Позищионно-чувствительный фотоприемник

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕ1ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советекни

Соцналнстнчеакнк

Реапубпнк

<н622368 (61) Дополнительное к авт. свий-ву (2 ) айвлено 0809. 5 (2 ) 2171062/18-25 (53) М. Кл.

Н 01 Ь 31 10 с присоединением заявки №

Государственный комитет

СГСР по делам изобретений. н открытий (23) Ириоритет (53) УДКб 21. 382 (088.8) Опубликовано 153379. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 15.0379

В.Р.Трофим и В.А.Чумак

Кыаиневский .политехнический институт им. С.Лазо (54) ПОЗИЦИОНИО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ФОТОПРИЕИНИК

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, а точнее к позиционно-чувствительным фотоприемникам, которые используются в оптических датчиках положения (координат ) светящихся предметов или в ав ток оллимац ион них у глои з мерительных устройствах.

Известны полупроводниковые разрезные фотоэлементы на поперечном фотогальваническом эффекте, состоящие из двух независимых фотоэлементов, изготовленных на одной полупроводниковой пластине и расположенных в одной плоскости на малом расстоянии друг от друга (Ц .

Известны также позиционно-чувствительные фотоприемники на поперечном эффекте, представляющие собой полупроводниковую прямоугольную пластину с контактами, в которой создан р-п-переход, раделенный прорезью (2) .

В этом приборе существует зависимость длины линейного участка позиционной характеристики от ширины перемещаемой по фоточувствительной поверхности "aeтавой полоски, а именно при ширине указанной полоски не более 100 мкм, т.е. много меньше расстояния между контактными площадками, указанная длина также много меньше расстояния между контактными площадками, что уменьшает разрешающую способность прибора. Это ограничивает использование известного прибора в датчиках положения в тех случаях, когда требуется максимальная длина линейного участка позиционной характеристики при минимальной ширине прибора, Цель изобретения — увеличение разрешающей способности при ширине световой полосы не более 100 мкм.

Это достигается тем, что прорезь выполнена по диагонали пластины. на чертеже схематически изображен предлагаемый фотоприемник, общий вид.

Предлагаемая конструкция фотоприемника осуществляется на любом полупроводниковом материале, где выпрямляющий переход может быть как гомо, — так и гетеропереходом, созданным любым из известных способов, и может быть использована как в приборах с общей базой, так и в приборах из двух независимых фотоэлементов.

622368

Формула изобретения

Составитель Г.Шкердин

Редактор Т.Колодцева Техред Л.Албевова Корректор И Ряшко

А ю Ф

Зак аэ 1 125/61 Тираж 922 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Раушская наб.z д.4)5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул .Проектная,4

Позиционно-чувствительный фотоприемник может быть создан э"нитаксиальным наращиванием твердого раствора 1 р-Agx Са, „As из жидкой фазы толщиной 1 на подложке 2 арсени да галлия электронного типа проводимости . После эпитаксиального процесса наносят контактные площадки 3 к твердому раствору и сплошной контакт 4 к арсениду галлия. Выравниванием диагональной прорези 5 глубиной 0 заканчивается ocylaecTBJteHHe зО предложенной конструкции. Прорезью

5 прибор разделяется на два фотоэлемента б.

Прибор работает следующим образом. 15

При перемещении световой полосы по фоточувствительной поверхности от одной контактной площадки 3 до другой контактной площадки меняется величина светового потока на каждом 20 фотоэлементе б, соответственно меняются и фото-ЭДС на них.

Таким образом, с контактных площадок 3 снимается разность двух фотонапряжений, которая является функцией перемещения координаты центра световой полоски. При ширине полоски много меньше геометрической длины и при любой ширине прибора (s целях экономии материала приборы выполнены с минимально возможной шириной фоточувствительной площадки) длина линейного участка практически равна геометрической длине.

Таким образом, благодаря конструктивному выполнению диагональной прорези предложенный прибор имеет длину линейного участка позиционной характеристики равную геометрической длине прибора, т.е. расширяются воэможности использования позиционно-чувст-. вительных фотоприемников в датчиках положения, когда необходима длина линейного участка позиционной характеристики много раэ больше ширины световой полоски.

Позиционно-чувствительный фотоприемник на поперечном эффекте, представляющий собой полупроводниковую прямоугольную пластину с контактами, в которой создан р-п-переход, разделенный прорезью, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения разрешающей способности при ширине световой полосы не более 100 мкм, прорезь выполнена по диагонали пластины.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Полунов Ю.A Свойства позиционно-чувствительных фотоприемников. Оптико-механическая промышленность, 1969, Р 3, с. 51-62.

2. Тришенков М.A. и Фример р.И.

Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с и-р-переходами. Сборник статей Полупроводниковые приборы и их применение, вып. 25, И., Советское радио, 1971, с.159-2ОЗ.

Позищионно-чувствительный фотоприемник Позищионно-чувствительный фотоприемник 

 

Похожие патенты:

Фототриод // 121881

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к полупроводниковым детекторам, и может применяться для регистрации слабых потоков световых квантов, гамма излучения и заряженных ядерных частиц

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ)

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения, и может быть использовано для регистрации излучений в ядерной физике, медицине, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы и гамма-кванты

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств (ФПУ) для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения как в виде одиночных фотодиодов, так и в виде матриц фотодиодов

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb)
Наверх