Способ фототермопластической записи

 

!, ";г";:.. и > 46057I

Союз Советских

Социалистических

Республик о и вива.-к"и-е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ИТВЛЬС1ВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 02.07.73 (21) 1938000/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—

Опубликовано 15.02.75. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 07.08.75. (51) М. Кл. б 11b 11/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам нзабретенкй и открытий (53) УДК 621.3.087 (088.8) (72) Автор ы изобретения

Л. М. Панасюк и М. М. Русанов (71) Заявитель

Кишиневский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В. И. Ленина (54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области првборостроения и может быть использовано при записи информации .на термопластический носитель, обладающий свойствами фотоэффекта.

Известен способ фототермопластической записи, напрлмер, оптической информации, ос.нова ичный на предварительном формировании скрытого электростатического изображе н ия:на поверхности:носителя информации и последующем п рео4разованни его в видимую деформ ационную ка рти ну.

Предлагаемый апособ позволяет увеличить фоточувстиительность записи. Это достигается тем, что,перед началом запи си на поверхности термопластичеокого слоя .создают путем на несения электростатического за ряда упорядоченный миосрорельеф глубиной от 0,01 до

0,1 мкм, IIpH этом одновремен но осуществляют нагрев слоя носителя до темле ратуры текучести.

Оу щность способа,заключается в том, что наличие:каких-л ибо периодических нарушений термопластичеокого слоя (нарушения носят закономерный,характер, и каждое из iHHix идентично предыдущему и последующему по своей форме, нап|ример по форме, бли з кой к рааНОмерной вогнутости) приводит к nepepaciIIpepeлетию электрического за ряда. Это увеличивает электростатическую силу, действующую на единицу поверхности термопластнчеокого слоя

2 в местах его макси!мальной деформации. Увеличение электростатической силы будет еще больши м .при возникновении и ндуци рова нного заряда неравномерной величины. Для осуществления записи используют носитель, состояпеий из двух активных слоев — термопластического слоя и слоя фоточувствительного полупроводника. Перед экспонированием фототермопла стический слой разогревают до

Ip .температуры текучести, напри мер до 40 —,80 С, заряжают коронным разрядом, но в режиме

«мягкой» короны, т. е. при 6 000 В и расстоянии коронирующего электрода от поверхности носителя 1,5 см, и далее на поверхности слоя фармируют упорядоченный .микрррельеф с требуемой глубиной борозд. Наиболее п риемлемой является глубвна от 0,01 до 0,1 iMaaM.

Затем на IIQB@pxEIocTb носителя црое цируют изображение в пртвсутствии короны величиной

20 10000 — 12000 В и,разогревают слой.

Такой, способ позволяет снизить предельный потенциал деформации, в результате чего фотопрафичеакая чувствительность процесса за писи увеличивается.

Способ фототермопластической записи, нацример, оптимической информации, основанный

30 на предва рительнам фор мирова нии скрытого

460571

Составитель Г. Сотников

Техред О. Гуменюк

Корректор Н. Стельмах

Редактор А. Пейсоченко

Заказ 2763 Изд. № 1097 Тираж 648

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )Ê- 35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

МОТ, Загорский филиал

3 электростатического .изображения яа поверх ности .носителя внфор мации и последующем преобразованви его в видимую де формационную картвну, отличающийся тем, что, с целью увеличения фоточувствительности записи, пе ред ее осуществлением .на поверхности тер,мопластического слоя создают путем нанесения электростатвчеокого заряда упор ядочевный ивкрорельеф глубиной от 0,01 до 0,1 маем> ври этом одновременно осуществляют earpea слоя

6 носителя до темпЕратуры текучести.