Способ изготовления фотоэлектронного прибора

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-в .— (22) Заявлено 01.02.77 (21) 2447840!18-25 (51) М К с присоединением заявки %в (23) Приоритет

Н 01 J 9/!2

Государстввнный квинтет

СССР пп делам нэойретвннй н аткрытнй

Опубликовано 25.06.79. Бюллетень ЛЪ 23 (53) УДК 62! .383..29 (088.8) Дата опубликования описания 03.07.79 (72) Авторы изобретения

А. М. Максимов и С. К. Кулон (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННОГО

ПРИБОРА

Изобретение относится к электронной технике, а точнее к способу изготовления фотоэлектронного умножителя, содержащего фотокатод и вторично-электронные эмиттеры.

Известен способ изготовления фотоэлектронного прибора, включающий получение в его объеме би щелочного фотокатода (1) .

При этом, если один из эмиттеров в приборе изготовлен на основе полупроводникового соединения, невозможно получить одновременно как высокую чувствительность фотокатода, так и большой коэффициент вто- 10 ричной электронной эмиссии.

Известен также способ изготовления фотоэлектронного прибора, содержащего сурьмяно-щелочной фотокатод и вторично-электронные эмиттеры, из которых один, по край15 ней мере, выполнен из алмазноподобных полупроводников, например соединений типа

Аз В5 включающий предварительную и дополнительную термические очистки поверхности полупроводника и активирование фотокатода и эмиттера путем нанесения поверх- щ ностного покрытия из щелочного металла (2) .

Недостатком этого способа является сложность технологии и относительно невы2 сокие значения чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии полупроводникового эмиттсра.

Целью изобретения является упрощение технологии и увеличение чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии пол проводникового эмиттера.

Это достигается тем, что перед предварительной очисткой поверхности полупроводника прибор в период его обезгаживания обрабатывают в парах цезия, введенного в объем при комнатной температуре, до появления на оболочке прибора видимого слоя металла, а дополнительную термическую очистку эмиттера проводят после обработки фотокатода хотя бы одним щелочным металлом.

Известный способ изготовления фотоэлектронного умножителя включает первоначальное обезгаживанпе прибора и активировку сплавных динодоB умножительной системы.

Затем проводят формирование фотокатода и динода, например, из GaP. С этой целью вначале проводят термическую очистку динода, а затем формируют фотокатод. Для этого напыляют слой сурьмы на катодное

« ° е «

669426

iIE33IOT 13 H3P3X, EI3- 70 мкА/лм и с темновыми токами меньше рчирхк)т бищелоч- 10 А при анодной чувствительности 100 х,л.

Формула изобретения ст(кло, который обрабат1 пример, кал.(я, если фо чый фотокат )л, а затем цезируют. В процессе формирования фотокатода одновременно осуществляк т первую стадию активировкп лпнода в парах и;ело IHhlx металлов.

Вторую (талию активирования проводят после повторной термической Очистки дHH().id.

11рет;Iаг(1(. (lь1Й спОсоб в c()313HcHHH с извест ным способом изготовления фотоэлектронного умножптеля дает возчожность yHpo(.тить и сократить технологический цикл с одновременными улучшением параметров приборов. Если известный способ обеспечивает совместимость условий 3KTH13Hpo!33EIHH вторичного электронного эмиттера из GBP H фотокатода путем поочерелного Нх формирования, то ппедлагаемый способ, при котором проводится одновременное активиро(33 HH(. ll(Зll(. 31 фОТОКЗТОЛ3 П ЭМИТТЕР3 В 0,1НХ стадию, упрощает технологический процесс и сокращает время его проведения. Прп этом отца 1ает необходимость вести контроль за процессоч цезирования G3P, а контролируется только фототок фотокатода, так как то количество цезия, которое необходимо для достижения отрицательного цезия, которое необхолимо лля достижения отрицательного электронного сродства íà GaP, достаточно для получения максимума чувствительности фотокатола.

Способ пз oiовления позволяет получить приборы с коэффициентом усиления первого линола из G3P более 40 при напряжении на нем 600 В относительно фотокатода, чх вствптельность фотокатода до

Способ изготовления фотоэлектронного

5 прибора, содержащегo сурьмяно-щелочной фотокатод и вторично-электронные эмиттеphl, олин из которых,по крайней чере, выполнен из алмазноподобных полупроводников, например, соединений типа А и В, 10 включающий предварительную и дополнительную термические очистки повер.хности полупроводника и активирование фотокатода и эмиттера путем нанесения поверхностного покрытия из щелочного

15 металл а, отличающийся тем, что. с целью упрощения rexHoлогии и увеличения чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии полупроE3o;EíHêoE3oão эмиттера, перед предварительной очисткой поверхности полупроводника прибор в период его обезгаживания обрабатывает в парах цезия, введенного в об.ьеч прп комнатной температуре, до появления на Оболочке прибора видимого слоя металла, дополнительную термическую очисткх эмиттера проводят после обраоотки фотокато.ld хотя obl одним щелочным четаллоч.

Исто !ники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии № 251179, кл. 99 D 13

10.07. 72.

2. Нау4Ho-технический отчет Разработка ФЭУ типа «Квантовон» с использо3 5 ванием эмиттеров на основе материалов А В

Объединение «Электрон», 1976.

Составитель В. Белоконь

Редактор О. Степина Техред О. Луговая Корректор М. Пожо

Заказ 3670,44 Тираж 922 Подписное

ЦИ И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4