Способ получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий на подложке

 

В. М. Артюхина, С. Х. Лиссер и Г.и П. Попова (72) Авторы изобретения (7Ц Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕЛКОСТРУКТУРНЫХ

ЛЮМИНЕСПЕНТНЫХ ПОКРЫТИЙ HA ПОДЛОЖКЕ

Изобретение относится к технологии производства электроннолучевых приборов в частности к технологии получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий методом осаждения из суспензия íà подложку центрифугированием с последукяцей сушкой.

Известен способ получения люминесцентных покрытий на стеклянные или camps«1О ные электроннолучевых трубок и электроннооптических преобразователей, включаюший операции осаждения люминофора иэ суспензии на подложку под действием силы тяжести, закрепления люминесцентно!

5 го покрытия на подложке под действием химических и физических процессов в суспензии, удаления жидкой среды сусйензии, закрепления люминесцентного покрытия в процессе сушки и обжига экрана 1

Этот способ, особенно в применении к мелкоструктурным экранам, отличается длительностью операции осаждения,, и, кроме того, не обеспечивает достаточно высокую плотность слоя люминофора., 25

Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ получения люминесцентных покрытий, включающий операции осаждения люминофора из суспензии на подложку под действием центробежных сил, удаления жидкой фазы суспэиэии, сушки и обжига экрана (2J.

Недостатком описанного способа является неполное удаление жидкой фазы суспензии при ее сливе или отсосе вследствие гигроскопичности слоя люминофора, Образующийся при черезмерном содержании жидкости s слое люминофора брак экранов по затекам представляет собой. видимую после высыхания экрана границу влажных участков слоя. В производстве некоторых видов иэделий такой брак составляет примерно 10%.

Целью изобретения является предотвращение образования брака в виде эатеков от жидкой фазы суспензия,-оставщейся в слое люминофора после удаления жидкой .фазы суспензии.

3 ;62218

ФЪ

Йля достижения указанной цели после удаления жидкой фазы суспенэии производят сброс ее остатков из нанесенного слоя люминофора центрифугирования при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил.

Пример. B соответствии с предлагаемым способом подложки закладывают в гнезда ротора центрифуги, в гнезда заливают суспензию люминофора. При вращении ротора гнезда под действием цен- 10 тробежиой силы разворачиваются таким образом, что плоскость подложки располагается перпендикулярно направлению действующих сил (перпендикулярно направлению равнодействующей центробежной 15 силы и силы тяжести), На частицы люминофора в суспензии. действуют силы порядка 5-10у и вызывают энергичное их осаждение на плоскость подложки с образованием плотного 30 слоя люминофора.

По окончании осаждения люмийофора иа подложку вращение ротора прекращают, и жидкую фазу суспенэии удаляют из гнезд путем слива или отсоса.

После удаления жидкой фазы суспензии из гнезд ротора центрифугуснова приводят во вращение, и благодаря этому осуществляют сброс остатков жидкой фазы суспеиэий из слоя люминофора под действием центробежных сил порядка

20-ЗОЯ. Сброс остатков жидкой фазы суспензии происходит при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил. Подложку в гнезде размещают выше дна гнезда с тем, чтобы оставалось место для c6po-. шенных из слоя люминофора остатков жидкой фазы суспензии.

Затем производят закрепление покрытия путем сушки экранов в печи при тема пературе 60-80 С с поддувом очищенного воздуха и путем обжига экранов при о температуре выше 150 С. На полученных экранах брак в виде эатеков отсутствует.

Ф ормула изобретения

Способ получения мелкоструктурных люминесцентных покрытий на подложке, включакндий операции осаждения люц3и6 -: фора из суспензии на подложку под действием центробежных сил, удаления жид кой фазы суспензии, сушки и обжига экрана, о т л и ч а ю ш.и и с я .тем, что, с целью предотвращения образования.брака в вице затеков от жидкой фазы суспензии, после удаления жидкой фазы суспензии производят сброс ее остатков из нанесенного слоя люминофора центрифугированием i при расположении плоскости подложки перпендикулярно направлению действующих сил.

Источники информации,принятые во внимание прн экспертизе:

1. шехмейстер В. H. Технологические рабаты в электроваиуумном производстве

М, Высшая школа, 1967, с. 249262.

2. Патент США М 2119309, кл. 117-33,5 1938.

Составитель H. Григорьева

Редактор Н. Коляда Техред 0. Попович Корректор Li. Мельниченко

Заказ 4970/2 Тираж 960 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., a 4/5

Филиал ППП Патент, r, Ужгород, ул. Проектная, 4