Сканирующее устройство

 

50Зж2

Составитель И. Сидорова

Техред М. Семенов

1,орректор A. Дзесова

Редактор Л. Тюрина

Заказ 703/17 Изд. № 1098 Тираж 864 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 активного элемента. Так как полярность подмагничивающих полей, создаваемых катушками 2, различна, то в некоторой зоне активного элемента намагниченность будет равна нулю и поворота плоскости поляризации светового потока не будет (см. фиг. 2). В случае, когда подмагничивающие поля равны и противоположны по знаку, поворот плоскости равен нулю в центре активного элемента, если величина управляющего магнитного поля, например, правой катушки, возрастет, а левой— уменьшится, то зона, в которой намагниченность отсутствует, переместится от центра влево.

Таким образом, регулируя амплитуду тока в подмагничивающих катушках, перемещают сканирующую зону по всему активному элементу.

Разработка предложенного устройства выполнена на базе веществ с магнитными свойствами и прозрачными в видимом или инфракрасном диапазоне света и обладающих большим удельным фарадеевским вращением. Такие вещества в настоящее время уже существуют, например ферромагнетик Y;Fe;0», 5 обладающий удельным эффектом Фарадея сотни градусов на сантиметр.

Формула изобретения

1. Сканирующее устройство, содержащее ак10 тивный элемент с плоскопараллельными рабочими поверхностями и источник питания, отл и ч а ющ ее с я тем, что, с целью расширения области применения, оно содержит подмагничивающие катушки, установленные на

15 противоположных поверхностях активного элемента, выполненного в виде параллелепипеда, и соединенные с источником питания.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, активный элемент выполнен из маг20 нитооптически активного кристалла, например узгеФл.