Способ фотоочувствления полупроводниковых пленок

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ нн 567l59

Союз Советския

Социалистических

Республик (бl) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.01.75 (21) 2098552/12 (51) М. Кл.2 6 036 13/00 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.07.77. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 01.09.77

Гасурврственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изобретений и аткрытнй (53) УДК 772.93(088,8) (72) Авторы изобретения

В. Д. Овсянников и В; М. Рубинов

Физико-технический институт им. С. В. Стародубцева (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОТООЧУВСТВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПЛЕНОК

Изобретение относится к технике изготовления тонкопленочных фоторезисторов, применяемых в устройствах электроники, автоматики и телемеханики, в частности к электрографическим способам.

Известен способ фотоочувствления полупроводниковых пленок, нанесенных на диэлектрические подложки, путем введения в них очувствляющих веществ, например солей меди и кадмия, и термической обраоотки (1).

Основной недостаток известного способа фотоочувствления заключается в том, что для изменения количества вводимых в полупроводниковую пленку очувствляющих веществ необходимо изменять содержание этих примесей во всем объеме вещества, находящегося в реакторе.

Кроме того, известный способ фотоочувствления требует применения термообработки при высокой температуре, при которои происходит диффузия в пленку неконтролируемых примесей из подложки, ухудшающих качество фотоочувствления.

Целью изобретения является улучшение качества фотоочувствления.

Это достигается тем, что введение очувствляющих веществ осуществляют напылением их из водных растворов или вакуумным напылением, при этом температура термической обработки составляет 200 — 400 С.

Таким образом, введение очувствляющих веществ с их термической обраооткой осуществляют в атмосфере, содержащей газоооразные галоиды сереора и меди, лиоо путем напыления очувствляющих веществ из водных раствором, лиоо вакуумным напылением, после чего производят термическую ооработку в инертнои атмосфере при 1емпературе 200—

400"С.

1о Например, в случае фотоочувствления пленок из соединении Л" Ь " на их поверхность наносят смесь солей меди и кадмия, содержащую в своем составе связанные медь и кадмий в пропорции от 1: 20 до 1: 200, в ко15 личестве 1-0% массы пленки.

Способ может быть реализован следующим образом.

11ленки полупроводника наносят термическим испарением Cd5 или Cd5e или их смеси в вакууме на стекло, предварительно покрытое проводящим слоем двуокиси олова. 1олщину пленок полупроводника выбирают 1—

20 мк. Температуру подложек при напылении доводят до 150 — 200 С. 11осле этого проводят оч) вствление пленок одним из дву х способов.

1. 11одложку с пленкой полупроводника нагревают до температуры 120 — 140» пульверизуют водным раствором солей CdClz u

CkkClg, содержащих СйС12 10%, CkkClg от 0,1

30 до 1%. Пульверизацшо продолжают 1 — 5 сек

67159

Составитель Е. Буренко

Техред М. Семенов

Корректор Л. Зрахнина

Редактор Г. Лаковая

Заказ 1883j17 Изд. М .652 Тираж 685 11одписное

ЦНИИПИ Тосударственного комитата Совета Министров СССР по делам мзобоетений и .открытий

113035, Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/6

Типография, пр. Сапунова, 2 в зависимости от толщины пленки и ее начальной температуры. Это делается для создания на поверхности пленки слоя лигатуры и быстрого испарения воды, разрушающе действующей на холодную пленку. После нанесения лигатуры проводится первый отжиг в течение нескольких минут, затем остаток лигатуры удаляется спиртом и проводится второй отжиг. Оба отжига проводятся в атмосфере инертного газа (Аг, Не) или на воздухе при температуре 280 †3 С.

2. После напыления полупроводниковой пленки и остывания подложки до комнатной температуры на поверхность пленки в вакууме напыляется слой лигатуры (смесь солей

CdClg и CuClg) из кварцевого тигля при медленном нагреве. Навеска смеси солей берется из расчета, чтобы на поверхности полупроводника образовался слой лигатуры, содержащий 0,01 — 0,05% СпС1в и 1 — 8% CdC1>.

После этого проводится отжиг пленки в инертном газе или на воздухе при температуре 280 — 300 в течение 1 — 2 час.

Во всех случаях изготовленные при отжиге в инертной атмосфере резисторы получают темновое сопротивление )5.10 ом и световое сопротивление (5 10 см. При очувств5 ленни отжигом на воздухе получаются резисторы .с темновым сопротивлением ) 10 ом, а световым <5.10 при освещенности 100лк.

Предмет изобретения

10 Способ фотоочувствления полупроводниковых пленок путем введения в них очувствляющих веществ, например солей меди и кадмия, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества фотоочувствления, введе15 ние .очувствляющих веществ осуществляют напылением их из водных растворов или вакуумным напылением, при этом температура термической обработки составляет 200—

400C .

20 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Патент ФРГ № 1597840, кл. 57е 5/08, 1971,