Шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала

 

ОП ИСАЙКЕ

И ЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик (») 555074 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.02.76 (21) 2325249/33 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.04.77. Бюллетень № 15 (45) Дата опубликования описании 1305.77 (51) M. Кл.

С 04 В 35/00

Гасударственный номитет

Совета Министров СССР па делам изооретений и открытий (53) УДК

666.655 (088.8) (72) Авторы изобретения Г. Ж. Гринвалд, А. Э. Брант, В. А, Гаевска, И. В. Бранте и А. П. Гаевскис (71) Заявитель Латвийский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. П, Стучки (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Исходные компоненты шихты смешивают и

10 измельчают в шаровых мельницах с агатовыми барабанами и шарами в среде этилового спирта в течение 8-10час (до полного прохождения через сито Х 0056) . После высушивания при

120 С-150 С шихту прессуют в брикеты и подвер15 гают первому обжигу при 900 С с выдержкой при этой температуре в течение 2час. Затем брикеты измельчают и размалывают повторно. После помола из просушенной массы при удельном давлении

900-1000 кг, см прессуют заготовки конденсато20 ров в виде дисков и "чашек". Второй обжиг проводят при 1150 С с выдержкой при этой температуре до 1 час. Обжиг проводят в защитной атмосфере, предотвращающей потери Pbo, Примерный состав предлагаемой шихты может

25 содержать следующие компоненты, вес. %:

Известна также шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала, содержащая следующие компоненты, вес.%: PbO 66,84-67,35; Nbg09

26,53-26,74; MgO 1,01-2,03; Ni0 0,41-1,64; ZnO

2,25-5,22. Однако верхний предел рабочего температурного интервала этого материала не превышает

80 С.

Цель изобретения — повышение верхней границы темлературного рабочего интервала материала.

Для этого предлагается шихта для изготовления сегнетоэлектрического материала на основе твердых растворов РЬэ MgNbg 09 — РЬэ К Nbg 09

Изобретение относится к керамическим материалам, обладающим сегнетоэлектрическими свойствами и предназначенным для применения в качестве диэлектрика в электрически управляемых мощных высокочастотных каскадах радиосвязанной аппаратуры.

Известен сегнетоэлектрический материал, содержащий следующие сиспслы, вес.%. PbO 68,08;

Nb209 27,18; МфЭ3,45; NiO 0,07; ZnO 1,23.

Недостатком известного материала является узкий температурный интервал возможного примененияот20 Сдо80 С, Pb3 ZnNb> 09, содержащая указанные компоненты в следующем соотношении, вес. %:

Pb0 66,50 — 67,02 Ь,О, 26,52 — 26,7 5

5 MgO 2,51 — 2,93

NiO 1,50 — 2,24

ZnO 1,82 — 2,23

555074

66,85

26,75

2,71

1,87

1,82

PbO

МЬз O,MgO

NiO

ZnO

66,50 — 67,02

26,52 — 26,75

2,51 — 2,93

1,50 — 2,24

1,82 — 2,23

PbO

МЬз Оз

MgO

NiO

ZnO

Составитель А. Гаевскис

Техред Н. Бабурка

Редактор А. Морозова

Корректор С. Болдижар

Заказ 409/10

Тираж 762 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

После двух обжигов получают материал следующего стехиометрического состава, вес. %:

РЬ з М ц М Ьз О з 0 55 РЬз NiNb Oq 0 25

Pb ZnNb О 0,20, содержащий сверх стехиометрии, 3 з 9 1 >

10 вес.%. 0,5 MgO и 0,2 ZnO. Ha заготовки конденсатора после плифовки наносят электроды методом о сжигания сереоряной пасты при 800 С. Полученный керамический материал имеет следующие диэлектрические свойства на частоте 1 мГц в интервале температур от 10 С до 110 С. Тангенс угла диэлектрических потерь

tg5 < 10 : при 10 С tg5 = 9. 10

2, 1 тз циент управления диэлектрической проницаемости

1 20 при управляющем поле Е = 70кв ° см К ) 2; температурный коэффициент диэлектрической проницаемости находится в пределах:

10з < TKE <+3 10а

4) электрическая прочность материала относительно

25 управляющего поля Е>

Епр = 140- 160 кв ° см

Таким образом, из предлагаемой шихты можно получить керамический материал для электрически управляемых ВЧ- каскадов с рабочим температурным интервалом от 10 С до 110 С.

Формула изобретения

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического матерыала на основе твердых растворов системы

Pb3 Mg NB, 09 РЬз И. МЬз 09 — РЬз,2п ЙЬг 09, Включающая PbO, ИЬз О,, MgO, NiO, ZnO, о т л и ч а ющ а я ся тем, что, с целью повышения верхней границы рабочего температурного интервала, она содержит указанные компоненты в следующем соотношении, вес. %: