Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме

 

Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения.

Изобретение относится к технике напыления пленок в вакууме и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных интегральных схем. Известно устройство для катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени. Недостатком устройства является сложность конструкции, в частности системы разогрева мишени. Цель изобретения упрощение конструкции достигается благодаря тому, что в устройстве катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащем анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения. На чертеже представлен общий вид устройства. На водоохлаждаемом пьедестале 1 расположена сегнетоэлектрическая мишень 2, на которую установлена металлическая пластина 3, выполненная по форме мишени 2 и соединенная с высоковольтным источником (не указанных на чертеже) экранированным токопроводом 4. Экран 5 предотвращает зажигание разряда на нерабочих поверхностях. Между анодом 6 и заслонкой 7 расположена подложка 8. Подача охлаждающей жидкости осуществляется через трубопровод 9. Устройство работает следующим образом. После откачки до необходимого давления технологической камеры (не указанной на чертеже) на катодный пьедестал 1 и металлическую пластину 3, установленную на мишени 2, подают напряжение, зажигают разряд. Металлическая пластина 3, являющаяся катодом, под действием ионной бомбардировки разогревается сама и нагревает мишень 2. В это время, если заслонка 7 открыта, то на подложке 8 напыляется необходимый металлический слой. После чего снимают напряжение с пластины 3, удаляют ее из разрядного пространства и производят напыление сегнетоэлектрического материала. Подачей охлаждающей жидкости через трубопровод 9 регулируют температуру мишени 2. При изготовлении многочисленных структур вышеописанные операции повторяются.

Формула изобретения

Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике и электротехнике и может быть применено в технологических процессах, предусматривающих использование интенсивных ионно-атомарных потоков легкоплавких металлов, преимущественно алюминия, для получения пленок и покрытий различной толщины в течение длительного времени

Изобретение относится к ионно-плазменным технологиям создания защитных, оптических декоративных и иных слоев на поверхности изделий из металла, стекла, керамики

Изобретение относится к способам, предназначенным для электродуговой обработки поверхностей металлических деталей, более конкретно - к способам, предназначенным для катодной обработки деталей в вакууме
Изобретение относится к области физики взаимодействия мощного лазерного излучения с веществом, преимущественно в исследованиях термодеядерного управляемого синтеза

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для напыления вакуумно-плазменных покрытий в электронной, оптической и других отраслях промышленности

Изобретение относится к отражающим пластмассовым пленкам, пропускающим свет и сохраняющим свойства в течение длительного времени

Изобретение относится к вакуумной ионно-плазменной технологии обработки поверхности твердого тела и предназначено для улучшения и придания требуемых электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков, сверхпроводников и других материалов
Изобретение относится к области изготовления изделий из сплава на основе кремния, преимущественно распыляемых мишеней, которые могут быть использованы при нанесении тонких покрытий для электронной, оптической, компьютерной техники
Наверх