Способ получения трехиодистого галлия

 

Самее Советскик

Социалистических

Республик

ОДИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К 4ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.11.65 (21) 1036215/23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.05.79. Бюллетень № 20 (45) Дата опубликования описания 30.05.79 (51) М.К .

С OIG 15/00

Государственный комитет (53) УДК 546.681 15..05 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

А. Н. Рязанов и Ф. В. Денисов

Всесоюзный научно-исследовательский институт галургии (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРЕХИОДИСТОГО ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к способам получения трехиодистого галлия.

Известен способ получения трехиодистого галлия непосредственным синтезом из элементов, взятых в стехиометрических соотношениях, в вакууме прои нагревании.

Процесс этот длителен, и конечный продукт — тремиодистый галлий — с одержит непрореагировавший металлический галлий.

По предлагаемому способу проводят синтез из элементов в вакууме при -2%-ном избытке иода и температуре 220 — 230 С с предварительным распределением металлического галлия по поверхности пр ибора.

Полученный продукт очищают от избытка иода возгонкой в вакууме в том же приборе.

Такой способ обеспечивает полноту реакции по галлию, позволяет сократить время процесса с 40 — 45 ч до 1 ч, гарантирует практический выход GaJ3 в пределах 85—

90% от теоретического.

Пример, В чистый и сухой аппарат загружают металлический галлий и нагревают до 40 — 50 С. Вращая или встряхивая

его, распределяют массу галлия по внутренним стенкам реакционной камеры. 3атем аппарат охлаждают до 18 — 20 С, загружают необходимое количество иода (с учетом 2% -ного избытка), подсоединяют алпарат к вакууму, откачивают воздух до остаточно|го давления 0,5 — 1,0 мм рт. ст. и запаивают. Аппарат помещают в электропечь и, регулируя напряжение, доводят

5 температуру печи до 120 — 130 С за первые

15 — 20 мин, в последующие 15 — 20 мин— до 220 — 230 С и выдерживают при этой температуре 20 — 30 м|ин. Затем электропечь выключают и дают аппарату остыть до

10 комнатной температуры.

Для отгона избыточного иода электропечь включают в сеть и доводят за 25—

30 мин до 200 — 205 C. В течение этого времени весь избыточный иод отгоняется из

15 всей массы продукта, При этой температуре начинается возгонка трехиодистого галлия, который в ви де светло-желтых кристаллов осаждается на холодильнике аппар ата.

Формула изобретения

Способ получения трехиодистого галлия путем взаимодействия элементов в вакууме при нагревании, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полноты реакции и сокращения времени процесса, проводят синтез при 2%-ном избытке иода и температуре 220 — 230 С с предварительным распределением металлического

30 галлия по поверхности реакционной емкости.

Способ получения трехиодистого галлия 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС)
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении
Изобретение относится к неорганической химии

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах
Изобретение относится к области материаловедения

Изобретение относится к квантовой электронике и лазерной технологии и может быть использовано в ядерной физике для разделения изотопов
Наверх