Способ изготовления кремниевой диодно-мозаичной мишени для телевизионной передающей трубки

 

г С А H.ОП И

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Совет@ими

Социалнетнческни

Реотублнн (6() Дополнительное к авт, санд-ву (22) Заявлено11.03.77 (й) 2461580/18-25 (51) М. Кл.

Н 01 Х 9/20 с присоединением заявки № (23) Приоритет,— (43) Опублнковано30,08.78.Бюллетень № 32 (45) Дата опубликовании описания 17.07.78

Гасударстввиивй иамитет

Сввата Иииистроа СССР па делам изоеретеиий и атирытий (53) УДК 621.385. э832 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л, Г. Антипова, Б. Д. Дворников, А. Г. Морозов и К. В. Санин (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ ДИОДНО-МОЗАИЧНОЙ

МИШЕНИ ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮЩЕЙ ТРУБКИ

Изобретение относится к области алектронной техники и может быть использовано при изготовлении кремниевых диодном озаичных мишеней для телевизионных передаюшях трубок и аналогичных по уст- ройству приборов.

Известен способ изготовления кремни евой диодно-мозаичной мишени, включающий технологическую операцию высокотемпературного отжига в атмосфере сухого кислорода (1), Недостатком такого способа является сложность технологического процесса и недостаточная воспроиэводимость параметров мишени. т5

Извес тен также друг ой сп ос об изг отовления кремниевой ди одно-мозаичной мишени для телевизионной передающей трубки, включающий термообработку в ато мосфере водорода при 400 С в течение о

1 ч (2). Такой отжиг жрфективно уменьшает плотность быстрых поверхностных состояний и позволяет получать воспро, изводимые параметры при дополнительном контроле всех предшествующих тер- 2$ мических пр оцесс ов, ч т о, однако, усл ожняет технологию и уменьшает выход годных приборов.

Целью изобретения является упрощение технолбгии и увеличение выхода годных приборов.

Указанная цель достигается тем, что мишень дополнительно отжигают в ато мосфере водорода при 800-900 С в течение 5-10 мин. При этом обеспечивается воспроизводимое получение требуемой плотности фиксированного заряда, достигается наибольшая гомогенность поверхности и практически полностью снимаются быстрые поверхности состояния, о

При низкотемн отжиге400 С в атмосфере водорода определяющим является взаимодействие водорода с поверхностью кремния на границе раздела S .—

"5 0о в результате чего вместо ненасы2г шенных связей кремния, ответственных за быстрые поверхностные состояния, образуются связи 5 i - H . При достаточной длительности такого отжига практически полностью гасятся быстрые поверхност3 622185 4

Составитель В. Белоконь

Редактор H. Коляца Техред Н. Бабурка Корректор EL Мельниченко

Заказ 4970/2 Тираж 960 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ные состояния и гранина раздела&| -& О достигает состояния равновесия.

При проведении высокотемпературного о отжига (800-900 С) в атмосфере водо.porta также образуются связи St-Í, но с меньшей вероятностью, и при малой длительности отжига эффект снижения плотности быстрых поверхностных состояний

К . заметно слабее, Оцновременное образование гидроксильных групп в окис,ле при таком отжиге приводит к появле tp нию избыточных ионов кремния в окисле, и, таким образом, к увеличению плотности фиксированного заряда.

Поэтому при комбинированном отжиге в атмосфере водорода, когда перед краf ковременной высокотемпературной обработкой лроводится цлительная низкотемпературная обработка, происхоцит наиболее эффективное уменьшение И +< и, так как высокотемпературная обработка яв- щ ляется конечной, нацежно получается требуемая конечная величина Я / q — плотность фиксированного заряца, где Я,,„ удельный заряц в окисле, Я -заряц электрона. 25

Отжиг при 800-900 С в течение 5

10 мин из — за относительно невысокой температуры и кратковременности практически не приводит к изменению остальных параметров прибора и таким образом 30 не требует корректировки предыцущих термических процессов технологического цикле. Восстановительная среца оказывает дополнительное очищающее действие на поверхность кремния, что особенно важно для кремниевых мишеней. Вместе с низкотемпературным отжигом такой отжиг обеспечивает цостижение оптимальных значений С,,/р и К независимо от последователь|ости и характера предыдущих термических процессов. Все эт о целает предложенный сп ос об универсальным, позволяет увеличить выхоц rortjиых приборов и упростить технологический процесс.

Формула изобретения

Способ изготовления кремниевой циод, но-мозаичной мишени для телевизионной передающей. трубки, включающий термообработку в атмосфере водорода при о

400 С в течение 1 ч о т л и ч а ю—

1 шийся тем, что с целью упрощения технологии и увеличения-выхоца годных приборов, мишень дополнительно отжига- ют в,атмосфере водорода при 800-900 С в течение 5-10 мин.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент Англии N 128,5050, кл. 148-175, 1972.

2. Патент США М 3669768, кл. 148-175, 1972.