Усилитель мощности

 

(и>49И89

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 14.03.74 (21) 2004940 26-21 с присоединением заявки— (32) Приоритет—

Опубликовано 05.11.75. Бюллетень № 41

Дата опубликования описания 18.03.76

151) М. Кл. Н 03f 3/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.375 (088.8) (72) Авторы изобретения A. P. Пригожин, Ю. В. Клюев, 3. M. Метель и H. В. Радкевич (71) Заявитель (54) УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

Изобретение относится к радиотехнике, может быть использовано для усиления сигналов звуковой частоты в радиоаппаратуре различного:назначения.

Известен усилитель мощности, содержащий входной транзистор, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого выходного транзистора непосредственно, а к его базе— через встречно включенные стабилитроны, точка соединения которых подключена к коллектору второго выходного транзистора.

Цель изобретения — уменьшение,искажен ий в области больш их сигналов.

С этой целью в предлагаемый усилитель введен дополнительный транзистор, переход эмиттер — коллектор которого подключен параллельно коллекторному резистору входliîãо транзистора, а база через дополнительно введенный резистор делителя напряжения подключена к точке соединения эмиттеров входного и первого выходного транзисторов.

На чертеже приведена схема устройства.

Усилитель построен на четырех транзисторах: входном 1, включенном по схеме с общим эмиттером, двух входных 2 и 3, включенных по схеме с общим эмиттером и общим коллектором соответственно и дополнительном транзисторе 4, включенном по схеме с общим эмиттером.

База транзистора 1 подключена ко входу усилителя, а его эмиттер — к выходу усилителя. Коллектор транзистора 1 подкгночен непосред твенно к базе транзистора 2 и колб лектору дополнительного транзистора 4, а через резистор 5 — к выводу источника питания 6. К тому же полюсу источника питания подключены эмиттеры транзисторов 2 и 4. База транзистора 4 подключена к выходу уси1в лителя через резистор 7, а через резистор 8— к выходу источника питания 6. Коллектор транзистора 2 подключен к базе и эмиттеру транзистора 8 через стабплитро lbl 9 и 10 соответственно. Параллельно стабилитрону 10 включен резистор 11.

База транзистора 3 подключена через два последовательно включенных резистора 12 и

13 к выводу источника питания 14. К тому же выводу подключен, коллектор транзистора 3.

Общая точка резисторов 12 и 13 подключена через .конденсатор 15 к выходу усилителя.

В режиме покоя ток через транзисторы 1 и 8 определяются напряжением HB участке база — эмиттер транзистора 2 и током коллектора транзистора 4, который задается с помощью резисторов 5, 7 и 8 и напряженнем на участке база — эмпттер транзистора 2.

Ток покоя транзистора 2 определяется резисторами 12 и 13 и цепью смещения, подключенной ко входу усилителя.

491189

Напряжение на,стабилитроне 9 выбрано близким к напряжению на участке база — эмиттер транзистора 3. Если оно несколько превышает по абсолютной величине .напряжение на участке база — эмиттер транзистора 8, через резистор 11 протекает так в направлении от эмиттера транзистора 3 к коллектору транзистора 2. При этом стабилитран 10 не должен быть, пробитым.

Дрейф тока, покоя транзисторов 1 — 3 компенсируется в данном усилителе так же, как в известном. Дрейф тока покоя транзистора

4 компенсируется за,счет изменения токов покоя транзисторов 1,и 3. Чтобы исключить этот дрейф, транзистор 4 в режиме покоя можно закрыть, выбором резистора 8. При этом база транзистора 4 должна быть подключена к выходу усилителя через дополнительные резистор и конденсатор, соединенные последавательно.

В д инамическом режиме,при работе усилителя в области малого сигнала нелинейные искажения уменьшают .выбором небольшого сопротивления резистора 11 с компенсацией напряжения на участке база — эмиттер транзистора 8 при помощи стабилитрана 9.

При работе усилителя в области большого сигнала,в отрицательный полупериод на выход работают транзисторы I,è 2, стабилитрон

10 пробит. Ток через резистор 7 уменьшается, тра изHcTolpbI 4 и 3 закрываются и не влияют на работу усилителя. iB другой полупериод на выход усилителя работают транзисторы

1 — 4.

В этот период с ростам тока эмиттера тра нзистора 3 растут ток через резистор б и коллектарный ток транзистора 4. При этом ток эмиттера транзистора 1 нарастает на величину изменения тока коллектора транзистора 4.

Увеличение тока через транзистор 1, который,включен в петле отрицательной обратной связи по схеме с общей базой, эквивалентно уменьшению общего сопротивления базовой цепи транзистора 1 и соответственно увеличению коэффициента усиления по току входного каскада в петле, который приближается при этом к коэффициенту усиления по таку.

Коэффициент усиления по току,в петле

5 транзистора 1 может быть учтен в коэффициенте усиления (К;з) по току в петле транзистора 8, который находится из выражения:

1 з—

p„(1 — а1) 10 где l „— сопротивление,источника сигнала;

R; — сопротивление базовой цепи для для выходного транзистора 3;

К;4 — коэффициент усиления по току каскада,на дополнительном транзисторе 4;

aI,àç — коэффициенты усиления тра нзисторов 1 и 8 в схеме с общей оазой.

B связи с этим, растет глубина отрица25 тельной обратной связи в,петле, в которую входят транзисторы 1 — 8, что уменьшает искажения усилителя в области большого сигнала.

Формула изобретения

У силитель мощности, содержащий входной транзистор, эмиттер которого подключен к эмиттеру первого выходного транзистора непасредсввен но, а к его базе — через встречно включенные .стабилитроны, точка соединения которых подключена к коллектору второго,выходного транзистора, отличающийся тем, что,,с целью уменьшения искажений в области больших cHDHBJIQB, iB него введен допол40 нительный транзистор, переход эмиттер — коллектор которого подключен лараллельно .коллекторному резистору входного транзистора, а база через дополнительно:введенный резистор делителя на пряжения подключена к точ45 ке соединения эмиттеров входного и первого выходного транзисторов.

Редактор Б. Федотов

Составитель М. Аудринг

Техред 3. Тараненко

Корректор И. Симкина

Заказ 141/205 Изд. ¹ 105 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харью. фил. пред. «Патент»