Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

(ii) 682956

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.01.77 (21) 2441156/18-21 (51) М. Кл."Н 01С 7., 00 с присоединением заявки №

Государственный комитет (23) Приоритет

Опубликовано 30.08.79. Бюллетень № 32

Дата опубликования описания 30.08.79 (53) УДК 621.396.69 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения 3. В. Горячева, Ю. Н. Грибенюк, А. В. Кривошей, О. Н. Баскакова, М. Я. Солнцев и Г. М. Юсова

Конструкторско-технологическое бюро металлокерамических изделий (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение касается радиоэлектронной промышленности. Оно может использоваться в производстве резисторов.

Известен рсзистивный материал, содержащий окислы кадмия и ниобия (1J. >

Недостаток материала состоит в низкой мощности рассеяния резисторов при нагревании.

Известен резистивный материал, на основе окиси цинка, содержащий окись кадмия, 10 пятиокись ниобия и двуокись циркония (2„ .

Недостатком такого материала является недостаточно высокая мощность рассеяния резисторов при работе.

Цель изобретения — повышение мош00- 15 сти рассеяния резисторов.

Это достигается тем, что рсзистивпый материал, содержащий окиси кадмия и цинка, пятиокись ниобия и двуокись циркония, взят при следующем количественном содер- 20 жании компонентов, вес. :

Окись кадмия 40,0 — 42,5

Пятиокись ниобия 25,0 — 27,0

Окись цинка 29,0 — 32,0

Двуокись циркония 1,0 — 1,5 2

Изготовление материала и резистивных элементов на его основе осуществляется следующим образом.

Компоненты оксидной лигатуры (окись цинка и окись циркония) тщательно перс- 30 мешивают, прессуют, загружают в печь при

900"С, нагревают со скоростью 5 град/мин и спекают при 1100 С в течение 3 ч в воздушной атмосфере. Полученные прессованные заготовки подвергают размолу и рассеву до достижения дисперсности +63—

100 мкм. Окись кадмия и ниобия дисперсности +20 — 44 мкм и фракция лигатуры

+63 — 100 мкм тщательно перемешивают, и из полученной шихты прессуют резистивные элементы методом гидропрессования при давлении 0,6 т/см -. Спрессованные изделия спекают при 600 С в воздушной среде в течение 6 ч в печи электросопротивлсния. Скорость охлаждения составляет

300 град/ч.

В таблице приведены характеристики резистивных элементов на основе предлагаемого материала в зависимости от различного количественного содержания компонентов.

Преимуществом предлагаемого матсриала по сравнению с известными является повышенная мощность рассеяния за счет увеличения температурного коэффициента сопротивления за счет увеличения температурного коэффициента сопротивления (ТКС) íà 60%, что позволяет использовать его для изготовления мощных нагревательных элементов.

682956

Форм . ла изобретения

Компоненты

Содержание, мас. у, ТКС, %/"С

p„ом. см

Резистивный материал, содержащий окиси кадмия и цинка, пятиокись ниобия и дву5 окись циркония, отл и ч а ющи йс я тем, что, с целью повышения мощности рассеяния резисторов, он содержит компоненты в следующих количествах, вес. /о.

Окись кадмия 40,0 — 42,5

10 Пятиокись ниобия 25,0 — 27,0

Окись цинка 29,0 — 32,0

Двуокись циркония 1,0 — 1,5

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 5 1. Авторское свидетельство СССР

¹ 34б814, кл. С 04В 35/00, 1971.

2. Патент США ¹ 349б512, кл. 338 — 20, 1970 (прототип) .

Р

0,158 â€,164

5,0 — 5,2

25,0

42,0

32,0

1,0, Ь1Ь,О, СоО "

:Zn0

ZrO2

0,149 вЂ,156

27,0

40,0

32,0

1,0

5,1 — 5,8

1ЧЬ,О, CdO

ZnO

ZnO2

27,0

42,5

29,0

1,5

5,2 — 5,7

0,143 вЂ,162

ИЬ,О5

CdO

ZnO

ZrOз

Составитель В. Солодова

Редактор Л. Гребенникова Техред Н. Строганова Корректор T. Добровольская

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2008/4 Изд. № 492 Тираж 923 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Резистор // 651420

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх