг. .

Появление сфор1;= 1р ;;-аннат а иэааражения HB васпринйдающем ма териале производят путем размягчения изолирующего слоя 3 нагреванием или растворением для 038cï8÷8-ния селективности миграции фОтачувствительнагО материала HB па=верх11асть опорного слоя.

В процессе проявления иэображения жидким растворителем (ф)иг.41

11а освещенных участках разрушающий ся слоИ не вымывается, а прирастает к опорному слою, причем на нем отпечатывается требуемое иэабражени81,1, «1-)есь процесс прояаленин эани),)а81 менее одной сек и дает иэа= бр1жение xopomего TGHB с разрешающеи способностью более 200 линий на миллиметр.

Пример I. Взспринимающий материал изгОTaвлиВаит прОкат— кай слоя, состоящего из стайбелитовага эфи)эа, талшиной В 2 мкм HB паье рхнасти полиэфирного слоя ИЗ MuId/)H, имеющега прозрачное алвлиниевае йакрытие с нанесением слоя се= лен-t, толщиной 0,2 мкм.

Сален наносят либо методом вакуу),11111го напыления, либо путем отЛОЖЕНИЯ ПРИ ПРОХожДЕНИИ ПаРОВ, ЛИбо при прохождении паров селейа в

aæ То через 1и "ретую зону, Затем ь) ))1),)нн..111е))ций Материал заряжают в

С1181)и 1 льнбм зарядном устроистве до и-з 1;;111!и 1лй приме рна 61) В, экс паниJ ук)1 и(: f ()4111)КОИ 41Х.)1))1, и 110111)ужают

Б

1О

20)

13

2.

Jп .1 )

)i.) В емкОсть с Циклогексанам на 2 сек, где неэвспонированные участки воспринимающего материала вымываются, при этом получается точная копия ре продуцируемого оптического иэображенияф

Пример 2. Боспринимающий материал изготавливают из листа полиэфирной пленки, алюминирован ного материала Милар, покрытого слоем ма-.ериала " Г.ссо1ех цд толщиной,, примерно, в 2 мкм. 11ля

Фо миравания разрушающегося слОя

2 В мкм каскадйым методом посыпают смесь графитовых частиц и кусочков стекла размером в 50 мкм.

Электростатическое изоб ение формируют при помощи приспосаб. ления, изображенного на ф)иг. b, содержащего воспринимающйй материал I, шаблон 5 и коронный зарядник

6, пйтаемый ат источника тока !.

Электростатическое скрыт08 uaodpaжение может быть образовано путем приложения заряда непосредственно к структуре изображения, например, одним из способов, которые известны в технике электростатографическага иэображения.

Затем воспринимающий материал со скрытым иэображением обрабатывают пара;1И циклагексана В результа-е чего происходит мигращ1я частиц с площади, имеющей заряд, к пав рхности палйэфирнай плеЙки,, Участкй, не несу)ш18 изображения„ если это желательна, удаляют, погружая воспринимающий материал в жидкий 1п1клагексан, примерна, на

I0 сек, в результате получается ко= пия.

Способ Об и завания иэОбражения, заключаю циися В формирОвании изображения на васприйи1.1ающем материале под де йс т вием зле к трос татических сил с использованием изолирующего слоя, спосооного размягча ться на стадии проявления, о т— л и ч а ю щ и Й с я тем, чта, с целью повышения разрешающеи способ,;îñòè, на поверхность или В толщину изолирующего слоя вводят способный разрушаться слой и формируют на нем скрытое электростатическое изображение, которое проявляют, размягчая изолирующий слой, на ходящийся в конта сте с воспринймающим материалом, 11ричем частицы способнога раздшаться слоя проникают через размягченный слой и осаждаются на

0110 ()11ой 110))8 jiXHAOТИ BOGITpIfнимающе- Га материала. тира « 5(Я

Подписиое

1акае

ЦЕИИ411г! осударственпого коыитега Совета Министров СССР но делап изобретений и открытий

Москва, 1!2035, Раушская наб,, 4

11репприя пе «11л ент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Составитель Э «ПОЧТЯДЪ

Р<-дак!o1!PAQPQP ТехРед 4, 0РП 1 Ай ЕоРРектоР Н. М, 1- !! с