Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов

Авторы патента:

C30B15/04 - с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов

Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов, включающих летучий компонент, содержащее тигель для расплава, установленные сбоку трубку для подпитки расплава летучим компонентом и трубку для вывода летучего компонента, и перегородку, отделяющую область подпитки от области вытягивания кристалла, отличающееся тем, что, с целью увеличения поверхности взаимодействия подпитывающего компонента с расплавом перегородка в тигле выполнена в виде кольцевого канала, закрытого сверху.

Устройство для введения легко испаряющихся примесей в расплав полупроводниковых материалов // 150488

Способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца // 2132417

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца // 2164562

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода // 2193611

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца // 2202011

Способ получения кремния, легированного сурьмой // 2202656

Изобретение относится к производству кремния, легированного сурьмой, широко применяемого в качестве подложек для эпитаксии

Способ получения кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой // 2208068

Изобретение относится к производству полупроводниковых слитков и пластин, в частности кристаллов кремния с циклической двойниковой структурой

Способ получения сцинтилляционного монокристалла лютеций- иттриевого алюмината // 2233916

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов лютеций-иттриевого алюмината, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений в медицинской диагностирующей аппаратуре

Способ выращивания кристаллов // 2248418

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского

Способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния // 2250275

Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств

Способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2321689

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра