Способ электролитического травления фосфида галлия

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СЗМДИИЛЬСТВУ! ..., ),,г °

>((Союз Советских

Социалистических

Рест(убли к ((()632269 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 21.02.77 (21) 2455430/18-25 с присоединением заявки >((е— (23) 11р иор итет— (51) М К»

Н 01 1. 21/306

Гесударатеенный наинтет ссср но делам наейретеннн н лткрк!тнй

Опубликовано 25.06.79. Бюллетень _#_å 23 (53) УДК 621.382 (088.8) Дата опубликования описания 03.07.79 (72) Авторы

ИЗООPCT< И И>1

{:..Ч. I!IilfT С, . А. »,;)Ив< р<)Т ><$.. (.. (., !>1113 I il !3). (;..Ч;!р(>п < к г1овосибирский государственный университет и Институт физики полупроводников Сибирского отдеве>11(>1 А1-! СССР с 71: Заяв)с,, (54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАВ:!ЕНИЯ

ФОСФИДА ГАЛЛ ИЯ

1! «>«р(r(>llfl«<>тиос;!тсsl . т(.; по 10гiifl 1!ро-!

Изводе гB

ЧО.К< 1 (П (тl> И«110,11>3()E)BI!0 ПРИ ПОДГОТОВКЕ

I1()в. ркп«с (п (!>««(!<)ид(! галлия посре EcTB03I

<>. I «f> I i, <, ll1 I1 I(«К« I О ТРИ В 1 1111 Я.

5, ) <" i (I « Ii< «()(> э 1(. «Tp«. III ГIIЧС СКОГО 1 ра в. I(..:.: if«,! >, И)(и> (пик«вы. !(1 Г«риаг!Ов, наи!)Ич: р к(>< I(IIH. в ра:<л)< и!ых электроли(1>!. >Э i(,I с !ИК >()О.:, ll f)l! Ч«ПЯЯ ИЗ(3ЕСГ.!ы« -. >«I;"òf;«!и I,i, и< в(зч«ж «получить зер,;<ëû<(>-,п>,lllp >fr«!If<>, I() >(ов«j)Nfl()(ть фосфпД<1 I ñ i, I, П(и . !!((иб«.1{)(<>,!изкич к предла! а« 10 iv явл 51<. Т С fl (I I (! (() () <>, 1«КТ р 01 11Т И I е С ко Г О Т р а В Г(«вЂ”

I ill )1 ((><) «(j) I 1Ä

0()pii $!ii! ifII0)($ и создание II«T()«а электролит» {)(. 11ри эточ электрилитияескую яяейк> <с) и «,! И ЯК)Т 1 (0 Ill>l Xl р<(Створ«)! и 1 а ВИКО в() и к псг(оты.

{ ), 1 I! i! к О п р и T p а в 1 (. н и и О О р а 3 ц О B э и и т <1 к— сиаль ы.; структур типа и -и+ р со cT()ропы п(нз(ркпости подложки п-тпп(1, совпадак)щей с «р (сталлогра(рической плоскостьк>

{ 1 1 (, !Iplf(ff(>,i(>(>11! !в

СЯ 3«PI> l!01 <> I> f >; If()«1 II I j )\.)ii i!(> <. Т«>>, «1 О То сl н, l <) fili{. 11.1(1

ССЛСКТ:>1)11«С. ()()!>,13(!If:.! Iiff 1 ЯЧ(>К Ii<1 1<>1$«Р;ПОСTII f> )и, 1<. li! I)i . Л(>i>Ò l«)(!.():! i((К, 1Я Р(ЧП>пи я с ii«1:()Гl ьз > {>)и>!)! э. 1«к Г jl<), lii "(>) с<>!1р<>1$<>с«в д<1«Т«3! <)! Il«м <>I«f!«I:,(! I . Ii, <>1:.«Ii:к«, I 1 «3L 1{ ИО! <) I 1\(.т<1. 1(>и э(О > с. К<)jl(>i. (ь <)бр(> )<)I3К! . <, 1<1 ()<>. I 1) Ifl«<. КО!)<>С Гll lil «Г )<>1 < i lif >> (. i «в a, 1«к) jl(!. и .Т«. 110 1()<>Ill)i«п р«<(I)l <)<)>«. !О:3.1<>,Ы «rj) > I>I Рой !{. ж;) I il::il)l>, l,ff >111>l(Скп:. «I)>13 11 li;: 1 (lB(>(>> ff()("T.lf < 1 1 1 . (, и 1(к)I I < I1 I I 11 О О, i Ь .11<. < 3 I f И С 1111 <>: i! (il (1 и I i <. E I I I I()

ДР If%;:I КРИСТ<1(ЛОГРИФП>1«(f>!1%1!I ОРИ«liTВ«j)>, I!<>«ТИ

11«,-1, и. Обо< Г< I!! I ÿ ИО.) 1(lili«3{. рка, 11,I(O-11 I il.;«С», I iПИ Я

:)"> < 1<>С Г>I I i< ; i и 1(<, IT() 1 1><11$, 1< fili« IIP()Hi) > и: B „,;: ><) ч (,:. (113<, Р<;:: !PО<>к;!« Ii и;)тРИ Я, (рИ !$;f I illè >к< : I. 1:;:, 1««1;>I. >. :(«I;<> f 1ß 1 ({!— (, {I > Ч ., ... П«>С Гil; (> "ОК;I ). I< 1 Тfl<>1ИТ;1 >

;>,> (.. f j i . <,: ->. i < " ) >, if i I : : . < < К ) 1 . 1 $. 1 I I I Я

< (1>ОС((>пд : Гь:.!:< С .,, < < с>

ООр,13K . 1 - I! I ° . >: . .:;, ",;, I)I 0;lj

ИП Il -)1 1.), >) 6)322 )с) ФО/7.111/.1С> !< 300P< т(Н!<.<1

Составитель В. Мякиненков

Техред О. Луговая Корректор >>. Гриценко

Тираж 922 Подписное

ЦН И И ll И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4, 5

Филиал П П П «Патент». г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор T. Колодцева

Заказ 3694/52

Гц> все»!» Ii(. ðèìc гр» к положительном» электро>(у 3 пов(р. ностьк) 1>-об.ldc òè. 110 110136 ð»ности подложки и-типа СО:3;((!!От 110ТОК э.lc. ктро IHT< (1" ().Иый раствор NHOj() со скорость(0, > 5 ч, с, в который по(р»жак)т отf) l I l L H Tc»1 ь н ы 11 >г! с KT (> c>. L 4. ) H Too»l н а ! р Я ж с> f I l I (.

»lс ж;(у э1с кт f)0;(3»IH 3 и 4 IIOE31>I III 3 K)T;(0 06(>ВЗО(3с(Н И Я Э,(ЕКТРИ<1 CKOI IIPOE)OH В СТР» и û— рс. (1ри эточ ток через образец резко

ВОЗР«IСТсlе(, а Нс11!РЯ)КС HHE HH IIE>»1 II HÄH hIX BP Ill <1 ни, 11311 f>Hжение и ток стремятся к первоначальным fp значспияч. К(>к только напряженис 113 < 6раз(I(дОСTIII 3С 1 L3(..1ИЧИ(lы, ИС()О ;0;Lli»IОИ, I, (Я

Об разо на н и я пробоя. процесс повтор5!ет(51. ..тГOT 313ГОКОЛЕОатСЛЬНЫй ПРОЦЕСС СОПРОВОж . (<>С 1Ся (3E1 ОВЫ»1 ИЗЛ< ЧЕ НИСМ В ВИ:(И»10й 06,!асти с!и ктра.

Е)елi!чина напряжения»!сж;(» электроjL;i I!I В <10»1(I IÒ I!сl I с1Л «l I I ()()UOЯ (ОСТ3 В, (H«1

140 /!) Б !3:3нтрси(1!и элс ктронов в по (2!Ожкс. f (к(!то»(ны. < с !351.3сй IIH повср.,— ности 11 f ) Л. (»ро»!с 010, ускоренные в этом поле элс ктроны приоорс такгг ) flE ргикк

f1C0(>»C>, LIl »I» l0 .(, I H ОоразОВВ н и Я KBH IITOB Св(т i при 133;ilt»10,1(íñãBHH с Вс!цествоч. (,Bt. ã0ной !и>ток IHcтично IIOI ло(цается в <н>раз!ц с Образованис м новы» 1(осителей заря.IH, l

«((с!п iii0 вы»о L« t н(!р» )ку, способст!3у5! растГи>рс ник> OKlii;!I«!i !(лс IIKII н;1,;Онер.;!(Ости 1103л О ж I< I I (. 1(О росT B I I!) 0! С K 1 f l it H >, 1(KT f)0, I И Т В. I 11133 К) Г 13 00! 13С ТС Тli II ll С »l 3 ICE II »f» »10»1

ll.f0òí<>còif >,!«к гроли гltilc ск<н О гока, Ilðî;i>4 пни(с!»О и р(Обр;! 3(ц ((),2--!).3 А c» ). Т(1Кой Otiòll »i iльный f)(>K!1 »i C< От BC !с(в» (т н:.1иболсс поги(о»!»7 р>!с 1!30р(н>!!О Ilf)<,.» кт(>в Hei< K—

ТРО. I!»11(Ч(С! 011 f)(с(Кil llil. СHKII П >i Ii ))О ГС К(1С Г

В р(iK It ! LIIIIH»I II ки ч

ОоразОм, О i(f103()(. 1 11110(0 i(I 3 fill(. и:3.1» 13ГСЛ ЬНОГО H.peKTPLIHCCIC<>t 0 LI;i I>It f1 IIOI О ПРО<Н>я и (н>разце с оптимальным ИО! >к<»i э,икгро, I1IТ;i ИОЗО.! ЯС Т СОЗДать PCж li »I .3(РК<1 i ЬНО И полировки при травлении эпитаксиальных стр»ктур GH(типа п — п — p c0 с!0()Of!I,I повер»!и>сти подложки с ориентациси (I (1) А.

1, ».IIOc06 электролитичс h010 травлс! Ия (!)0C(f) lt, l «l I «lC1Ë ИЯ, ВКЛ!О l lit(< иггс»! Иогр» iKcíèH образца рабо !с и TO()0ной 13 электролит, пог(сое,(и пение h элсктро,Тит» катола, а к против<и(>Ложной сторон(Обра:ilt;i анота и созцанис !и)тока электро.Iliта, отци Л ЬНО Г if 3;(HO!1 IIOB(()»110<. Гll, 1 Р с(В,!С>Н ИС> Il ()0(30, 1HT 13 BO. 1110i»l Рс>(. T f30()C 1 11. (f)0OKllClf наТриЯ г(рИ liH II ()H)KE>IIIIOC Гll э,!С К! ри чсс кого поля !4!) !70 E3i»»f и скорое!и «0тока ),и ктролита ) 5 ч,с.

1(c г< IllltKII ин(!)Орч>п(ии, нринятыс во вни»lHi!!If!1 feil» С...Ч. С)бр(!ботка и за(циТH п о!3<> р Х носT I I I I O. I I f) 0 E30, L I l ll l»0131>I X f I f) 1160()0t3..Et,, «Энс рги5!», 1<)7(), c . 71 7<5.

2. Тра!35!СIIIIC IIO,I» ïðOI30(fitèf(013. 11((). с (!Н(Л.(;. (j (Орни(!..Ч., <с.чнр», 1!)!>О. С. >)!!

2, > >.

Способ электролитического травления фосфида галлия Способ электролитического травления фосфида галлия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Изобретение относится к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с поверхностями, применимыми в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах, в частности масс-спектрометрах

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах
Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к технологии обработки полупроводниковых материалов, и может быть использовано при обработке полупроводниковых пластин кремния

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для нанесения покрытий электрохимическим способом

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики
Наверх