Запоминающее устройство

 

Союз Советских

Сощиалисткчееккх ресаублмк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 24.05.77 (21) 2490226/18 — 24 с присоединением заявки РЙ (23) Приоритет (5l)М. Кл.

G 11 С 11/00

Государственной хокхтот

СССР оо делам хзооротоний к открктой

Опубликовано 05.09.79. Бюллетень М 33

Дата опубликования описания 05.09.79 (53) УД1(681327..66 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. И. Агошков, Ю. Г. Андреев, А. И. Васин и В. С. Грабарев (7l ) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, может быть использовано в оперативных запомннаюппх устройствах на ферритовых сердечниках.

Известно оперативное запоминающее устрой5 ство, построенное lio системе выборки 2,5 Д, содержащее магнитный накопитель с координатными шинами Х и Y и диоднымн дешифраторами, генераторы токов записи и чтения, а такие коммутаторы эпк токов (1).

Наиболее близко к предлагаемому запоминающее устройство, содержащее матричный наксннтель, каждый выход которого соединен со входамн коммутаторов токов чтения н записи и входами переключают элементов, выходы которых соединены с шиной нулевого потенциала, н шину щпания 12).

Это устройство при использовании большой информационной емкости имеет малое быстродействие из-за больших параэитных емкостей накопителя. Необходимость нерезаряда этих емкостей приводит к затягиванию фронтов импульсов тока, формируемых в шлнах накопителя.

Цель изобретения — повышение быстродействия запоминающего устройства.

Указанная цель достигается тем, что в устройство введены дополнительные переключающие элементы, входы которых подключены к соответствующим выходам матричного накопителя, а выходы соединены с шиной питания.

Каждый переключающий элемент содержит два диода, аноды которых соединены с его входами, катоды — с одним концом резистора, дру гой конец которого соединен с коллектором транзистора, эмиттер которого соединен с выходом переключающего элемента. Каждый дополшпельный переключающий элемент содержит два диода, катоды которых соединены с его входами, аноды соединены с одним концом резистора, другой конец которого связан с эмиттером транзистора, коллектор которого соединен с выходом переключающего элемента.

На фиг. 1 представлена структурная электрическая схема запоминающего устройства; на фиг. 2 — прнципиальная электрическая схема выполнения переключающих элементов.

684613

Запоминающее устройство содержит матричный накопитель 1, коммутаторы токов чтения и записи соответственно 2 — 5, генератор тока чтения 6, генератор тока записи 7, ключ тока записи 8,. ключ тока чтения 9, переключающие элементы 10, 11, содержащие (см. фиг. 2) диоды 12, !3, резисторы 14, транзисторы 15.

Схема работает следующим образом. В исходном состоянии шины накопителя 1 находятся под нулевым потенциалом. Перед обращением к накопителю (такт "чтение ),,на управляющий вход переключающего элемента 10 поступает импульс запуска, открывающий этот элемент. Шины накопителя через шину питания 16, транзистор 15 и резистор 14 переключающего элемента 10 заряжаются до некоторого положительного потенциала +Е. Затем открываются два коммутатора токов: один по координате Х, например коммутатор 2, и один по координате У, например коммутатор 5, а также ключ тока чтения 9. Импульс тока чтения от генератора тока чтения 6 через коммутатор 2 поступает в выбранную шину накопителя 1 и через коммутатор 5 и ключ тока чтения 9 замыкается на землю.

13

Благодаря тому, что невыбранные диоды накопителя закрыты положительным потенциалом, паразитная емкость невыбранных шин отключена от цепи формирования тока, и фронт тока нарастает за более короткое время. После окончания импульса тока коммутаторы 2 и 5 и эе ключ 9 закрываются. Импульс запуска поступает на переключающий элемент 11, и паразитные емкости накопителя 1 разряжаются через транзистор 15 и резистор 14 переключающего элемента 11 до нулевого потенциала. Во время и такта записи открываются коммутаторы 3 и 4 и ключ тока записи 8. Ток от генератора тока записи 7 через коммутатор 4 поступает в шину накопителя 1, а затем через коммутатор

49

3 и ключ 8 замыкается на землю.

Введение дополнительных лереключательных элементов в запоминающее устройство позволяет повысить его быстродействие и улучшить

4% фронты формируемых импульсов тока в шинах накопителя эа счет отключения параэитных емкостей невыбранных шин.

Особенно широкое применение предложенное техническое решение может найти в оперативных запоминающих устройствах большого об ьема.

Формула изобретения

1. Запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, каждьш выход которого соединен со входами коммутаторов токов чтения и записи и входами переключающих элементов, выходы которых соединены с шиной нулевого потенциала, и шину питания, о т ° л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью ловышения его быстродействия, в него введены дополнительные переключающие элементы, входы которых подключены к соответствующим выходам матричного накопителя, а выходы сое. динены с шиной питания.

2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что каждый переключающий элемент содержит два диода, аноды которых соединены с его входами, катоды связаны с одним концом резистор., другой конец которого соединен с коллектором транзистора, эмиттер которого соединен с выходом переключающего элемента.

3. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что каждый дополнительный пере. ключающий элемент содержит два диода, катоды которых соединены с его входами, аноды соединены с одним концом резистора, другой конец которого связан с эмиттером транзистора, коллектор которого соединен с выходом переключающего элемента, Истскники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Вопросы радиоэлектроники, вып, 5, сер. ЭВТ, 1974, Андреев 10. Г. и др. Основная оперативная память на ферритовых сердечниках с циклом 1,25 мкс для ЭВМ ЕС вЂ” 1030 и

ЕС вЂ” 1050.

2. Заявка Н 2476436/18 — 24, G 11 С 11/00, 11.04.77, по которой принято положительное решение.

684613 иг

Фиг. 2

Составитель В. Гуркина

Техред М.Петко

Корректор А, Гриценко

Редактор Б. Федотов

Тираж 681 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 5298/47

Филиал ППП "Патент", г. Ужтород, ул. Проектная, 4

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для обработки информации в вычислительных системах
Наверх