Инжекционный логический элемент

 

(11) 5с)7 ОЧ4 оцналнстннесянх

Реслублнк

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6I) Дополнительное к авт. свил-яу (22) Заявлено 27.11,74 121) 2078483/18-21 с присоединением звявки № (23) Г1риоритет (43) Опубликояано05.03,78, Бюллетень № < (45) Дата опубликования описания1ЧПЗЛ3 г (51) M. 1(л.

03 К 19/00

Гасударственный конетет

Саавтв Маккстроа СССР аа делам мзебретеаах н аткрыткй (53) УЛ1< 0В1.З2..

° 66 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Я. Кремиев, Р. Ж. Ержанов и А. Il. Марков

Московский институт электронной техники (71) Заявитель (54) И11ЖЕК11И011НЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕ11Т

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к интегральным ицжекционным логическим элементам, выполняющим функцию НЕ- — ИЛИ.

Известны интегральньн. полупроводниковые элементы, выполняктщие логические функции, реализуемые как на биполярных транзисторах (!), так и на униполярных транзисторах (2(, а также комбинированные, содержащие биполярные и униполярные транзисторы (3(, (4(Все указанные известные логические элементы имеют один общий нелостаток — большую потребляемую мощность.

Наиболее близким к нреллагаемому техническому решению является инжекционный лощческий элемент HE — ИЛИ, содержащий р — n — р-транзисторы с общей базой, коллек- IS торы которых .являются входами схемы, и п — р — и-транзисторы с общим эмиттером, базы которых соединены с коллекторами р — п--ртранзисторов, а коллекторы объелинеиы и являются выходом схемы. Токи питания схемы поступают в эмиттеры р - и-- р-транзнсто-0 ров (5(.

Недостаток указанного устройства заключается в том, что потребляемая им мощность не обеспечивает возможности работы от малов мощных источников питания. 25

1(ель изобретения -- расширение диапазона рабочих токов в область малых значений и тем самым уменьшение потребляемой мо цности.

11оставленная цель достигается тем, что логический элемент дополнительно содержит полевой и-канальный транзистор с напряжением отсечки, большим нуля, причем нолевой транзистор подключен параллельно и — -р---птранзистору.

На чертеже прелставлена принципиальная электрическая схема логического элемента HF-ИЛИ, выполненного согласно данному изобретению.

Устройство содержит р- и - р транзисторы

1, 2, включенные чо схеме с общей базой, коллекторы которых являются входами 3 и 4, схемы; II--p — — и транзисторы 5 и 6, включенные по схеме с общим эмитгером, базы которых соелинены с коллекторами р- - и- р-транзисторов I, 2, а коллекторы объединены и являются выхолом устройства 7 (А+ В), полевые п-кя. нальиые транзисторы 8 и 9 с затворами. изо. ли рова иным и р- — tl- нерехола ми, истоки которых соединен.. с обшей шиной, а затворы — со входами 3 и 4 соответственно, а истоки .-- с выходом 7 усгройства, эмиттеры р- и -- р гранзисторон I, 2 являются входами 10, 11 токов питания уi Tðîéñòâà.

597094

¹ 355744, с. 1. № 3523(!(),¹ 356789, 42, ри . 126.

A+8

Составитель !. Горелова

Текред О.,11говая Корректор Л. Грииенк<

Тираж !Пнт Под исное

Редактор Н. Белявская

Заказ 1177 55

Е(Н111!ПИ Гос\((àð«òâi èiiîãî коми с,ii (.овета Минисt ров (((.Р но делая изобрет(ний II открыт ii

I I 3()35, Москва. Ж- 35, Раугиская нап. (. 4;

Филиал П1111 «Патент», г. Ужгород, 1л. Проектная.

5 диапазона раоочих TQKQB B област(1 лых значений, он дополнительно содержит 110левой и-канальный транзистор с напряжением отсечки, большим нуля, причем полевой транзистор подключен параллельно п — р — и-транзистору.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: б

1. Авторское свидетельство кл. Н 03 К 19/00, 1970.

2. «Электроника», № 8, 1974, 3. Авторское свидетельство кл. Н 03 К 19/08, 1970.

5 4. Авторское свидетельство кл. Н 03 К 19/08, 1970.

5. «Электроника». ¹ 4, 1974, с.

Инжекционный логический элемент Инжекционный логический элемент Инжекционный логический элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения, в частности, в усилительных устройствах, импульсных устройствах, автогенераторах

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в логических устройствах на комплементарных МДП транзисторах, его задачей является упрощение логического элемента, решаемой за счет изменения связей истоков первого n-МДП и второго p-МДП транзисторов 3 и 2, позволившего использовать общие p-канальный и n-канальный МДП ключи 5 и 6 для формирования логических состояний функции F по обоим выходам 10 ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) и 12 ЗАПРЕТ F по t (F)

Изобретение относится к электроизмерениям, автоматике, импульсной, преобразовательной и др.технике и может быть использовано в качестве многофункционального устройства, например, сравнение фаз или напряжений, или длительностей, или формирователей в интегральном исполнении

Изобретение относится к электроизмерениям, автоматике, импульсной, преобразовательной и др.технике и может быть использовано в качестве многофункционального устройства, например, сравнение фаз или напряжений, или длительностей, или формирователей в интегральном исполнении

Изобретение относится к электроизмерениям, автоматике, импульсной, преобразовательной и др.технике и может быть использовано в качестве многофункционального устройства, например, сравнение фаз или напряжений, или длительностей, или формирователей в интегральном исполнении

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может использоваться в МДП больщих интегральных схемах устройств каскадной логики

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может использоваться в МДП больщих интегральных схемах устройств каскадной логики

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам

Изобретение относится к устройству включения более высоких напряжений на полупроводниковой интегральной схеме с первой последовательной схемой из первого p-канального и первого n-канального транзистора, которая включена между выводом для первого высокого и выводом для первого низкого потенциала, с второй последовательной схемой из второго p-канального и второго n-канального транзистора, которая включена между выводом для первого высокого потенциала и первым входным выводом, причем точка соединения обоих транзисторов первой последовательной схемы соединена с выводом затвора второго p-канального транзистора и образует вывод для выходного сигнала, причем точка соединения транзисторов второй последовательной схемы соединена с выводом затвора первого p-канального транзистора, и причем вывод затвора второго n-канального транзистора образует второй входной вывод
Наверх