Способ изготовления газовых стабилизаторов напряжения

 

СССР

Класс 21 д, 1 2„ № б323б списочник изоь кткния

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3арегистрирозано в Бюро изобретений Госплана при СНК CCCP

Б. A. Киселев

Способ изготовления газовых стабилизаторов напряжения

Заявлено 21 февраля 1938 года в Наркопэпектропром эа ¹ 44856 < 308978) Опубликовано 29 <11евраая 1944 года

Предмет изобретения

1. Способ изготовления газовых стаби шзаторов напряжения, о тл ич ающий ся тем, что, с целью увеличения поверхности, металлические электроды перед монтажем покрыва1ог одним из известных способов тонким слоем коллоидального графита и подвергают отжигу при 500 .

2. Способ по п. 1, отлпчàюшийся тем, что электроды ызгоОбласть нормального катодпого падения в тлеющем разряде ограничивается сравнительно небольпп;ми пределами изменения тока, при которых плотность тока о "та "тс я постоянной. Нормальные неоновые стабилизаторы с железшямп электроламп, матировапнымп для уве.шчеппя поверхности и ооработанными азидом бария, не дают существен:юго увеличения пределов рабочего тока, при которых напряжение остается стабильным.

Кроме того матнрование металлической поверхности ве 1вт к уменьшеншо срока службы стабилизатора за счет катодного распыления материала электродов и явления «забивания» ионов газа ь металлический катод.

С целью увеличения диапазона нспользуемы ; рабочих токов, предлагается проверенньш экспериментально как с точки зрения увеличения пределов тока, так II с точки зрения срока службы следующий способ изготовления неоновых стабиловольт.

С целью значительного увеличеiiH51 поверхности, металлические электроды перед монтажем покрывают одним из известных способов тонким слоем коллопдального графита п подвергают отжигу прп 500".

Сами электроды можно изготов.чять пз чсрпенного одним из известных способов никеля пли железа.

Далее, электроды можно предварпте,п но обрабатывать разрядом в пара; нафталина, бензина илп аце-«лсна, что позволяет регулировать тспень увеличения поверхности электрода.

И, наконец, обработанные предварительно разрядом в парах углс" одородов электроды можно обрабтывать парами щелочного металл», например, цезия, что позволяет зпагчительно уменьшить потенциа l зажигания тлеющего разряда.

А«- 63236

4. Спосоо II0 и. 3, о т л!i и 2 юОтв. редактор 7. А. Л!п.гайзов

Госпланпздат Тпп. Госпланпздата, 1гч. воровского, Калуга Л4З884. Т. 500 зкз. 3. :

I ÎI«IßiOò ИЗ ЧЕРНЕПНОГО ОДПИМ ИЗ ИЗвестиых способов никеля или железа.

3. Способ по п. 1, отлои чающ Й с я тт, что электроды стабилизатора напряжения предварительно обрабатывают разрядоы«в парах нафталина, бензина нли ацетилена, с целыю регулирования степени увели !ения поверхности электрода. щ и йс я тем, что, с целью уь .ечьшения потенциала зажигания тлеющего разряда, обработагн ые нрслварителыю разрядом в йа! ах углеводородов электроды обрабатывают парами щелочного металла., папр«имер, цезия.

Способ изготовления газовых стабилизаторов напряжения Способ изготовления газовых стабилизаторов напряжения 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно к устройствам питания импульсных высоковольтных приборов с накаливаемыми или холодными катодами, в том числе газоразрядных

Изобретение относится к области газоразрядной техники, а более конкретно к управляемым газоразрядным приборам силовой электроники

Изобретение относится к газоразрядной технике, а именно к газоразрядным приборам с холодным катодом и узлам управления, предназначенным для регулирования момента зажигания и может быть использовано для работы в высоковольтных установках в качестве коммутирующих элементов

Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано для получения тлеющего разряда (ТР) постоянного тока для различных целей, преимущественно для накачки газовых лазеров

Изобретение относится к источникам УФ- и ВУФ-излучения на основе барьерного разряда в инертных газах и их смесях с галогенами

 // 161083
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем

Изобретение относится к источникам электронного и рентгеновского излучений, которые могут применяться при исследованиях в области радиационных физики и химии, радиобиологии, а также в радиационных технологиях, например в химической промышленности, медицине и др
Наверх