Способ контактного копирования изображений

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

< .746388 (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 181077 (21) 2537845/28-12 (5 т) М. Кл с присоединением заявки Йо .

G G 13/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет— г

Опубликовано 07.0780, Бюллетень М 25 (53) УДК 772. 93 (088.8) Дата опубликования описания 070780 (72) Авторы изобретения

Г. Н. Ганчо и Э. Б. Моцкус (71) Заявитель

Научно-исследовательский институт электрографии (54) СПОСОБ КОНТАКТНОГО КОПИРОВАНИЯ

ИЗОБРА)ХЕНИЙ

Изобретение относится к электрографии и может быть использовано для размножения микрофиш, микрофильмов и т. и., выполненных на электрографических фотополупроводниковых носителях (ЭФН).

Известен способ контактного копирования с прозрачного оригинала на электрофотографический материал 1О с проводящим подслоем. По этому способу между оригиналом и ЭФН во время экспонирования введена прозрачная диэлектрическая пленка f1) .

При контактном экспонирований 15

ЭФН и оригинал должны быть -прижаты друг к другу с целью получения минимального зазора. При этом случайные пылинки и др. загрязнения, попадающие в зазор, вдавливаются в ЭФН, ди-29 электрическую пленку и оригинал. На вводимой в зазор пленке возникающие углубления, риски, царапины довольно . быстро накапливаются и приводят к появлению дефектов на копии. Повы- 25 шенная дефектность особенно заметна при копировании микроизображений с высотой символов 50-150 мкм.

Это приводит к необходимости частой замены пленки и установке соответст- 30 вующего механизма смены пленки в аппаратах копирования, что усложняет и удорожает аппараты и их техническое обслуживание.

Другой недостаток введения пленки заключается в уменьшении -разрешающей способности из-за наличия зазора между ЭФН и оригиналом.

Цель изобретения — повышение качества копируемого изображения и удешевление процесса контактного копирования.

Указанная цель достигается тем, что во время. экспонирования осуществляют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носителя.

Сущность изобретения заключается в исключении нерегулярного переноса электрического заряда между оригиналом и ЭФН путем введения диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя.

Способ включает зарядку ЭФН, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводящими участками носителя, прижим .

ЭФН и оригинала, экспонирование, 746388 разъединение ЭФН и оригинала, проявление ЭФН и при необходимости закрепление проявленного изображения.

ЭФН состоит из пленочной основы, на которую нанесен токопроводящий годслой. Поверх находится фотополупроводник, который не полностью пере5 кивает токопроводящий подслой.

Обычно пленочную основу выполняют из лавсана толщиной 75-300 мкм, а токопроводящий подслой наносят напылением в вакууме никеля или платины слоем в несколько ангстрем:. В качестве фотополупроводника используют поливинилкарбазол, полиэпоксипропилкарбазол и др. с сенсибилизирующими и пластифицирующими добавка- 15 ми. Толщина фотополупроводника 2-8мкм.

Зарядка ЭФН производится обычным

« скоротроном с коронирующими прово лочками, на которые подается напряжение в несколько киловольт. При этом 2О проводящая основа ЭФН заземляется.

Заряженный ЭФН прижимается к оригиналу. Прижим осуществляется механически вакуумным присосом и т. п.

Перед прижимом вводят в зазор или предварительно наносят на оригинал ,циэлектрическую пленку, которая перекрывает токопроводящие участки носителя. За счет деформации пленочной основы ЭФН в рабочем поле воздушный зазор минимален и фотополупроводниковый носитель и оригинал прилегают друг к другу. Плотное контактирование поверхностей требуется для получения максимальной разрешающей способности.

Исключение диэлектрической пленки во время контактного экспонирования .невозможно, так как без нее про-. водящие основы ЭФН и оригинала замы- каются друг с другом. В результате образуются плоский конденсатор с двумя замкнутыми обкладками, между которыми расположен заряд на поверхности ЭФН. Этот заряд индуцирует в обкладках соответствующие наведен- ные заряды. Суммарное поле всех зарядов оказывается весьма значительным, особенно в малом воздушном зазоре между оригиналом и ЭФН. Воздуш-50 ный промежуток в отдельных местах пробивается электрическим полем и происходит нерегулярный перенос зарядов.

Это приводит к неравномерности скрытого электростатического иэображения и. как следствие, к пятнам, дефектам, размытию и т. п. на проявленной копии. В то же время отказаться от проводящих дорожек невозможно, так как они нужна для надежного заземления токопроводящего подслоя ЭФН при за-. бО рядке.

По предлагаемому способу основы

ЭФН и оригинала не соединены и электрическое поле поверхностного заряда сосредоточено в фотополупроводни- 65 ке ЭФН и не перераспределяется в воздушный промежуток.

Экспонирование производят направленным потоком света со стороны оригинала ° Непрозрачные элементы изображения не пропускают к фотополупроводнику ЭФН и поэтому в этих местах сохраняется начальный заряд.

В остальных <естах за счет фотопроводимости заряды стекают на токопроводящий подслой. Таким образом на ЭФН формируется скрытое электростатическое изображение. Далее свет выключают и производят разъединение.

Диэлектрическую пленку оставляют на оригинале или убирают.

Заготовку со скрытым электростатическим изображением проявляют обычным методом, смачивая ее поверхность жидким электрографическим проявителем. Затем этот проявитель сливают, остатки высушивают и получают готовую копию.

Для надежности диэлектрическую пленку устанавливают несколько больших размеров, чем токопроводящие дорожки. Диэлектрические прокладки изготавливают из прозрачного материала лавсана толщиной 5-100 мкм.

Для введения диэлектрической пленки между оригиналом и токопроводящими участками носителя используют прозрачную лавсановую пленку толщиной 5-100 мкм. Более тонкий лавсан . не удобен практически,а более толстый привбдит к слишком большим деформациям подложки ЭФН.Диэлектрическую пленку предварительно наносят на оригинал, например с помощью лакового раствора.

В качестве пленкообразующего вещества используют поливинилбутираль, со3 дающий на оригинале прозрачную достаточно твердую диэлектрическую пленку.

По предлагаемому способу требуется меньшее количество диэлектрической пленки и более редкая ее замена, что удешевляет процесс копирования.

Экспериментальную проверку способа проводят на электрофотографических микрофишах стандартного размера 105х х148 мм . Оригинал микрофиши получают микрофильмирование 4 бумажных оригиналов с 21" уменьшением.

Электрофотографическая микрофиша вдоль своих длинных сторон имеет то= копроводящие участки шириной 1-1,5 мм.

Заготовку заряжают до потенциала

200-?50 В и затем зажимают совместно с оригиналом между двумя плоскими стеклянными поверхностями. Перед этим на оригинал микрофиши накладывают лавсановые полоски толщиной 5100 мкм и перекрывают края микрофишиоригинала вдоль токопроводящих участков. B другом варианте на микрофишу-оригинал наносят из раствора пленку поливинилбутираля толщиной = 3 мкм.

Экспонирование производят лампой.

КГИ27- 100 а течение 3-5 с. Затем заго746388

2 4 5

1 1 t t t 1

Составитель Э. Моцкус

Редактор Н. Кравцова Техред И.Асталош Корректор М. Коста

Заказ 4099/15 Тираж 526 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д..4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 товку отделяют от оригинала. Проявление производят перемещением заготовки относительно менискового устройства проявления. Используют жидкий сажевый проявитель на основе фреона-113,концентрация тонера 5-8 г/дц

Полученные копии имеют плотность до 2-2,5 (оптимальная плотность 1,4+

+0,3), разрешающую способность

-250лин/мм,плотность фона менее 0,05.

Никаких паразитных эффектов и ухудшения качества из-за нерегулярного переноса зарядов между ЭФН оригинала и заготовки не наблюдают.

Формула изобретения

Способ контактного копирования изображений на фотополупроводниковый

6 носитель" с токопроводящей основой, включающий зарядку носителя, введение диэлектрической пленки в места контакта оригинала с токопроводя- щими участками носителя, экспонирование и проявление, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения качества и удешевления процесса, во время. экспонирования осуществляют непосредственный контакт между оригиналом и фотополупроводниковым слоем носителя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент COJA 9 2689179, кл. 355-12, 1954.